薄膜晶体管阵列及其驱动电路的制造方法技术

一种薄膜晶体管阵列及其驱动电路的制造方法主要包括提供一基板、定义多晶硅层与Ｎ＋薄膜以形成多个岛状结构、于部份岛状结构上定义出Ｐ＋掺杂区域、定义源极／汲极与储存电容器的下电极、Ｎ＋薄膜回蚀、定义闸极及储存电容器的上电极、定义保护层的图案以及定义导体层（画素电极、配线）的图案等步骤。本发明专利技术仅需六道光罩制程即可完成薄膜晶体管阵列及其驱动电路的制作。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种，且特别是有关于一种以六道光罩制程来完成。
技术介绍
针对多媒体社会的急速进步，多半受惠于半导体元件或人机显示装置的飞跃性进步。就显示器而言，阴极射线管(Cathode Ray Tube，CRT)因具有优异的显示品质与其经济性，一直独占近年来的显示器市场。然而，对于个人在桌上操作多数终端机/显示器装置的环境，或是以环保的观点切入，若以节省能源的潮流加以预测阴极射线管因空间利用以及能源消耗上仍存在很多问题，而对于轻、薄、短、小以及低消耗功率的需求无法有效提供解决的道。因此，具有高画质、空间利用效率佳、低消耗功率、无辐射等优越特性的薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)已逐渐成为市场的主流。我们所熟知的薄膜晶体管大致上可分为非晶硅薄膜晶体管与多晶硅薄膜晶体管两种。低温多晶硅(LTPS)技术有别于一般传统的非晶硅(a-Si)技术，其电子迁移率可以达到200cm2/V-sec以上，因此可使薄膜晶体管的尺寸更小，具有增加显示器的开口率(apertureratio)、减少功率消耗等功能。此外，低温多晶硅制程可以将部份驱动电路随同薄膜晶体管制程一并制造于基板上，大幅提升液本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管阵列及其驱动电路的制造方法，其特征在于，包括：　　　　提供一基板；　　　　依序形成一多晶硅层与一薄膜于该基板上，其中该薄膜为一第一型重掺杂；　　　　定义该多晶硅层与该薄膜以形成复数个岛状结构；　　　　于部份该些岛状结构的该薄膜中形成一第二型重掺杂区域；　　　　于每一该些岛状结构上形成一闸极与一源极／汲极，并于该基板上形成一储存电容器，其中些闸极、该些源极／汲极以及该些岛状结构是构成一薄膜晶体管阵列以及一驱动电路；　　　　于该基板上形成一保护层；　　　　定义该保护层以于该保护层中形成复数个开口；　　　　于该基板上形成一导体层；以及　　　　定义该导体层以形成复数个配线与复数个画素电极...

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管阵列及其驱动电路的制造方法，其特征在于，包括提供一基板；依序形成一多晶硅层与一薄膜于该基板上，其中该薄膜为一第一型重掺杂；定义该多晶硅层与该薄膜以形成复数个岛状结构；于部份该些岛状结构的该薄膜中形成一第二型重掺杂区域；于每一该些岛状结构上形成一闸极与一源极/汲极，并于该基板上形成一储存电容器，其中些闸极、该些源极/汲极以及该些岛状结构是构成一薄膜晶体管阵列以及一驱动电路；于该基板上形成一保护层；定义该保护层以于该保护层中形成复数个开口；于该基板上形成一导体层；以及定义该导体层以形成复数个配线与复数个画素电极，该些配线用以连接该薄膜晶体管阵列与该驱动电路。2.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列及其驱动电路的制造方法，其特征在于，其中该多晶硅层的形成方法包括形成一非晶硅层于该基板上；以及对该非晶硅层进行一准分子激光回火制程，以形成多晶硅层。3.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列及其驱动电路的制造方法，其特征在于，其中该薄膜是为一N+掺杂薄膜，而该N+掺杂薄膜的形成方法包括形成一非晶硅薄膜；以及对该非晶硅进行N型离子掺杂，以形成该N+掺杂薄膜。4.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列及其驱动电路的制造方法，其特征在于，其中该第二型重掺杂区域是为一P+掺杂区域。5.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列及其驱动电路的制造方法，其特征在于，其中该闸极、该源极/汲极以及该储存电容器的形成方法包括形成一第一导体层；定义该第一导体层，以于每一该些岛状结构上形成一源极/汲极，并于该基板上形成复数个下电极；形成一第二金属层；以及定义该第二金属层，以于每一该些岛状结构上形成一闸极，并于该基板上形成复数个上电极，其中该些下电极与对应的该些上电极是构成该些储存电容器。6...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈信铭，蔡耀铭，石储荣，
申请(专利权)人：统宝光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]