显示装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术是以实现高品质化的ＥＬ显示装置为目的。其特征为：在基板１００上，形成依各像素所设置的ＴＦＴ１１０、覆盖此ＴＦＴ１１０的绝缘膜３４、３８、以及在绝缘膜上与ＴＦＴ１１０绝缘并将来自阴极８６侧的入射光予以反射的反射层４４。反射层４４是由保护膜４６所覆盖，在此保护膜４６上形成由具备有与阴极８６同样功函数的由ＩＴＯ等透明导电材料所构成的阴极８０，并与ＴＦＴ１１０连接。透过覆盖反射层４４的保护膜４６而可使反射层４４的反射面，在处理ＴＦＴ１１０与阴极８０之间的接触时，受到保护并防止反射特性的恶化。而且，透过特性类似的阴极８０、阴极８６可以良好对称性地交流驱动有机组件层８８。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及具备反射机能的反射型或半透过型显示装置及其制备方法。
技术介绍
液晶显示装置(以下称LCD)具有薄型且低耗电为特征，目前，其已广泛用作为计算机监视器及移动信息设备等的监视器。此种LCD，封入液晶于一对基板间，并透过形成于各个基板的电极控制位于其间的液晶配向以进行显示，其与CRT(阴极射线管)显示器及电激光(以下称EL)显示器不同，由于在原理上不自行发光，故如欲对观看者显示画像则需要光源。所以，在透过型LCD中，即采用透明电极作为形成于各基板的电极，并将光源配置在液晶显示面板的后方或侧方，并透过液晶面板控制此光源的光透过量，而在周围即使昏暗时亦能使其明亮的显示。但是，由于需经常使光源点灯以进行显示，故无法避免因光源带来的电力消费，而且，在如白昼的非常强烈的屋外光环境下，无法确保充分的对比等特性。另一方面，在反射型LCD中，是采用太阳或室内灯等外光作为光源，并透过形成于非观看面侧的基板的反射电极，将入射液晶面板的周围光予以反射。然后，入射至液晶层，并以反射电极反射的光对液晶面板的射出光量，依各像素予以控制，从而进行显示。如此，反射型LCD，因采用外光作为光源，故当无外光时即无法显示，但与透过型LCD不同，其因毋须消费光源的电力故消费电力极低，而且当屋外等周围明亮时即可获得充分的对比。但是，此反射型LCD与透过型相较，在颜色重现性及显示辉度等一般性的显示品质等方面并不充分，而此问题自以往以来即已一直存在。再一方面，在对设备低耗费电的呼声日益提高的状况下，由于消费电力较低的反射型LCD比透过型LCD更为有利，故已将其试行采用在行动机器等高精密监视器的用途上，而且，为提高其显示品质的研究开发亦不断在进行当中。图6，显示在各像素具备有薄膜晶体管(TFTThin film Transistor)的公知的主动矩阵型的反射型LCD的每一像素的平面构造(第1基板侧)，图7，则显示沿此图6的C-C线位置上的反射型LCD的概略剖面构造。反射型LCD是于隔着预定间隔而粘合的第1基板100与第2基板200之间封入液晶层300而构成。以第1及第2基板的100以及200是采用玻璃基板及塑料基板等，至少在此例中，配置在观看面侧的第2基板200是采用透明基板。在第1电极100的液晶侧面中，在各像素形成有薄膜晶体管(TFTThin film Transistor)110。在此TFT 110的有源层120的例如漏极区域，透过形成于层间绝缘膜134的接触孔连接用，以供给数据信号至各像素的数据线136，而源极区域则透过贯穿层间绝缘膜134以及平坦化绝缘膜138所形成的接触孔，而连接至在各像素形成个别图案的第1电极(像素电极)150。以上述第1电极150而言，采用具备有反射机能的Al、Ag等，而在此反射电极150上形成用以控制液晶层300的初期配向的配向膜160。在与第1基板100相对配置的第2基板200的液晶侧，如彩色显示装置时形成有彩色滤光片(R、G、B)210，而在彩色滤光片210之上，则形成有采用ITO(Indium Tin Oxide)等透明导电材料的透明电极250，以作为第2电极。此外在此透明电极250之上，则形成有与第1基板侧相同的配向膜260。反射型LCD，具备有上述构成，其依各像素控制入射至液晶面板，并以反射电极150反射，再由液晶面板所射出的光量以进行所期望的显示。在LCD中并不以反射型为限，而均以交流电压驱动液晶以防止残影在透过型LCD中，要求第1基板上的第1电极以及第2基板的第2电极均须透明，双方均须采用ITO作为电极材料。因此，在液晶的交流驱动之际，第1以及第2电极，可在几乎相同条件下相互地将正、负电压施加于液晶。但是，如上述图7所示，在采用金属材料所构成的反射电极以作为第1电极150、以及ITO等透明金属氧化材料所构成的透明电极以作为第2电极250的反射型LCD中，常因驱动条件而发生显示的闪烁(flicker)，或是发生液晶的残影问题。而此种问题在最近报告的临界闪烁频率(CFF)以下驱动液晶时尤为显著。所谓在CFF以下的驱动，是以LCD在更低的耗电为目的，而将液晶的驱动频率(在第1以及第2电极的相对区域对个别形成的像素及个别的液晶(液晶电容)写入数据的频率)，予以降低到低于例如由NTSC规格等规定的基准60Hz等，并尝试将之降到人眼会感到闪烁的CFF以下，例如为40Hz至30Hz。然而，在以这种CFF以下的频率来驱动公知的反射型液晶面板的各像素之际，得知上述闪烁及液晶的残影问题将会变得更加显著，从而引起显示品质的大幅降低。针对图6、图7所示反射型LCD发生闪烁及液晶残影的原因，根据申请人的研究结果，而得以证实第1及第2电极相对于上述液晶层300的非对称性电气性质，为原因之一。此非对称性，主要是肇因于第2电极250采用的ITO等透明金属氧化物的功函数(work function)为4.7eV至5.2eV程度，相对于此，第1电极150采用的Al等金属的功函数则为4.2eV至4.3eV程度，两者差距过大所致。功函数的相异，在各电极施加相同电压时，将使实际透过配向膜160、260而被液晶界面诱发的电荷产生差异。再者，由于这种液晶配向膜界面所诱发的电荷差异，会使液晶层内的杂质离子等偏向其中一方的电极侧，结果将使残余DC电压储存在液晶层300。由于液晶的驱动频率愈低，此残余DC对于液晶的影响愈大，而发生闪烁或液晶的残影就愈为显著，故在CFF以下的驱动，实质上是有一定困难的。而且，以反射型LCD而言，以往即已知，有人在透过型LCD上将ITO用在第1第2电极上，并于第1基板的外侧(与液晶的非相对侧)另行设置反射板的构造。但是，在将反射板设置在第1基板的外侧时，将产生光路长延伸到透明第1电极150以及透明第1基板的厚度，而造成因视差所导致的显示品质下降的问题。因此，在要求高显示品质的显示器用的反射型LCD中，采用反射电极作为像素电极，且如上述所示由于将驱动频率降低时将产生闪烁等，故未能为了低耗电而降低驱动频率。
技术实现思路
为了克服现有技术的不足之处，本专利技术的目的在于整合第1以及第2电极对于液晶层的电气特性，而提供一种不会有闪烁及视差影响的，并具有高显示品质而又低耗电反射机理的显示装置。为完成上述目的，本专利技术提供一种由基板、形成在该基板上的第1电极与第2电极、以及在该第1电极与第2电极之间形成的有机组件层所构成，并进行各像素的显示的显示装置，其中，所述的基板还具备有设置于所述的各像素的开关组件；在覆盖所述的开关组件的绝缘膜上形成与所述的开关组件绝缘，并将由所述的第2电极侧入射至的光予以反射的反射层；以及覆盖所述的反射层而形成的保护膜，而透过在开关组件对应区域中贯穿所述的保护膜以及所述的绝缘膜而形成开口的接触孔，而使由透明导电材料所构成的所述的第1电极电性连接至所述的开关组件。如上所述，将具备有与第2电极相同特性的透明第1电极配置于较反射层更接近基板侧，且在此第1电极之下，在覆盖开关组件之层间绝缘膜及平坦化绝缘膜等绝缘膜之上，配置与开关组件绝缘，并由保护膜所覆盖的反射层。以采用此种构成方式，可透过第2电极以及连接于各像素的开关组件的第1电极，而得以良好对称性地驱动有机组件层。尤其是，即使在将各像素中的驱动频率设本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示装置，是由基板、形成在该基板上的第１电极与第２电极、以及在该第１电极与第２电极之间形成的有机组件层所构成，并进行各像素的显示的显示装置，其特征在于，所述的基板，还具备有：开关组件，设置于所述的各像素；反射层，形成在覆 盖所述的开关组件的绝缘膜上并与所述的开关组件绝缘，而将由所述的第２电极侧入射的光予以反射；以及保护膜，覆盖所述的反射层而形成；透过在开关组件对应区域中贯穿所述的保护膜以及所述的绝缘膜而形成开口的接触孔，而使由透明导电材料所构 成的所述的第１电极电性连接至所述的开关组件。

【技术特征摘要】
JP 2001-12-28 2001-4010261.一种显示装置，是由基板、形成在该基板上的第1电极与第2电极、以及在该第1电极与第2电极之间形成的有机组件层所构成，并进行各像素的显示的显示装置，其特征在于，所述的基板，还具备有开关组件，设置于所述的各像素；反射层，形成在覆盖所述的开关组件的绝缘膜上并与所述的开关组件绝缘，而将由所述的第2电极侧入射的光予以反射；以及保护膜，覆盖所述的反射层而形成；透过在开关组件对应区域中贯穿所述的保护膜以及所述的绝缘膜而形成开口的接触孔，而使由透明导电材料所构成的所述的第1电极电性连接至所述的开关组件。2.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述的开关组件是采用硅于有源层的薄膜晶体管，而所述的第1电极，直接与该薄膜晶体管的所述的有源层接触。3.如权利要求1或2所述的显示装置，其特征在于，所述的第1电极的所述的透明导电材料的功函数，与所述的第2电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：小田信彦，石田聪，山田努，
申请(专利权)人：三洋电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]