半导体存储器模块制造技术

为了代替在模块基板２的表面的性能不合格的裸芯片１（芯片Ａ）的ＢＡＮＫ２和裸芯片１（芯片Ｃ）的ＢＡＮＫ１、２的功能，在模块基板２的背面上安装虽然ＢＡＮＫ０、１、３为不合格但ＢＡＮＫ２的功能正常的修复芯片３（芯片ＡＡ）和虽然ＢＡＮＫ０为不合格但ＢＡＮＫ１、２、３的功能正常的修复芯片３（芯片ＣＣ）。由此，可得到能安装既有效地利用作为合格的其它的存储体的功能、又起到成为不合格的存储体的代替功能的芯片以进行修复的半导体存储器模块。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在模块基板上安装了半导体芯片的半导体存储器模块。
技术介绍
半导体存储器大多被利用于个人计算机、工作站等。此外，由于近年的个人计算机正在实现高速化、高密度化和高功能化，故半导体存储器必须进一步增加存储器容量。此外，大量使用低成本的存储器的市场正在扩大。因此，对半导体存储器要求进一步实现大容量化和低成本化。在上述那样的半导体存储器中，由于在每单位比特的成本方面较为有利，故在个人计算机等中的DRAM(动态随机存取存储器)的使用量正在增加。对于DRAM来说，即使使容量增加，通过增加晶片直径，也可降低每单位比特的成本，因此，DRAM正在频繁地被使用。但是，即使在DRAM中，由于伴随大容量化的测试时间和测试成本的增加及伴随微细化加工技术的高级化的开发费和高级的设备用的费用非常大的缘故，是否能降低其成本也正在成为问题。DRAM的输入输出的位结构通常是4位、8位或16位，由于位数的种类的宽度变窄，故通常一般使用将多个DRAM作成1个模块的存储器。这样，大多在模块状态下使用DRAM等的半导体存储器。图19和图20中示出了现有的半导体存储器模块的例子。现有的半导体存储器模块象与能在印本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体存储器模块，具备模块基板和在该半导体存储器模块上安装的半导体芯片，其特征在于：上述半导体芯片包含：可存储数据的多个存储体；以及地址输入端子，被输入能指定使该多个存储体中的哪一个存储体存储数据的存储体指定信号 ，在上述半导体芯片的内部或外部设置了指定存储体激活／非激活选择电路，该电路在被输入上述存储体指定信号的同时，能选择是否使指定存储体成为非激活状态，在上述非激活状态下，在输入了该存储体指定信号时，不对该指定存储体输入在由该存储体指定信 号指定的指定存储体中存储的预定的数据。

【技术特征摘要】
JP 2002-5-14 138093/02;JP 2002-9-10 263837/021.一种半导体存储器模块，具备模块基板和在该半导体存储器模块上安装的半导体芯片，其特征在于上述半导体芯片包含可存储数据的多个存储体；以及地址输入端子，被输入能指定使该多个存储体中的哪一个存储体存储数据的存储体指定信号，在上述半导体芯片的内部或外部设置了指定存储体激活/非激活选择电路，该电路在被输入上述存储体指定信号的同时，能选择是否使指定存储体成为非激活状态，在上述非激活状态下，在输入了该存储体指定信号时，不对该指定存储体输入在由该存储体指定信号指定的指定存储体中存储的预定的数据。2.如权利要求1中所述的半导体存储器模块，其特征在于还具备代替用半导体芯片，该代替用半导体芯片在成为上述非激活状态的情况下，存储在指定存储体中存储的预定的数据，来代替该指定存储体。3.如权利要求2中所述的半导体存储器模块，其特征在于上述代替用半导体芯片具有多个存储体，该多个存储体中的代替上述指定存储体使用的存储体以外的存储体中包含成为不合格的存储体。4.如权利要求2中所述的半导体存储器模块，其特征在于上述代替用半导体芯片包含可存储数据的多个代替芯片存储体；以及代替芯片地址输入端子，被输入...

【专利技术属性】
技术研发人员：辻野光纪，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]