制造半导体装置的方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种制造一半导体装置的方法，其包括在一包括一金属膜的栅极的侧面上藉由不会导致该金属膜氧化的ＬＰ－ＣＶＤ方法形成一ＬＰ－ＣＶＤ氧化物膜。可在物理上防止金属膜的氧化，且可防止电装置特性的降级。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，其包括形成一LP-CVD氧化物膜构型，其中不会导致底层金属膜氧化，藉此可以改进装置的物理及电性能。
技术介绍
随着半导体装置的集成度持续增加且电路的线宽变得更小，需要使用具有低电阻的材料来形成栅极以改进装置的速度。近来，已广泛使用钨(W)作为栅极材料。尽管钨(W)相较于现有的硅化钨(WSix)在减小栅极的电阻方面有利，但钨亦具有若干缺点。一个问题是钨(W)可能在随后的热工艺、及热处理工艺或包括氧化物材料的沉积工艺中异常地氧化。特别地，在形成一栅极之后，必须形成一用作一缓冲物或侧壁的绝缘膜。藉由典型的低压化学气相沉积(LP-CVD)方法形成的氧化物膜无法在无钨异常氧化的情况下沉积。为了防止钨被氧化，已使用一种使用LP-CVD方法沉积LP-CVD氮化物膜的方法、一种使用原子层沉积(ALD)方法在低温下沉积原子层沉积(ALD)氧化物膜的方法。尽管因为该等技术不会导致钨的氧化所以可实施，然而LP-CVD氮化物膜存在装置的电特性因受到包含于薄膜品质或应力中的氢的影响而降级的问题。此外，ALD氧化物膜具有装置的电特性因受用于形成ALD氧化物膜的催化剂、及包含于源气体中的碳本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造一半导体装置的方法，其包括：在一半导体衬底的一预定区域上形成一包括一金属膜的栅极；及藉由一不会导致该金属膜氧化的ＬＰ－ＣＶＤ方法在整个表面上形成一ＬＰ－ＣＶＤ氧化物膜。

【技术特征摘要】
KR 2005-4-22 33706/051.一种制造一半导体装置的方法，其包括在一半导体衬底的一预定区域上形成一包括一金属膜的栅极；及藉由一不会导致该金属膜氧化的LP-CVD方法在整个表面上形成一LP-CVD氧化物膜。2.如权利要求1所述的方法，其中该栅极的该金属膜是该栅极的唯一金属膜。3.如权利要求2所述的方法，其中该金属膜为一钨膜。4.如权利要求1所述的方法，其中该栅极包括一多晶硅膜与该金属膜的一叠层膜。5.如权利要求4所述的方法，其中该金属膜为一钨膜。6.如权利要求4所述的方法，其进一步包括在该多晶硅膜与该金属膜之间形成一用于阻止该多晶硅膜与该金属膜之间的硅化物反应的抗硅化物膜。7.如权利要求6所述的方法，其中该抗硅化物膜选自由WNx、TiN及WSix组成的群。8.如权利要求1所述的方法，其进一步包括在形成该LP-CVD氧化物膜之前，藉由一氧化构成该半导体衬底及该栅极的硅表面而不氧化该金属膜的选择性氧化工艺，在该栅极的侧面上及该衬底上形成一选择性氧化物膜。9.如权利要求8所述的方法，其中该选择性氧化工艺经由在一H2气氛下控制H2与H2O的比率来执行。10.如权利要求8所述的方法，其中该选择性氧化工艺使用一等离子体模式执行。11.如权利要求8所述的方法，其中该选择性氧化工艺在一从约600至约1000℃的范围内的温度下执行。12.如权利要求1所述的方法，其在形成该栅极之后并在形成该LP-CVD氧化物膜之前于一氮基或一氩基气体气氛下进一步执行一热处理。13.如权利要求1所述的方法，其进一步包括在形成该LP-CVD膜之后，藉由氧化构成该半导体衬底及该栅极的硅表面而不氧化该金属膜，来在该栅极的侧面上及该衬...

【专利技术属性】
技术研发人员：张民植，李东浩，朴恩实，全光锡，申承佑，柳春根，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]