【技术实现步骤摘要】
本专利技术一般涉及一种半金属场效应管，特别涉及半金属沟道材料的局部改性方法，可以使各种半金属沟道的场效应管都实现开关特性。半金属(准金属)材料的特点是电阻率ρ＝10-4～10-5Ω·cm比金属(铜的ρ＝1.72×10-6Ω·cm)只大一二个量级，但载流子密度(N＝1017～1019/cm3)却比铜(N＝9×1022/cm3)低4～6个量级。例如Bi的N＝2.7×1017/cm3ρ＝1.16×10-4Ω·cm；石墨单晶N＝1018～1019/cm3ρ＝4×10-5Ω·cm。因此可以充分利用其载流子密度低(便于用静电场控制)同时电阻率低(导通损耗小)的独特特性来做半金属场效应管。在《微纳电子技术》2002年第12期上刊载的由中国科学院物理研究所何尧等写的《碳纳米管晶体管》一文P11页提到“为了得到半导体性纳米管，就必须将金属性纳米管破坏掉。而在空气中让多壁碳纳米管或者纳米管束通过大电流(约200μA)就可以使金属性纳米管被氧化剥离掉，而半导体性纳米管由于通过管内的电流很小并没有受到破坏，这样就可以只得到半导体性的单壁碳纳米管。”这是已有的控制导电沟道载流子密度的...
【技术保护点】
一种半金属场效应管，其特征在于：ａ．采用半金属特性的铋、锑、碳纤维、碳纳米管、导电聚合物做导电沟道；ｂ．场效应管采用一个阳极、一个阴极和多个栅极的结构。
【技术特征摘要】
1.一种半金属场效应管，其特征在于a.采用半金属特性的铋、锑、碳纤维、碳纳米管、导电聚合物做导电沟道；b.场效应管采用一个阳极、一个阴极和多个栅极的结构。2.一种制造半金属场效应管的方法，其特征在于a.用离子束改性技术向...
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