【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种高性能PNP晶体管，以及形成垂直PNP和NPN晶体管的方法。
技术介绍
持续增长的对移动通讯的使用促进了射频(RF)通讯的进步。特别是，膨胀的市场要求降低功耗低并提高性能。已经形成多种应用的一个可能的解决方案是双极型互补金属氧化物半导体(BiCMOS)技术。例如，见Wilson等人的“Process HJA 30GHz NPN and 20GHz PNP Complementary BipolarProcess For High Linearity RF Circuits，”BCTM，1998，第164页；Onai等人的“Self-Aligned Complementary Bipolar Technology for Low-PowerDissipation and Ultra-High Speed LSI’s，”IEEE TED，433，1995，第413页；Miwa等人的“A Complementary Bipolar Technology for Low Cost and HighPerformance Mixed Analog/Di...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种垂直PNP晶体管，包括发射极区，包括硅和锗。2.如权利要求1所述的晶体管，其中最大锗浓度构成不小于硅和锗的10％，并且最大锗浓度构成不大于硅和锗的30％。3.如权利要求1所述的晶体管，其中硅为多晶硅。4.如权利要求1所述的晶体管，其中晶体管具有大于1GHz的截止频率。5.如权利要求1所述的晶体管，其中发射极区还包括碳。6.一种垂直PNP和NPN晶体管，包括硅单层，其形成PNP晶体管的发射极区、NPN晶体管的非本征基极区和NPN晶体管的本征基极区。7.如权利要求6所述的垂直PNP和NPN晶体管，其中PNP晶体管的发射极区包括硅和锗。8.如权利要求7所述的垂直PNP和NPN晶体管，其中最大锗浓度构成不小于硅和锗的10％，并且该锗浓度构成不大于硅和锗的30％。9.如权利要求7所述的垂直PNP和NPN晶体管，其中发射极区还包括碳。10.如权利要求7所述的垂直PNP和NPN晶体管，其中硅层为PNP晶体管的发射极区中的多晶硅、以及NPN晶体管的非本征基极区的一部分中的单晶硅和本征基极区中的单晶硅。11.如权利要求6所述的垂直PNP和NPN晶体管，其中PNP晶体管具有大于1GHz的截止频率。12.一种在形成互补金属氧化物...
【专利技术属性】
技术研发人员：彼得·B·格雷，杰弗里·B·约翰逊，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：
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