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半金属材料Ｂ↓［ｉ］Ｓ↓［ｂ］石墨（含碳纤维和碳纳米管）具有电阻率低（比铜高１～２个量级）同时载流子密度也低（Ｎ＝１０↑［１７］～１０↑［１９］／ｃｍ↑［３］接近半导体量级）的特性，可以利用其载流子密度低便于控制的特性来做半金属沟道的场效应...
该专利属于杨金玉所有，仅供学习研究参考，未经过杨金玉授权不得商用。

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