下载多区域垂直配向薄膜晶体管阵列基板的制造方法的技术资料

文档序号:3204850

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本发明是关于一种多区域垂直配向(Multi  Domain  Vertical  Alignment)薄膜晶体管阵列基板的制造方法,包括以下步骤:首先提供一基板;接着于该基板上形成复数个开关元件;之后于该基板上形成一覆盖该开关元件的介电层,...
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