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本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。目的在于：在具有被全硅化物化的双栅极结构的半导体装置中，通过提高栅极电极的稳定性来提高半导体装置的可靠性。在形成成为Ｎ型ＭＩＳ晶体管形成区域的栅极电极的ＮｉＳｉ膜（１１０Ａ）的同时，形成成为Ｐ型ＭＩＳ...
该专利属于松下电器产业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过松下电器产业株式会社授权不得商用。

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