表面更平整的金凸点的制造方法技术

本发明专利技术提供表面更平整的金凸点制造方法，以电流密度不同的两个电镀工艺步骤代替传统的用一个电流密度的一个电镀工艺步骤。第一次电镀用低电流密度在凸点下的金属层（ＵＢＭ）上淀积一层电镀金层，使ＵＢＭ层下凹的中心部分被用低电流密度电镀的金层填充。然后，用大电流密度进行第二次电镀，形成金凸点上部的金保护层。因此形成更平整的金凸点表面结构。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术总的涉及电子器件中金凸点的制造方法，具体涉及。
技术介绍
电子工业中，金凸点广泛用于制备电子装置的表面接点，例如用于制备液晶显示器的接点，半导体器件中的接点，用电镀方法形成金凸点表面上的金保护层。其原因是，金的导电率高，可靠性高，防化学腐蚀性好。但是，在形成金凸点终端电极之前，用常规方法形成的半导体晶片表面不平整。图1是用传统方法制造的典型的金凸点轮廓剖视图。金凸点从下到上顺序包括铝焊盘1、厚度为1-2μm的氮化钛(TiN)钝化层2、溅射淀积的凸点下钛钨/金(TiW/Au)(UBM)层3；其中，TiW层厚度是0.3-0.5μm，Au层厚度是0.1-0.2μm，和电镀的金层(15μm)4。从图1中看到，电镀金层表面粗糙5，粗糙程度基本上等于氮化钛(TiN)钝化层2的厚度。其原因是，在铝焊盘边缘有氮化钛(TiN)钝化层2，因此，在有氮化钛(TiN)钝化层2的边缘上形成的凸点下钛钨/金(TiW/Au)层3和电镀金层4的边缘都高于其下没有氮化钛(TiN)钝化层2的中心区域形成的钛钨/金(TiW/Au)层3和电镀金层4，造成金凸点表面粗糙。金凸点的表面粗糙度会对随后进行的半导体芯片倒装焊接产生负面影响，影响半导体器件的可靠性。制造金凸点的传统的金电镀工艺中，整个电镀过程中的电流密度保持不变，因而，电镀金层的厚度一致，造成金凸点边缘部分比中心部分高，使金凸点表面粗糙。为了克服传统工艺制造的金凸点表面粗糙的缺点，提出本专利技术。
技术实现思路
本专利技术的目的是，提供一种表面更平整的金凸点制造方法，用本专利技术方法电镀后制成的金凸点表面粗糙程度低，表面状态一致性好，有利于随后进行的半导体晶片倒装焊接。用本专利技术的表面更平整的金凸点制造方法能够制造出更平整的终端电极结构。本专利技术方法能够扩展到很小的节距，能够使终端电极达到更高的互连密度，使终端电极结构具有更好的整体性。能够大大增加更精细的节距设计的金凸点焊接能力。按照本专利技术的一个技术方案，电镀金层的金电镀工艺分为两个工艺步骤，两个电镀工艺步骤中所用的电流密度不同，以不同电流密度的两个电镀工艺步骤代替传统的用一个电流密度的一个电镀工艺步骤。用本专利技术方法形成的金凸点具有良好的表面平整性。按照本专利技术的表面更平整的金凸点制造方法，包括以下工艺步骤步骤1，在半导体晶片衬底上的铝焊盘上要形成金凸点的区域周边化学汽相淀积(CVD)TiN钝化层2，TiN钝化层2的厚度是1-2μm；步骤2，溅射淀积金凸点下的TiW-Au(UBM)金属层3，其中，TiW层厚度是0.3-0.5μm，Au层厚度是0.1-0.2μm；步骤3，TiW-Au(UBM)金属层3上用低电流密度电镀形成第一层电镀金(Au)层6，电镀用的电流密度是0.05-0.15(安培/分米2)，所形成的电镀金层6的厚度稍微大有钝化层2的厚度，是3-4μm，基本上填满了溅射淀积的金凸点下的TiW-Au(UBM)3金属层中心部分的凹坑，所用的电镀溶液可以是氰化物电镀液，也可以是非氰化物电镀液，例如，亚硫酸金钠溶液；步骤4，在步骤3中电镀淀积的第一层电镀金层6上用大电流密度电镀第二层金电镀层7，电镀用的电流密度是0.3-0.5(安培/分米2)，所形成的第二层电镀金层7的厚度是15-20μm，所用的电镀溶液可以是氰化物电镀液，也可以是非氰化物电镀液，例如，亚硫酸金钠溶液；两次电镀形成的电镀金保护层的表面粗糙度低于1.0μm。用本专利技术方法形成金凸点，用两个电镀工艺步骤形成金凸点上部的电镀金保护层，通过控制电镀工艺过程中的电流密度来控制金凸点结构表面的粗糙度，使金凸点具有更平整的表面结构，大大提高了金凸点结构的完整性，允许金凸点极其精细的节距设计，使相邻金凸点之间的间距更小，也就是说，允许极高的半导体器件互连密度。提高了金凸点终端结构的合格率和焊接能力。从而提高了半导体器件的封装密度，提高了半导体器件的合格率和可靠性。附图说明通过以下结合附图的详细描述，将能更好地理解本专利技术的构件结构，构件样式，本专利技术的操作，本专利技术的其他目的和优点。附图中类似的或相同的元件用相同的参考数字指示。图1是传统方法制造的金凸点结构剖视图，从图中看到，金凸点表面周边部分比较中心部分高，金凸点具有粗糙表面结构；图2是用本专利技术的表面更平整的金凸点制造方法用低电流密度进行第一次电镀工艺后形成电镀金层后的金凸点的剖视图；图3是用本专利技术的表面更平整的金凸点制造方法用大电流密度进行第二次电镀工艺后形成的金凸点的剖视图。附图中各个参考数字指示的部件说明1-铝焊盘；2-TiN钝化层；3-凸点下的TiW-Au(UBM)金属层；4-电镀金层；5-传统方法形成的金凸点的表面粗糙度；6-用本专利技术方法用低电流密度进行第一次电镀形成的电镀金层；7-用本专利技术方法用低电流密度进行第二次电镀形成的电镀金层。具体实施例方式以下参见图2和图3说明按本专利技术的金凸点制造方法。按照本专利技术的一个技术方案，金凸点制造方法包括以下步骤步骤1，在半导体晶片衬底上的铝焊盘上要形成金凸点的区域周边化学汽相淀积(CVD)TiN钝化层2，TiN钝化层2的厚度是1-2μm；步骤2，溅射淀积金凸点下的TiW-Au金属层3，其中，TiW层的厚度是0.3-0.5μm，Au层厚度是0.1-0.2μm；步骤3，TiW-Au金属层3上电镀形成第一层电镀金(Au)层6，电镀用的电流密度是0.05-0.15安培/分米2)，所形成的电镀金层6的厚度稍微大有钝化层2的厚度，是3-4μm，基本上填满了溅射淀积的金凸点下的TiW-Au(UBM)金属层3中心部分的凹坑，所用的电镀溶液可以是氰化物电镀液，也可以是非氰化物电镀液，例如，亚硫酸金钠溶液；参见图2，从图2中看到，凸点下的金属层的中心部分已经被电镀金层6填充，凸点下的金属层的中心部分和周边部分的高度基本相同。步骤4，在步骤3中电镀淀积的第一层电镀金层6上电镀第二层金电镀层7，电镀用的电流密度是0.3-0.5(安培/分米2)，所形成的第二层电镀金层7的厚度是15-20μm，所用的电镀溶液可以是氰化物电镀液，也可以是非氰化物电镀液，例如，亚硫酸金钠溶液；两次电镀形成的电镀金保护层的表面粗糙度低于1.0μm；参见图3，从图3中看到，经过用大电流密度进行第二次电镀所形成的金凸点表面具有平整结构。以上详细描述了制造金凸点的本专利技术方法。用两个电镀工艺步骤形成金凸点的上表面电镀金保护层，第一次电镀用低电流密度在凸点下的金属层(UBM)3上淀积一层电镀金层，使UBM层3下凹的中心部分被用低电流密度电镀的金层6填充。然后，用大电流密度进行第二次电镀，形成金凸点上部的金保护层7。因此形成更平整的金凸点表面结构。但是本专利技术不限于本文中的详细描述。本行业的技术人员应了解，本专利技术还能以其他的形式实施。因此，按本专利技术的全部技术方案，所列举的实施方式只是用于说明本专利技术而不是限制本专利技术，并且，本专利技术不局限于本文中描述的细节。本专利技术要求保护的范围由所附的权利要求书界定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
表面更平整的金凸点制造方法，包括以下工艺步骤：步骤１，在半导体晶片衬底上的铝焊盘（１）上要形成金凸点的区域周边化学汽相淀积（ＣＶＤ）ＴｉＮ钝化层（２），ＴｉＮ钝化层（２）厚度是１－２μｍ；步骤２，在ＴｉＮ钝化层（２）上溅射淀积金凸点下的ＴｉＷ－Ａｕ（ＵＢＭ）金属层（３），其中，ＴｉＷ层的厚度是０．３－０．５μｍ，Ａｕ层厚度是０．１－０．２μｍ；步骤３，ＴｉＷ－Ａｕ金属层（３）上用低电流密度电镀形成第一层金电镀（Ａｕ）层（６），所形成的金电镀层厚度稍微大有钝化层的厚度，基本上填满了溅射淀积的金凸点下的ＴｉＷ－Ａｕ（ＵＢＭ）金属层（３）中心部分的凹坑；步骤４，在步骤３中电镀淀积的第一层电镀金层（６）上用大的电流密度电镀形成第二层金电镀层（７），两次电镀形成的电镀金保护层的表面粗糙度低于１．０μｍ。

【技术特征摘要】
1.表面更平整的金凸点制造方法，包括以下工艺步骤步骤1，在半导体晶片衬底上的铝焊盘(1)上要形成金凸点的区域周边化学汽相淀积(CVD)TiN钝化层(2)，TiN钝化层(2)厚度是1-2μm；步骤2，在TiN钝化层(2)上溅射淀积金凸点下的TiW-Au(UBM)金属层(3)，其中，TiW层的厚度是0.3-0.5μm，Au层厚度是0.1-0.2μm；步骤3，TiW-Au金属层(3)上用低电流密度电镀形成第一层金电镀(Au)层(6)，所形成的金电镀层厚度稍微大有钝化层的厚度，基本上填满了溅射淀积的金凸点下的TiW-Au(UBM)金属层(3)中心部分的凹坑；步骤4，在步骤3中电镀淀积的第一层电镀金层(6)上用大的电流密度电镀形成第二层金电镀层(7)，两次电镀形成的电镀金保护层的表面粗糙度低于1.0μm。2.按照权利要求1的表面更平整的金凸点制造方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：张璋炎，李圣贤，蒋瑞华，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]