【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种形成T型多晶硅栅极的方法,特别涉及一种利用双镶嵌工艺来形成T型多晶硅栅极的方法。
技术介绍
本专利技术提供一种形成T型多晶硅栅极的方法,它是在一半导体基底上形成一氧化层、一氮化物层,以及一图案化光刻胶层,以图案化光刻胶层为掩膜,对氮化物层与氧化层进行刻蚀,形成一第一沟槽,去除图案化光刻胶层,然后对位于第一沟槽两侧壁的氮化物层进行刻蚀,来定义出第二沟槽的尺寸,接着在从第一沟槽内暴露出的半导体基底表面形成一氧化层并沉积一填满第一、第二沟槽多晶硅层,最后去除剩余的氮化物层和从多晶硅层暴露出的氧化层,从而得到一T型轮廓的多晶硅栅极。
技术实现思路
本专利技术的主要目的,在于提供一种形成T型多晶硅栅极的方法,它能够有效的避免进行源/漏极延伸区的掺杂工艺时,掺杂物易镶嵌在多晶硅栅极边缘,而导致多晶硅栅极边缘击穿电压较低的情况。本专利技术的另一目的,在于提供一种形成T型多晶硅栅极的方法,它能够形成具有较小的栅极线宽的T形多晶硅栅极,进而能达到增加组件的集成度。为达上述的目的,本专利技术提供一种形成T型多晶硅栅极的方法,它包括下列步骤先提供一内形成有隔离区域的半导体基底;在半导体基底上依序形成一氧化层,一氮化物层,及一图案化光刻胶层,接着,以图案化光刻胶层为掩膜,对氮化物层与氧化层进行刻蚀,直至暴露出半导体基底为止,来形成一第一沟槽,而后去除图案化光刻胶层;然后,对位于第一沟槽两侧的氮化物层进行刻蚀,使氮化物层向外推,以暴露出部分氧化层为止,来定义出一第二沟槽;对半导体基底施行一次氧化工艺,使从第一沟槽暴露出的半导体基底表面形成一栅极氧化层;在半导体基底 ...
【技术保护点】
一种形成T型多晶硅栅极的方法,包括下列步骤:提供一半导体基底,其内部形成有隔离区域;在所述半导体基底上依序形成一氧化层、一氮化物层及一图案化光刻胶层,以所述图案化光刻胶层为掩膜,对所述氮化物层与所述氧化层进行刻蚀,直至暴露出 所述半导体基底为止,以形成一第一沟槽,而后去除所述图案化光刻胶层;对位于所述第一沟槽两侧壁的所述氮化物层进行刻蚀,使部分位于所述第一沟槽两侧壁的所述氮化物层被去除,以暴露出所述氧化层为止,用来定义出一第二沟槽;对所述半导体基 底进行一氧化工艺,使从所述第一沟槽暴露出的所述半导体基底表面形成一栅极氧化层;在所述半导体基底上沉积一多晶硅层,并填满所述第一、第二沟槽,而后对所述多晶硅层进行一平整化工艺;以及去除剩余的所述氮化物层,然后以所述多晶硅层为掩 膜去除暴露出的所述氧化层,从而得到一T型轮廓的多晶硅栅极。
【技术特征摘要】
1.一种形成T型多晶硅栅极的方法,包括下列步骤提供一半导体基底,其内部形成有隔离区域;在所述半导体基底上依序形成一氧化层、一氮化物层及一图案化光刻胶层,以所述图案化光刻胶层为掩膜,对所述氮化物层与所述氧化层进行刻蚀,直至暴露出所述半导体基底为止,以形成一第一沟槽,而后去除所述图案化光刻胶层;对位于所述第一沟槽两侧壁的所述氮化物层进行刻蚀,使部分位于所述第一沟槽两侧壁的所述氮化物层被去除,以暴露出所述氧化层为止,用来定义出一第二沟槽;对所述半导体基底进行一氧化工艺,使从所述第一沟槽暴露出的所述半导体基底表面形成一栅极氧化层;在所述半导体基底上沉积一多晶硅层,并填满所述第一、第二沟槽,而后对所述多晶硅层进行...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈平人,马惠平,包大勇,叶双凤,
申请(专利权)人:上海宏力半导体制造有限公司,
类型:发明
国别省市:31[中国|上海]
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