非易失性存储器及其制造方法技术

一种非易失性存储器（１），包括：具有贯通表背面的多个第一电极（１５）的绝缘基板（１１）；在绝缘基板（１１）的一方面侧形成的第二电极（１２）；和夹持在第一电极（１５）与第二电极（１２）之间，通过在第一电极（１５）与第二电极（１２）之间加上电脉冲，改变电阻值的记录层（１４），在构成单一的存储单元（ＭＣ）的区域中，使多个第一电极（１５）与记录层（１４）电连接。如果利用该非易失性存储器（１），则可以减少消耗功率，能够得到高的设计自由度和可靠性。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及非易失性存储器，更详细地说，涉及能够通过控制由通电引起的电阻值变化从而可进行数据的记录(写入)或消去的非易失性存储器。
技术介绍
作为非易失性存储器，至今已经知道快速闪存存储器、FeRAM、MRAM、相变型存储器等。例如，在美国专利第6172902号说明书中，揭示了组入膜片中的MRAM，在美国专利第5166758号说明书中，揭示了相变型存储器的构成。最近，因为对便携式信息终端等用的存储器提出高密度化要求，所以相变型的非易失性存储器正在引起人们的注意，并正在进行种种改良(国际公开第97/05665号小册子(日本特表平11-510317号专利公报)、国际公开第98/19350号小册子(日本特表2001-502848号专利公报)、国际公开第99/54128号小册子(日本特表2002-512439号专利公报)、美国专利第6339544号说明书、美国专利第5536947号说明书等)。例如，在国际公开第98/336446号小册子(日本特表2001-504279号专利公报)中，揭示了如图11所示，在下部电极51和上部电极52之间形成有相变材料层53，可以经过下部电极51和上部电极本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非易失性存储器，其特征在于：备有，贯通表背面的多个第一电极的绝缘基板；在所述绝缘基板的一面侧形成的第二电极；和夹持在所述第一电极与第二电极之间，通过在所述第一电极与第二电极之间加上电脉冲，改变电阻值的记录层； 在构成单一的存储单元的区域中，使多个所述第一电极与所述记录层电连接。

【技术特征摘要】
JP 2001-12-12 378311/2001;JP 2002-7-17 208399/20021.一种非易失性存储器，其特征在于备有，贯通表背面的多个第一电极的绝缘基板；在所述绝缘基板的一面侧形成的第二电极；和夹持在所述第一电极与第二电极之间，通过在所述第一电极与第二电极之间加上电脉冲，改变电阻值的记录层；在构成单一的存储单元的区域中，使多个所述第一电极与所述记录层电连接。2.如权利要求1所述的非易失性存储器，其特征在于将所述第一电极充填到在所述绝缘基板中形成的多个细孔内；所述细孔是通过用离子或中性粒子的高能粒子束垂直地照射所述绝缘基板的表面，在该绝缘基板内产生缺陷后，选择地刻蚀产生的缺陷而形成的。3.如权利要求1所述的非易失性存储器，其特征在于使所述第二电极形成带状；在所述绝缘基板的另一面侧，带状形成有与所述第二电极在平面视图中正交并且至少与一部分所述第一电极导通的第三电极；使各存储单元形成在所述第二电极和第三电极在平面视图中重合的区域中。4.如权利要求1所述的非易失性存储器，其特征在于所述记录层具有电阻值不同的2个以上的稳定的相，由可以在各相之间可逆地...

【专利技术属性】
技术研发人员：田中英行，大塚隆，森田清之，森本廉，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]