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本发明提供一种制造一半导体装置的方法，其包括在一包括一金属膜的栅极的侧面上藉由不会导致该金属膜氧化的ＬＰ－ＣＶＤ方法形成一ＬＰ－ＣＶＤ氧化物膜。可在物理上防止金属膜的氧化，且可防止电装置特性的降级。...
该专利属于海力士半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过海力士半导体有限公司授权不得商用。

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