制作半导体元件的方法技术

一种形成半导体元件的方法，该方法包括下列步骤：形成一基极绝缘层于半导体底材上。形成一基极于该基极绝缘层之上，随后执行第一次离子布植以形成延伸发射极集电极接面。再形成间隙壁于该基极的侧壁上，包含一衬层位于该基极以及该间隙壁之间。以第二次离子布植形成集电极与发射极，然后执行一热处理用以消除离子缺陷以及活化杂质。随之执行一表面处理以形成选择性复晶硅于该基极以及该集电极发射极上，以形成上升集电极发射极。形成钴金属于该底材之上，使该钴金属与该选择性复晶硅反应以形成硅化钴用以消除缺陷以降低该集电极发射极电阻。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术与一种半导体元件制造方法有关，特别是一种制造具有上升发射极集电极结构的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的方法。(2)
技术介绍
近来，半导体工业有了非常繁荣的发展。为了获得高性能的集成电路及提高晶片的构装密度，在超大型集成电路(ULSI)技术中，半导体元件的尺寸不断的缩小。集成电路包括在晶片上特定区域中形成数以百万计的元件及用以连接这些元件的电性连结结构，以便能执行所需的特定功能。而金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)便是典型的元件之一，上述元件已被广泛的使用于半导体科技中。然而随着集成电路进步的趋势，在制造MOSFET时也遭遇了许多问题，例如，典型的问题如热载子效应，已借着轻微掺杂集电极(LDD)结构的发展予以克服。由于对元件的要求，制程朝向高操作速度及低功率发展，是以在深次微米金属氧化物半导体(MOS)元件中，使用了自对准硅化金属(SALICIDE)接触，及超浅的发射极与集电极接面，以便提升操作速度及减少短通道效应。在深次微米高速互补金属氧化物半导体(CMOS)中，采用了具有低电阻的硅化金属线CoSi2及NiSi。然而在制造超浅接面及形成SALIC本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成半导体元件的方法，其特征在于，包括下列步骤：形成一基极于一半导体底材上；以该基极为遮罩，执行第一次离子布植以形成延伸发射极集电极接面；形成一间隙壁于该基极的侧壁上；以第二次离子布植形成一集电极与一发射 极；形成一选择性复晶硅于该基极以及该集电极、该发射极上；形成一金属于该选择性复晶硅上；以及反应该金属与该选择性复晶硅以形成一硅化金属。

【技术特征摘要】
1.一种形成半导体元件的方法，其特征在于，包括下列步骤形成一基极于一半导体底材上；以该基极为遮罩，执行第一次离子布植以形成延伸发射极集电极接面；形成一间隙壁于该基极的侧壁上；以第二次离子布植形成一集电极与一发射极；形成一选择性复晶硅于该基极以及该集电极、该发射极上；形成一金属于该选择性复晶硅上；以及反应该金属与该选择性复晶硅以形成一硅化金属。2.如权利要求1所述的形成半导体元件的方法，其特征在于，还包括形成一衬层位于该基极以及该间隙壁之间。3.如权利要求1所述的形成半导体元件的方法，其特征在于，在该形成该集电极与该发射极的步骤之后，还包括一执行一热处理的步骤。4.如权利要求1所述的形成半导体元件的方法，其特征在于，形成所述硅化金属的温度介于摄氏温度450至850度间。5.如权利要求1所述的形成半导体元件的方法，其特征在于，形成所述硅化金属于氮环境中形成。6.如权利要求1所述的形成半导体元件的方法，其特征在于，所述形成硅化金属的过程中，该选择性复晶硅完全消耗完毕。7.如权利要求1所述的形成半导体元件的方法，其特征在于，形成所述的金属包含钴。8.如权利要求7所述的形成半导体元件的方法，其特征在于，形成所述的硅化金属包含硅化钴。9.如权利要求1所述的形成半导体元件的方法，其特征在于，形成所述的基极介电层包含氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。10.如权利要求1所述的形成半导体元件的方法，其特征在于，所述间隙壁以氮化硅组成。11.如权利要求1所述的形成半导体元件的方法，其特征在于，所述的衬层由氧化物组成。12.如权利要求1所述的形成半导体元件的方法，其特征在于，所述第一次离子布植的能量约为1～30keV，掺杂浓度约为1...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨名声，卢火铁，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]