多区域垂直配向薄膜晶体管阵列基板的制造方法技术

本发明专利技术是关于一种多区域垂直配向（Ｍｕｌｔｉ　　Ｄｏｍａｉｎ　　Ｖｅｒｔｉｃａｌ　　Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）薄膜晶体管阵列基板的制造方法，包括以下步骤：首先提供一基板；接着于该基板上形成复数个开关元件；之后于该基板上形成一覆盖该开关元件的介电层，再于该介电层形成复数个沟；最后于该介电层上形成复数个画素电极。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，尤指一种适用于多区域垂直配向液晶显示装置的薄膜晶体管阵列基板的制造方法。
技术介绍
目前液晶显示器的发展目标皆朝向大尺寸、高辉度、高对比、广视角、以及高色彩饱和度来发展，而多区域垂直配向(Multi-Domain VerticalAlignment，简称MVA)即是现今解决液晶显示装置视角问题的一大对策。在MVA型的液晶显示装置中，由于显示区被区分为多个区域，使得液晶以互相补偿的方式排列，因此在不同视角可看到相同的相位差值，而不会有灰阶反转的现象产生，同时也可提高对比及缩短响应时间。另外，为改善MVA型液晶显示装置的光学穿透率及解析度，目前的作法是在薄膜晶体管(TFT)基板上增加一介质层，进而增加其开口率来达成。因为此介质层一般为感光性的低介电材料，其于后续硬化(Curing)制程的过程中，很容易发生交联(Cross-linking)反应而产生热膨胀(Thermoexpansion)，导致介质层龟裂(Crack)，对于MVA型液晶显示装置的良率有非常大的负面影响，因此专利技术人亟思一种可以解决介质层龟裂的方法。
技术实现思路
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【技术保护点】
一种多区域垂直配向薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：（Ａ）提供一基板；（Ｂ）于该基板上形成复数个开关元件；（Ｃ）于该基板上形成一覆盖该开关元件的介电层；（Ｄ）于该介电层形成复数个沟槽；以 及（Ｅ）于该介电层上形成复数个画素电极。

【技术特征摘要】
1.一种多区域垂直配向薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，包括以下步骤(A)提供一基板；(B)于该基板上形成复数个开关元件；(C)于该基板上形成一覆盖该开关元件的介电层；(D)于该介电层形成复数个沟槽；以及(E)于该介电层上形成复数个画素电极。2.如权利要求1所述的多区域垂直配向薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，其还包含一步骤(E’)移除该沟槽内的该画素电极。3.如权利要求1所述的多区域垂直配向薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，其中还包含形成复数个突出物。4.如权利要求1所述的多区域垂直配向薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，其中还包含形成一导线层。5.如权利要求1所述的多区域垂直配向薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，其中该基板为玻璃基板。6.如权利要求1所述的多区域垂直配向薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，其中该介电层的材料为介电常数小于4.0的有机或无机的材料。7.如权利要求1所述的多区域垂直配向薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，其中该画素电极的材质为铟锡氧化物或...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄国有，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]