【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及，特别涉及能够提高栅极电极的稳定性且对提高可靠性有效的技术。
技术介绍
近年来，为了实现半导体集成电路的高集成化及高速化，具有低电阻且稳定特性的金属或高熔点金属的合金也被频繁地使用在微细的栅极电极布线中。由于这些材料在冶金学上对热和药液比较稳定，同时具有较低的电阻及较高的可靠性，因此是实现提高半导体集成电路的集成度及高速化的材料。并且，当在衬底上夹着元件隔离区域相邻地形成的第1导电型元件区域及第2导电型元件区域的各自上连续地形成栅极电极时，为了提高各元件的特性，使用在第1导电型元件区域上和第2导电型元件区域上具有相互不同组成的硅化物材料来构成栅极电极的方法。(参照J.A.Kittl其它、Symposium on VLSI Technology Digest of Technical Papers、2005年、p.72-73)。附图说明图17(a)～图17(d)及图18(a)～图18(c)示出了以往的半导体装置，具体地说，示出了表示具有双栅极结构的半导体装置的制造方法的各工序的栅极宽度方向的剖面图。首先，如图17(a)所示，利用STI(Shallo...
【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于：包括：第１元件区域及第２元件区域，夹着元件隔离区域相邻地形成在衬底上，第１栅极绝缘膜，形成在上述第１元件区域上，第２栅极绝缘膜，形成在上述第２元件区域上，以及栅极电极，连续地形成在 上述第１栅极绝缘膜、上述元件隔离区域及上述第２栅极绝缘膜的各自上；上述栅极电极具有第１硅化物区域、第２硅化物区域和导电性扩散防止区域，该第１硅化物区域形成为与上述第１栅极绝缘膜接触在一起，该第２硅化物区域形成为与上述第２栅极绝缘膜接 触在一起、且组成与上述第１硅化物区域的组成不同，该导电性扩散...
【技术特征摘要】
JP 2005-9-26 2005-2782001.一种半导体装置，其特征在于包括第1元件区域及第2元件区域，夹着元件隔离区域相邻地形成在衬底上，第1栅极绝缘膜，形成在上述第1元件区域上，第2栅极绝缘膜，形成在上述第2元件区域上，以及栅极电极，连续地形成在上述第1栅极绝缘膜、上述元件隔离区域及上述第2栅极绝缘膜的各自上；上述栅极电极具有第1硅化物区域、第2硅化物区域和导电性扩散防止区域，该第1硅化物区域形成为与上述第1栅极绝缘膜接触在一起，该第2硅化物区域形成为与上述第2栅极绝缘膜接触在一起、且组成与上述第1硅化物区域的组成不同，该导电性扩散防止区域由上述元件隔离区域上的形成在上述第1硅化物区域和上述第2硅化物区域之间的非硅化物区域构成。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于上述导电性扩散防止区域是硅区域。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于还包括第1导电型杂质区域、和第2导电型杂质区域，该第1导电型杂质区域形成在上述第1元件区域中，该第2导电型杂质区域形成在上述第2元件区域中；上述硅区域是第1导电型。4.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于还包括第1导电型杂质区域、和第2导电型杂质区域，该第1导电型杂质区域形成在上述第1元件区域中，该第2导电型杂质区域形成在上述第2元件区域中；上述硅区域是第2导电型。5.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于上述硅区域含有锗。6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于上述导电性扩散防止区域形成在位于上述元件隔离区域上的上述栅极电极的下部；上述第1硅化物区域及上述第2硅化物区域的至少一方延伸到上述导电性扩散防止区域的上侧。7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于上述第1硅化物区域及上述第2硅化物区域含有Co、Ti、Ni及Pt的至少一种。8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于在上述导电性扩散防止区域上形成有硅化物化防止膜。9.一种半导体装置的制造方法，其特征在于包括工序a，在衬底上夹着元件隔离区域相邻地形成第1元件区域及第2元件区域，工序b，在上述第1元件区域上及上述第2元件区域上分别形成第1栅极绝缘膜及第2栅极绝缘膜，工序c，在上述第1栅极绝缘膜、上述元件隔离区域及上述第2栅极绝缘膜的各自上连续地形成成为栅极电极的硅膜，工序d，将第1导电型杂质导入位于上述第1元件区域上的上述...
【专利技术属性】
技术研发人员：相田和彦，平濑顺司，濑部绍夫，粉谷直树，竹冈慎治，冈崎玄，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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