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本发明涉及应用自对准双应力层的ＣＭＯＳ结构和方法，具体地涉及一种ＣＭＯＳ结构及制造ＣＭＯＳ结构的方法，所述ＣＭＯＳ结构提供位于第一晶体管上的第一应力层和位于第二晶体管上的第二应力层。所述第一应力层和所述第二应力层毗邻而不交迭。在所述第一晶体...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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