存储元件及使用该存储元件的储存装置制造方法及图纸

公开了一种存储元件，其可以容易地进行信息的记录和读出并且能够以相对简单的制造方法容易地进行制造，以及一种使用该存储元件的储存装置。存储元件（１０）包括第一电极（２）、第二电极（５）和位于所述第一和第二电极（２，５）之间的非结晶薄膜（４）。至少电极（５）包含银或铜，且非结晶薄膜（４）由锗和从硫、硒、碲和锑中选择的至少一种元素组成。一种储存装置包括许多此类存储元件（１０）和连接到各存储元件（１０）的第一和第二电极（２，５）的布线。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种存储元件，其中记录有信息，并且涉及一种使用该存储元件的储存装置。
技术介绍
在如计算机的信息设备中，高速运行和高密度DRAM被广泛用于随机访问存储器。但是，由于DRAM的制造工艺太复杂，与用于电气设备的常规逻辑电路LSI和单处理器相比，其生产成本过高。同样，DRAM是一种易失存储器，当电力供应中断时信息就会消失，并且需要经常地刷新操作，也就是读入信息被读出并且被再次放大并再次被读取的操作。因此，例如，提出了FeRAM(铁磁随机访问存储器)和MRAM(磁性随机访问存储器)及其它种类作为非易失存储器，即当切断电力供应信息不会消失。在这些存储器的情况下，在没有电力下可将读入信息保持很长时间。同样，在这些存储器的情况下，由于是非易失存储器，不需要进行刷新操作，并且可确定能耗可以得到很大程度地降低。但是，对于上述非易失存储器，在与构成各存储元的存储元件的小型化相一致的情况下，难以确保作为存储元件的特性。因此，将元件缩小到设计规程的限制和制造工艺的限制是非常困难的。从而，提出一种新型存储元件，其作为具有适合于所述缩小的结构的存储器。该存储元件具有这样一种结构，其中包含某一金本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储元件，包括：非结晶薄膜，其位于第一电极和第二电极之间，其中所述第一和第二电极中至少一个电极包含银或铜，且所述非结晶薄膜由锗和从硫、硒、碲和锑中选择的至少一种元素组成。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2003-3-20 078447/2003;JP 2003-5-15 137651/20031.一种存储元件，包括非结晶薄膜，其位于第一电极和第二电极之间，其中所述第一和第二电极中至少一个电极包含银或铜，且所述非结晶薄膜由锗和从硫、硒、碲和锑中选择的至少一种元素组成。2.如权利要求1所述存储元件，其中包含银或铜的电极与一电极层连接，该电极层包括一种元素，在离子化时该元素的化合价大于包含在所述电极中的银或铜的化合价。3.如权利要求1所述存储元件，其中所述第一电极或第二电极连接到一电极层，该电极层由TiW、钛和钨之一构成。4.如权利要求1所述存储元件，其中所述非结晶薄膜由锗和从硫、硒、碲和锑中选择的至少一种元素以及硅组成。5.一种储存装置，包括存储元件，该存储元件包括非结晶薄膜，其位于第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：荒谷胜久，河内山彰，石田实，
申请(专利权)人：索尼株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]