一种宽幅稳压电路制造技术

本实用新型专利技术提供一种宽幅稳压电路，包括交流电输入端和接地端，交流电输入端与电容C9的一端、变压器T1的初级线圈的一端、电阻R3的一端、电容C5的一端和芯片LM5021的Vi端连接，变压器T1的初级线圈的另一端与场效应管Q1的漏极连接，场效应管Q1的栅极与芯片LM5100a的HO端连接，场效应管Q1的源极与电感L1的一端、场效应管Q2的漏极、电容C8的一端和芯片LM5100a的HS端连接，电容C8的另一端与芯片LM5100a的HB端和二极管D4的负极连接。可以实现LM5021的宽幅稳压。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电子领域，尤其涉及一种宽幅稳压电路。
技术介绍
LM5021是电流型AD转DC的脉宽调制控制器，现有的基于的LM5021的电路都是单纯的稳压电路，无法实现宽幅稳压。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题，在于提供一种宽幅稳压电路，解决LM5021没有宽幅稳压电路的问题。本技术是这样实现的:一种宽幅稳压电路，包括交流电输入端和接地端，交流电输入端与电容C9的一端、变压器Tl的初级线圈的一端、电阻R3的一端、电容C5的一端和芯片LM5021的Vi端连接，变压器Tl的初级线圈的另一端与场效应管Ql的漏极连接，场效应管Ql的栅极与芯片LM5100a的HO端连接，场效应管Ql的源极与电感LI的一端、场效应管Q2的漏极、电容C8的一端和芯片LM5100a的HS端连接，电容C8的另一端与芯片LM5100a的HB端和二极管D4的负极连接，二极管D4的正极与电容ClO的一端、芯片LM5100a的VDD端、二极管Dl的负极、芯片LM5021的VCC端和电容C6的一端连接，芯片LM5021的CMP端与电容C4的一端、电阻R6的一端连接，电阻R6的另一端与电容C3的一端连接，电容C3的另一端与电容C4的另一端、芯片LM5021的Vf端、电阻Rll的一端和电阻RlO的一端连接，芯片LM5021的UV端与电阻R2的一端连接，电阻R2的另一端与电阻Rl的一端连接，芯片LM5021的CS端与电容C2的一端、电阻R5的一端连接，电阻R5的另一端与二极管D2的负极、电阻R7的一端连接，二极管D2的正极与电阻R8的一端和变压器Tl的次级线圈的一端连接，芯片LM5021的Rt端与电阻R4的一端连接，芯片LM5021的Vss端与电容Cl的一端连接，芯片LM5021的out端与芯片LM5100a的Vin端连接，芯片LM5100a的Rt端与R9的一端连接，芯片LM5100a的LO端与场效应管Q2的栅极连接，电阻Rll的另一端与稳压管D3A的负极、电容C7的一端、电感LI的另一端、二极管Dl的正极和电路输出端连接，接地端与电容C6的另一端、电容C2的另一端、电容Cl的另一端、电容C5的另一端、电容C9的另一端、电容C7的另一端、电容ClO的另一端、电阻R3的另一端、电阻Rl的另一端、电阻R4的另一端、电阻R7的另一端、电阻R8的另一端、电阻R9的另一端、电阻RlO的另一端、电阻R的另一端、变压器Tl的次级线圈的另一端、芯片LM5100a的GND端、芯片LM5021的GND端、场效应管Q2的源极和稳压管D3A的正极连接。本技术具有如下优点:可以实现LM5021的宽幅稳压。【附图说明】图1为本技术的电路图。【具体实施方式】为详细说明本技术的
技术实现思路
、构造特征、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图详予说明。请参阅图1，本技术提供一种宽幅稳压电路，包括交流电输入端和接地端，交流电输入端与电容C9的一端、变压器Tl的初级线圈的一端、电阻R3的一端、电容C5的一端和芯片LM5021的Vi端连接，变压器Tl的初级线圈的另一端与场效应管Ql的漏极连接，场效应管Ql的栅极与芯片LM5100a的HO端连接，场效应管Ql的源极与电感LI的一端、场效应管Q2的漏极、电容C8的一端和芯片LM5100a的HS端连接，电容C8的另一端与芯片LM5100a的HB端和二极管D4的负极连接，二极管D4的正极与电容ClO的一端、芯片LM5100a的VDD端、二极管Dl的负极、芯片LM5021的VCC端和电容C6的一端连接，芯片LM5021的CMP端与电容C4的一端、电阻R6的一端连接，电阻R6的另一端与电容C3的一端连接，电容C3的另一端与电容C4的另一端、芯片LM5021的Vf端、电阻Rll的一端和电阻RlO的一端连接，芯片LM5021的UV端与电阻R2的一端连接，电阻R2的另一端与电阻Rl的一端连接，芯片LM5021的CS端与电容C2的一端、电阻R5的一端连接，电阻R5的另一端与二极管D2的负极、电阻R7的一端连接，二极管D2的正极与电阻R8的一端和变压器Tl的次级线圈的一端连接，芯片LM5021的Rt端与电阻R4的一端连接，芯片LM5021的Vss端与电容Cl的一端连接，芯片LM5021的out端与芯片LM5100a的Vin端连接，芯片LM5100a的Rt端与R9的一端连接，芯片LM5100a的LO端与场效应管Q2的栅极连接，电阻Rll的另一端与稳压管D3A的负极、电容C7的一端、电感LI的另一端、二极管Dl的正极和电路输出端连接，接地端与电容C6的另一端、电容C2的另一端、电容Cl的另一端、电容C5的另一端、电容C9的另一端、电容C7的另一端、电容ClO的另一端、电阻R3的另一端、电阻Rl的另一端、电阻R4的另一端、电阻R7的另一端、电阻R8的另一端、电阻R9的另一端、电阻RlO的另一端、电阻R的另一端、变压器Tl的次级线圈的另一端、芯片LM5100a的GND端、芯片LM5021的GND端、场效应管Q2的源极和稳压管D3A的正极连接。其中，LM5100a是高电压门驱动器，可用于驱动高端或者低端的场效应管或者半桥电路。LM5021是电流型AD转DC的脉宽调制控制器。LM5021的内部将输入的高电压进行线性稳压之后，输出可以驱动LM5100a，该两个驱动IC组合成同步跟随控制器。二极管D2和C6组成一个自举电路，起到为其他电路提供电压的作用，可有效降低功耗。Tl是一个100:1的绕线组。，为场效应管Ql提供偏置反馈电压。电感器LI，能为Q2提供高饱和电流。提高LI的数值，可以降低输出电压的纹波。当输入端输出一个高电压时，输入电压输入到LM5021的Vi后，再由LM5021的out输出来到LM5100a的Vin,驱动LM5100a工作。二极管D3起到保护LM5100a的作用，当输出电压低于D2与C6的自举电压之后，输出点电压将稳定在自举电压上，实现LM5021的宽幅稳压。以上所述仅为本技术的实施例，并非因此限制本技术的专利保护范围，凡是利用本技术说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的
，均同理包括在本技术的专利保护范围内。【主权项】1.一种宽幅稳压电路，其特征在于:包括交流电输入端和接地端，交流电输入端与电容C9的一端、变压器Tl的初级线圈的一端、电阻R3的一端、电容C5的一端和芯片LM5021的Vi端连接，变压器Tl的初级线圈的另一端与场效应管Ql的漏极连接，场效应管Ql的栅极与芯片LM5100a的HO端连接，场效应管Ql的源极与电感LI的一端、场效应管Q2的漏极、电容C8的一端和芯片LM5100a的HS端连接，电容C8的另一端与芯片LM5100a的HB端和二极管D4的负极连接，二极管D4的正极与电容ClO的一端、芯片LM5100a的VDD端、二极管Dl的负极、芯片LM5021的VCC端和电容C6的一端连接，芯片LM5021的CMP端与电容C4的一端、电阻R6的一端连接，电阻R6的另一端与电容C3的一端连接，电容C3的另一端与电容C4的另一端、芯片LM5021的Vf端、电阻Rll的一端和电阻RlO的一端连接，芯片LM5021的UV端与电阻R2的一端连接，电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种宽幅稳压电路，其特征在于：包括交流电输入端和接地端，交流电输入端与电容C9的一端、变压器T1的初级线圈的一端、电阻R3的一端、电容C5的一端和芯片LM5021的Vi端连接，变压器T1的初级线圈的另一端与场效应管Q1的漏极连接，场效应管Q1的栅极与芯片LM5100a的HO端连接，场效应管Q1的源极与电感L1的一端、场效应管Q2的漏极、电容C8的一端和芯片LM5100a的HS端连接，电容C8的另一端与芯片LM5100a的HB端和二极管D4的负极连接，二极管D4的正极与电容C10的一端、芯片LM5100a的VDD端、二极管D1的负极、芯片LM5021的VCC端和电容C6的一端连接，芯片LM5021的CMP端与电容C4的一端、电阻R6的一端连接，电阻R6的另一端与电容C3的一端连接，电容C3的另一端与电容C4的另一端、芯片LM5021的Vf端、电阻R11的一端和电阻R10的一端连接，芯片LM5021的UV端与电阻R2的一端连接，电阻R2的另一端与电阻R1的一端连接，芯片LM5021的CS端与电容C2的一端、电阻R5的一端连接，电阻R5的另一端与二极管D2的负极、电阻R7的一端连接，二极管D2的正极与电阻R8的一端和变压器T1的次级线圈的一端连接，芯片LM5021的Rt端与电阻R4的一端连接，芯片LM5021的Vss端与电容C1的一端连接，芯片LM5021的out端与芯片LM5100a的Vin端连接，芯片LM5100a的Rt端与R9的一端连接，芯片LM5100a的LO端与场效应管Q2的栅极连接，电阻R11的另一端与稳压管D3A的负极、电容C7的一端、电感L1的另一端、二极管D1的正极和电路输出端连接，接地端与电容C6的另一端、电容C2的另一端、电容C1的另一端、电容C5的另一端、电容C9的另一端、电容C7的另一端、电容C10的另一端、电阻R3的另一端、电阻R1的另一端、电阻R4的另一端、电阻R7的另一端、电阻R8的另一端、电阻R9的另一端、电阻R10的另一端、电阻R的另一端、变压器T1的次级线圈的另一端、芯片LM5100a的GND端、芯片LM5021的GND端、场效应管Q2的源极和稳压管D3A的正极连接。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈敏，
申请(专利权)人：陈敏，
类型：新型
国别省市：福建;35