应用自对准双应力层的CMOS结构和方法技术

本发明专利技术涉及应用自对准双应力层的ＣＭＯＳ结构和方法，具体地涉及一种ＣＭＯＳ结构及制造ＣＭＯＳ结构的方法，所述ＣＭＯＳ结构提供位于第一晶体管上的第一应力层和位于第二晶体管上的第二应力层。所述第一应力层和所述第二应力层毗邻而不交迭。在所述第一晶体管和所述第二晶体管中的一个中的源／漏区上形成到硅化物层的接触时，这样的毗邻而不交迭的布置提供了提高的制造灵活性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术总体上涉及互补金属氧化物半导体(CMOS)结构中的机械应力。更具体地，本专利技术涉及在CMOS结构中提供机械应力以提高器件性能、增加芯片成品率的结构和方法。
技术介绍
CMOS结构包含互补的成对的具有不同导电类型的场效应晶体管。由于应用了互补的成对的不同导电类型，CMOS结构还提供了降低的能量或功率消耗。CMOS制造领域内的趋势是将应用应力层作为在CMOS晶体管的沟道区内产生机械应力或应变场的方法。希望有某些类型的机械应力，只要其能向半导体沟道内引入应力。这样的应力一般在CMOS晶体管内提供提高的电荷载流子迁移率。互补类型的沟道应力(例如，在电流方向上的张或压应力，或张应变和压应变)提高了互补类型的CMOS晶体管(即nFET或pFET)内的互补类型的电荷载流子迁移率(即电子或空穴)。由于机械应力是可以在很大程度上提高场效应晶体管性能的重要因素，因此希望有在CMOS晶体管沟道内提供更高水平的机械应力的CMOS结构和方法。用于提高包括nFET和pFET器件的CMOS结构中的电荷载流子迁移率的方法为半导体制造领域所公知。例如，En等人在美国专利No.6,573,172中阐述了本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＣＭＯＳ结构，包括：位于半导体衬底上具有第一极性的第一晶体管，其和具有不同于所述第一极性的第二极性的第二晶体管横向地分离；以及位于所述第一晶体管上的具有第一应力的第一应力层和位于所述第二晶体管上的具有不同于所述第一应力的 第二应力的第二应力层，其中所述第一应力层和所述第二应力层毗邻而不交迭。

【技术特征摘要】
US 2006-4-28 11/380,6951.一种CMOS结构，包括位于半导体衬底上具有第一极性的第一晶体管，其和具有不同于所述第一极性的第二极性的第二晶体管横向地分离；以及位于所述第一晶体管上的具有第一应力的第一应力层和位于所述第二晶体管上的具有不同于所述第一应力的第二应力的第二应力层，其中所述第一应力层和所述第二应力层毗邻而不交迭。2.如权利要求1所述的CMOS结构，其中所述半导体衬底包括混合取向衬底；以及所述第一晶体管和所述第二晶体管应用不同的晶向沟道区。3.如权利要求1所述的CMOS结构，其中所述第一应力层和所述第二应力层在所述第一晶体管和所述第二晶体管之一中的源/漏区上方的位置处毗邻而不交迭。4.如权利要求3所述的CMOS结构，还包含位于源/漏区上的硅化物层。5.如权利要求1所述的CMOS结构，其中所述第一应力层和所述第二应力层中的每一个包含氮化物材料。6.如权利要求1所述的CMOS结构，其中所述第一应力是张应力且所述第一晶体管是nFET；以及所述第二应力是压应力且所述第二晶体管是pFET。7.一种制造CMOS结构的方法，包括形成位于半导体衬底上具有第一极性的第一晶体管，其和具有不同于所述第一极性的第二极性的第二晶体管横向地分离；形成位于所述第一晶体管上方的具有第一应力的第一应力层和位于所述第二晶体管上方的具有不同于所述第一应力的第二应力的第二应力层，其中所述第一应力层和所述第二应力层毗邻且交迭；以及蚀刻所述第一应力层和所述第二应力层中的至少一个使得所述第一应力层和所述第二应力层毗邻而不交迭。8.如权利要求7所述的方法，其中所述形成所述第一晶体管和所述第二晶体管的步骤应用混合取向衬底，其为所述第一晶体管和所述第二晶体管中的每一个提供不同的晶向沟道。9.如权利要求7所述的方法，其中所述第一应力层和所述第二应力层中的每一个包含氮化物材料。10.如权利要求7所述的方法，其中所述第一应力是张应力且所述第一晶体管是nFET；以及所述第二应力...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱慧珑，梁大源，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]