【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及二极管电路，尤其是关于集成二极管电路。
技术介绍
EP 1146567 A1公开了一种二极管以及其制造方法。此二极管之实施例是一pin二极管，并包括于其上沉积一轻度掺杂n导电区域之重度掺杂n导电硅基板。于该轻度掺杂n导电区域之上设置有一重度掺杂p导电区域。该轻度掺杂区域是通过在该重度掺杂硅基板上之外延(epitaxy)所形成，而其中该重度掺杂p导电区域是通过该外延区域中之植入所产生。在平面视图中为圆形之pin二极管包括一隔离沟槽(trench)延伸环绕该主动二极管结构并形成其限制。此二极管通过设置一电极于重度掺杂p导电区域上以及通过沉积，在背后(back side)薄化之后，一背后接触于重度掺杂n导电硅基板之背表面上。通过提供隔离沟槽，空乏区域(depletion region)之延伸，以及因此二极管的电容与该上部电极解耦合，因此空乏区的延伸可以独立于电极的尺寸而被选择。这允许较短的切换开/关时间，这对于pin二极管被当成高频开关使用时尤其需要。为设置此种二极管至一电路内，必须提供外部的HF耦入网络(couple-in network)，以及额外...
【技术保护点】
一种二极管电路，包括：一半导体基板，具有一主表面，其中该半导体基板包括：一第一掺杂型态（ｐ）之一第一半导体层（３６）；一第二掺杂型态（ｎ）之一第二半导体层（３２）；以及一第三半导体层（３４）设置于该第一与该第 二半导体层之间，其自由电荷之浓度小于该第一及该第二半导体层之自由电荷浓度，其中该第二半导体层（３２）系被埋入该半导体基板（２０）之内之一层，其中该第一半导体层（３６）系分布于该半导体基板（２０）之该主表面之上；一第一 接触（３８），用于设置于该半导体基板之该表面...
【技术特征摘要】
DE 2001-12-11 10160829.21.一种二极管电路，包括一半导体基板，具有一主表面，其中该半导体基板包括一第一掺杂型态(p)之一第一半导体层(36)；一第二掺杂型态(n)之一第二半导体层(32)；以及一第三半导体层(34)设置于该第一与该第二半导体层之间，其自由电荷之浓度小于该第一及该第二半导体层之自由电荷浓度，其中该第二半导体层(32)系被埋入该半导体基板(20)之内之一层，其中该第一半导体层(36)系分布于该半导体基板(20)之该主表面之上；一第一接触(38)，用于设置于该半导体基板之该表面上之该半导体层(36)之接触；以及一第二接触(44，46)，用于该埋入层(32)之接触，其中该接触从该半导体基板(20)之该主表面延伸至该埋入层(32)。2.如权利要求1所述的二极管电路，其特征在于，还包括一隔离沟槽(50)从该半导体基板之该主表面延伸至该埋入层(32)且实质上包围设置于该基板之该主表面上之该半导体层(36)；其中该第二接触(44，46)系设置于该隔离沟槽(50)之外并伸过该第二半导体层(34)。3.如权利要求1所述的二极管电路，其特征在于，还包括该第二半导体层(34)内之一沟槽至少一部份从该半导体之该主表面延伸至该埋入层(32)，其中该第二接触(44，46)包括一重掺杂区域(44)设置于该第二半导体层(34)之内，该区域空间上设置于该第二半导体层(34)内之该沟槽周围，其中该沟槽系通过一隔离层(64)与该重掺杂区域(44)隔离。4.如前述权利要求的其中任一所述的二极管电路，其特征在于，还包括一电容集成于该半导体基板内，包括一第一电极(60a，60b)以及一第二电极(62)，其二者被设置于该半导体基板(20)之该主表面。5.如权利要求4所述的二极管电路，其特征在于，该电容还包括一沟槽位于该第二半导体层(34)内；一掺杂区域(65)位于该第二半导体层(34)内并设置于该沟槽之周围；一隔离层(64)位于该沟槽内；一导电材料位于该隔离层上及该沟槽内，其中该第一电极系连接于该沟槽内之该导电材料，以及其中该第二电极连接至设置于该沟槽周围之该掺杂区域(65)。6.如权利要求1至5的其中任一所述的二极管电路，其特征在于，还包括一集成电阻(70)通过该半导体基板之该主表面上之一隔离层(42)与该半导基板(20)分离，并包括由导电材料制成之一区域(70)。7.如权利要求6所述的二极管电路，其特征在于，由导电材料制成之该区域包括一材料，其与设置于该第二半导体层(34)内之一电容之一沟槽内之材料相同，或与用于该第二接触之一沟槽中之材料相同。8.如前述权利要求的其中任一所述的二极管电路，其特征在于，还包括一集成电感(16)通过至少一隔离层(52)与该半导体基板分离。9.如权利要求8所述的二极管电路，其特征在于，其中该电感包括至少一圈；一第一端连接至该圈之一端；一第二端连接至该圈之另一端，其中该圈系被形成为一层(58，54)内之一导电区域，其关于该基板之该主表面被设置于该至少一隔离层(40)之上，以该隔离层使该电感与该半导体基板(20)分离。10.如权利要求1至9的其中任一所述的二极管电路，其特征在于，其中该半导体基板包括一高电阻基底基板(30)，并包括一主表面且于其上设置该埋入半导体...
【专利技术属性】
技术研发人员：C阿伦斯，W哈通，H霍耶尔曼恩，R洛塞汉德，JP沙弗，
申请(专利权)人：因芬尼昂技术股份公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。