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本发明涉及二极管电路及其制造方法。一种二极管电路，包括一ｐｉｎ二极管结构（１０），其中ｎ半导体层是一埋入层（３２），于其上通过外延淀积方法沉积ｉ区域（３４），且其中一ｐ半导体层（３６）被导入外延淀积层内。ｐ半导体层的接触（３８）以及ｎ半导体...
该专利属于因芬尼昂技术股份公司所有，仅供学习研究参考，未经过因芬尼昂技术股份公司授权不得商用。

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