半穿透半反射式像素结构制造技术

一种半穿透半反射式像素结构，适于架构在一基板上，其包括一扫描配线，配置在基板上；一闸介电层，配置于基板上并覆盖住扫描配线；一数据配线，配置于闸介电层上；一保护层，配置于部分闸介电层上并覆盖住资料配线；一透明像素电极，配置于保护层上；一反射像素电极，配置在暴露的闸介电层上；以及一双漏极薄膜晶体管，配置于基板上，其中双漏极薄膜晶体管具有一闸极、一信道层、一源极以及二漏极，源极与资料配线电性连接，二漏极分别与透明像素电极以及反射像素电极电性连接，而闸极与扫描配线电性连接。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种薄膜晶体管液晶显示器的像素结构，且特别是有关于一种半穿透半反射式像素结构。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显示器主要由薄膜晶体管数组基板、彩色滤光数组基板和液晶层所构成，其中薄膜晶体管数组基板是由多个以数组排列像素结构所组成，其包括多个薄膜晶体管以及与每一薄膜晶体管对应配置的一像素电极。而上述的薄膜晶体管包括闸极、信道层、漏极与源极，薄膜晶体管用来作为液晶显示单元的开关组件。附图说明图1所示，显示为现有一像素结构的上视示意图；图2为图1由I-I′线的剖面示意图。请同时参照图1与图2，现有像素结构的制造方法首先在一基板100上形成一闸极102以及一扫瞄配线101，其中扫瞄配线101与闸极102连接。之后，在基板100上形成一闸介电层104，覆盖住闸极102以及扫瞄配线101。接着，于闸极102上方的闸介电层104上形成一非晶硅信道层106，并且在非晶硅信道层106上形成一欧姆接触层108。之后，在欧姆接触层108上形成一源极/漏极112a/112b，并且同时于闸介电层104上定义出与源极112a连接的一数据配线111，其中闸极102、信道层106与源极/漏极112a/1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半穿透半反射式像素结构，适于架构在一基板上，该半穿透半反射式像素结构包括：双漏极薄膜晶体管，配置于该基板上并位于该像素结构的中央，其中该双漏极薄膜晶体管具有一闸极、一信道层、一源极以及二漏极；扫瞄配线，配置在该基板上，且 该扫瞄配线与该双漏极薄膜晶体管的该闸极电性连接；数据配线，配置于该基板上，其中该数据配线的延伸方向与该扫描配线的延伸方向不同，且该资料配线与该双漏极薄膜晶体管的该源极电性连接；透明像素电极，配置于该基板上，其中该透明像素电极 与该双漏极薄膜晶体管的其中一个所述二漏极电性连接；以及反射像素电极，配置在该基板上，其中...

【技术特征摘要】
1.一种半穿透半反射式像素结构，适于架构在一基板上，该半穿透半反射式像素结构包括双漏极薄膜晶体管，配置于该基板上并位于该像素结构的中央，其中该双漏极薄膜晶体管具有一闸极、一信道层、一源极以及二漏极；扫瞄配线，配置在该基板上，且该扫瞄配线与该双漏极薄膜晶体管的该闸极电性连接；数据配线，配置于该基板上，其中该数据配线的延伸方向与该扫描配线的延伸方向不同，且该资料配线与该双漏极薄膜晶体管的该源极电性连接；透明像素电极，配置于该基板上，其中该透明像素电极与该双漏极薄膜晶体管的其中一个所述二漏极电性连接；以及反射像素电极，配置在该基板上，其中该反射像素电极与该双漏极薄膜晶体管的另一所述二漏极电性连接。2.如权利要求1所述的半穿透半反射式像素结构，其特征在于，该透明像素电极的面积与该反射像素电极的面积相同。3.如权利要求1所述的半穿透半反射式像素结构，其特征在于，该透明像素电极的面积与该反射像素电极的面积不相同。4.如权利要求1所述的半穿透半反射式像素结构，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕安序，
申请(专利权)人：广辉电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]