像素结构制造技术

一种像素结构，其适于架构在一基板上，该像素结构包括一扫描配线，配置在基板上；一栅极介电层，配置于基板上并覆盖住扫描配线；一数据配线，配置于栅极介电层上，且数据配线的延伸方向与该扫描配线的延伸方向不同；一保护层，配置于栅极介电层上并覆盖住数据配线；一透明像素电极，配置于保护层上；以及一双漏极薄膜晶体管，配置于基板上，其中双漏极薄膜晶体管具有一栅极、一通道层、一源极以及二漏极，源极与数据配线电连接，二漏极分别与透明像素电极电连接，而栅极与扫描配线电连接。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体元件结构，特别是涉及一种薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，TFT-LCD)的像素结构。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显示器主要由薄膜晶体管阵列基板、彩色滤光阵列基板和液晶层所构成，其中薄膜晶体管阵列基板是由多个以阵列形式排列的像素结构(pixel structure)所组成，其包括多个薄膜晶体管/薄膜电晶体(thin film transistor)以及与每一薄膜晶体管对应配置的一像素电极(pixel electrode)。上述薄膜晶体管包括栅极/闸极(gate)、通道层/沟道层(channel)、漏极(drain)与源极(source)，该薄膜晶体管用来作为液晶显示单元的开关组件。如图1所示，其示出了一现有像素结构的上视示意图；图2为图1的I-I’剖面示意图。请同时参照图1与图2，现有像素结构的制造方法为首先在一基板100上形成一栅极102以及一扫描配线(scan line)101，其中扫描配线101与栅极102连接。之后，在基板100上形成一栅极介电层(gate dielectri本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素结构，适于架构在一基板上，该像素结构包括：一双漏极薄膜晶体管，配置于该基板上并位于该像素结构的中央，其中该双漏极薄膜晶体管具有一栅极、一通道层、一源极以及二漏极；一扫描配线，配置在该基板上，且该扫描配线与该双漏极薄膜 晶体管的栅极电连接；　一数据配线，配置于该基板上，其中该数据配线的延伸方向与该扫描配线的延伸方向不同，且该数据配线与该双漏极薄膜晶体管的该源极电连接；以及一像素电极，配置于该基板上，其中该像素电极与该双漏极薄膜晶体管的二漏极 电连接。

【技术特征摘要】
1.一种像素结构，适于架构在一基板上，该像素结构包括一双漏极薄膜晶体管，配置于该基板上并位于该像素结构的中央，其中该双漏极薄膜晶体管具有一栅极、一通道层、一源极以及二漏极；一扫描配线，配置在该基板上，且该扫描配线与该双漏极薄膜晶体管的栅极电连接；一数据配线，配置于该基板上，其中该数据配线的延伸方向与该扫描配线的延伸方向不同，且该数据配线与该双漏极薄膜晶体管的该源极电连接；以及一像素电极，配置于该基板上，其中该像素电极与该双漏极薄膜晶体管的二漏极电连接。2.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，还包括一第一像素储存电容器以及一第二像素储存电容器，它们分别配置在该像素结构的两边缘处。3.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，位于该扫描配线上方的该像素电极中具有多个开口。4.如权利要求1或2所述的像素结构，其特征在于，该像素电极为一透明像素电极，其中，该像素结构包括一栅极介电层，配置于该基板上并覆盖住该扫描配线；一保护层，配置于该栅极介电层上并覆盖住该数据配线；该透明像素电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕安序，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]