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文档序号:3203005
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一种异质结双极晶体管,具有一个结构,其中在半绝缘半导体衬底上依次淀积具有比集电极层更高掺杂浓度的第一导电类型的子集电极层、第一导电类型的集电极层、第二导电类型基极层以及第一导电类型的发射极层,以及其中在基极层和集电极层之间插入具有比基极层更...
该专利属于恩益禧电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过恩益禧电子股份有限公司授权不得商用。
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