薄膜晶体管阵列的制作方法技术

一种薄膜晶体管阵列的制作方法，适于在具有至少一预定显示区的一基板上制作，是先于基板上形成一第一图案化导体层，且其分布范围超出预定显示区。然后，于基板上形成一第一介电层，并暴露预定显示区以外的部分第一图案化导体层。之后，于第一介电层上形成一第二图案化导体层，其是与暴露的第一图案化导体层电性连接，再于基板上形成具有数个接触窗口的一第二介电层。接着，于第二介电层上形成藉由接触窗口与第二图案化导体层相连的数个像素电极。最后去除位于预定显示区外的各层。因此，上述制作方法可避免静电破坏的发生。本发明专利技术还涉及一种薄膜晶体管阵列的半成品结构。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种液晶显示器(liquid crystal display，简称LCD)中的薄膜晶体管阵列(thin film transistor array，简称TFT array)的制作方法，尤其涉及一种能够除静电(electrostatic discharge，简称ESD)破坏的。
技术介绍
液晶显示器由于具有低电压操作、无辐射线散射、重量轻以及体积小等传统阴极射线管(cathode ray tube，简称CRT)所制造的显示器无法达到的优点，与其他平板式显示器如等离子体显示器及电致发光(electroluminance)显示器成为近年来显示器研究的主要课题，更被视为二十一世纪显示器的主流。目前液晶显示器的发展，以主动矩阵式(active matrix)液晶显示器最被看好成为下一代主要的产品，这是由于当扫描配线(scan line)数增加时，若各个像素皆需由外部来驱动时，每一个像素所分配到的驱动时间(duty)将会很少，结果将使显示器的显示特性变差。主动矩阵式液晶显示器直接在像素电极(pixel electrode)处形成晶体管(transistor)或是二极管(diod本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管阵列的制作方法，适于在具有至少一预定显示区的一基板上形成一薄膜晶体管阵列，该薄膜晶体管阵列的制作方法包括：　　　　在该基板上形成一第一图案化导体层，该第一图案化导体层的分布范围超出该预定显示区；　　　　在该基板上形成一第一介电层，藉由该第一介电层使得该预定显示区以外的部分该第一图案化导体层暴露出来；　　　　在该第一介电层上形成一第二图案化导体层，该第二图案化导体层与暴露出来的该第一图案化导体层电性连接；　　　　在该基板上形成一第二介电层，该第二介电层具有多个接触窗口；　　　　在该第二介电层上形成多个像素电极，以使得这些像素电极藉由这些接触窗口与该第二图案化导体层相连；以及　　　　...

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管阵列的制作方法，适于在具有至少一预定显示区的一基板上形成一薄膜晶体管阵列，该薄膜晶体管阵列的制作方法包括在该基板上形成一第一图案化导体层，该第一图案化导体层的分布范围超出该预定显示区；在该基板上形成一第一介电层，藉由该第一介电层使得该预定显示区以外的部分该第一图案化导体层暴露出来；在该第一介电层上形成一第二图案化导体层，该第二图案化导体层与暴露出来的该第一图案化导体层电性连接；在该基板上形成一第二介电层，该第二介电层具有多个接触窗口；在该第二介电层上形成多个像素电极，以使得这些像素电极藉由这些接触窗口与该第二图案化导体层相连；以及去除位于该预定显示区外的部分该第二介电层、该第二图案化导体层、该第一介电层以及该第一图案化导体层。2.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列的制作方法，其特征在于，该第一图案化导体层包括多个栅极以及多条与这些栅极连接的扫瞄配线。3.权利要求2所述的薄膜晶体管阵列的制作方法，其特征在于，在该基板上形成该第一介电层的方法包括使用等离子体化学气相沉积法，藉由控制该等离子体化学气相沉积法的参数，以使该第一介电层仅覆盖该预定显示区内的这些栅极与这些扫描配线，而暴露出位于该预定显示区外的部分该第一图案化导体层。4.权利要求2所述的薄膜晶体管阵列的制作方法，其特征在于，在该基板上形成该第一图案化导体层的步骤包括在该基板上形成一第一导体层；利用微影蚀刻制程定义该第一导体层，以形成这些栅极以及与这些栅极连接的这些扫瞄配线。5.如权利要求2所述的薄膜晶体管阵列的制作方法，其特征在于，在该基板上形成该第一介电层之后，还包括在该第一介电层上形成多个通道层，这些通道层是横跨这些栅极。6.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列的制作方法，其特征在于，该第二图案化导体层包括多个源/...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪孟逸，
申请(专利权)人：广辉电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]