半导体器件制造技术

一种异质结双极晶体管，具有一个结构，其中在半绝缘半导体衬底上依次淀积具有比集电极层更高掺杂浓度的第一导电类型的子集电极层、第一导电类型的集电极层、第二导电类型基极层以及第一导电类型的发射极层，以及其中在基极层和集电极层之间插入具有比基极层更宽带隙的半导体材料的空穴阻挡层，以便与基极层直接接触。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种双极晶体管，具体涉及偏置电压减小、导通电阻减小以及效率提高的异质结型双极晶体管如便携式终端中的功率放大器。
技术介绍
近年来技术的进步伴随异质结双极晶体管(HBT)如用于便携式终端的功率晶体管的使用增长。为了延长便携式终端中电池的使用时间，重要的是提高便携终端的功率晶体管的功率-增加效率。在HBT的伏安特性中，存在一个区域，其中当集电极-发射极电压VCE接近0V时，即使VCE增加，集电极电流IC也不流动；通过减少该区域，可以大大地提高HBT功率-增加效率。IC不流动处的最高VCE被称作偏置电压，为了提高效率，重要的是降低偏置电压以及导通电阻。在低偏压结构的例子中，在IEEE Transactions on ElectronDevices，Vol.50 No.4，2003，pp.894-900(此后，“现有技术例子1″)的表1中描述的常规HBT中，在集电极层和基极层之间采用具有大的价带突变ΔE的InGaP层，以及其顶部形成的GaAs间隔层。InGaP层充当空穴阻挡层，抑制子集电极和基极之间的空穴移动。在常规HBT的结构中，如图17所示，在子集电极层10上依次淀积G本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种异质结双极晶体管，具有一个结构，该结构中在半绝缘半导体衬底上依次形成具有比集电极层更高掺杂浓度的第一导电类型的子集电极层、第一导电类型的集电极层、第二导电类型的基极层以及第一导电类型的发射极层，其中在基极层和集电极层之间插入具有比基极层更宽带隙的半导体材料的空穴阻挡层，以便与基极层直接接触。

【技术特征摘要】
JP 2003-11-18 2003-3881871.一种异质结双极晶体管，具有一个结构，该结构中在半绝缘半导体衬底上依次形成具有比集电极层更高掺杂浓度的第一导电类型的子集电极层、第一导电类型的集电极层、第二导电类型的基极层以及第一导电类型的发射极层，其中在基极层和集电极层之间插入具有比基极层更宽带隙的半导体材料的空穴阻挡层，以便与基极层直接接触。2.根据权利要求1的异质结双极晶体管，其中空穴阻挡层和基极层之间的界面用第二导电类型的杂质进行δ掺杂。3.根据权利要求1的异质结双极晶体管，其中基极层包括与空穴阻挡层接触侧上的第一半导体层，第一半导体层的第二导电类型杂质的浓度高于基极层内的其他区。4.根据权利要求1的异质结双极晶体管，其中空穴阻挡层是第一导电类型或未掺杂有...

【专利技术属性】
技术研发人员：丹羽隆树，
申请(专利权)人：恩益禧电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]