集成电路及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种集成电路、包括集成电路的固体摄像器件以及它们的制造方法，该集成电路具有阈值电压、调制度的偏差小且调制度大的第２导电类型晶体管中具有阈值电压不同的晶体管的、增强型和耗尽型两种ＭＯＳ晶体管。本发明专利技术的集成电路包括：具有包含第１导电类型杂质的阱区的半导体衬底；和形成在上述阱区、且在栅电极之下具有沟道区的增强型ＭＯＳ晶体管及多个耗尽型ＭＯＳ晶体管；耗尽型ＭＯＳ晶体管的至少一个晶体管，在沟道区具有注入用于调整阈值电压的第２导电类型杂质的注入区域；注入区域具有第１导电类型杂质和第２导电类型杂质，第２导电类型杂质的浓度比第１导电类型杂质的浓度还高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种集成电路，特别是涉及一种包括阈值电压不同的多个耗尽型MOS晶体管的。
技术介绍
图7是表示常规的固体摄像器件的一部分的电路图。由光电二极管103、传输栅极104、复位晶体管105及放大晶体管106构成的感光单元101排列成矩阵状。在感光单元101中，在节点109连接有恒定电流源108以及由晶体管111、113和电容器112、114构成的噪声抑制电路102。噪声抑制电路102通过由水平驱动电路122控制的水平晶体管121连接到水平信号线124。上述电路是像素的代表性的电路，在复位晶体管105、水平晶体管121还有相对于电源电压的晶体管113、123这样的电位复位、电位传递等用途中，可使用阈值电压不同的MOS晶体管。这些MOS晶体管通常使用阈值电压为负的耗尽型晶体管。一直以来，通过将与掺入的杂质的导电类型相反的杂质导入增强型晶体管的沟道区来形成这种耗尽型晶体管。此外，已有一种针对多个晶体管将与第2导电类型的基板相反的导电类型(第1导电类型)的杂质导入沟道来控制阈值电压的方法(例如，参照日本特开2000-323587号公报)。在由阈值电压不同的多个MOS晶体管构成的C本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成电路，其特征在于，包括：具有包含第１导电类型杂质的阱区的半导体衬底；以及形成在上述阱区、且在栅电极之下具有沟道区的增强型ＭＯＳ晶体管及多个耗尽型ＭＯＳ晶体管；上述耗尽型ＭＯＳ晶体管的至少一个晶体管在上述沟道区具有为了调整阈值电压而注入第２导电类型杂质的注入区域，上述注入区域具有上述第１导电类型杂质和上述第２导电类型杂质，上述第２导电类型杂质的浓度比上述第１导电类型杂质的浓度还高。

【技术特征摘要】
JP 2005-12-6 352396/20051.一种集成电路，其特征在于，包括具有包含第1导电类型杂质的阱区的半导体衬底；以及形成在上述阱区、且在栅电极之下具有沟道区的增强型MOS晶体管及多个耗尽型MOS晶体管；上述耗尽型MOS晶体管的至少一个晶体管在上述沟道区具有为了调整阈值电压而注入第2导电类型杂质的注入区域，上述注入区域具有上述第1导电类型杂质和上述第2导电类型杂质，上述第2导电类型杂质的浓度比上述第1导电类型杂质的浓度还高。2.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，在上述沟道区内，具有在上述注入区域之下形成的第1导电类型的口袋注入区域；上述第2导电类型杂质被注入得比上述口袋注入区域还浅。3.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，上述多个耗尽型MOS晶体管中，存在阈值电压与其它不同的耗尽型MOS晶体管。4.一种固体摄像器件，包括权利要求1所述的集成电路。5.根据权利要求2所述的集成电路，其特征在于，注入到上述沟道区的第2导电类型杂质是磷。6.根据权利要求2所述的集成电路，其特征在于，注入到上述沟道区的第2导电类型杂质是砷。7.一种集成电路，其特征在于，包括具有包含第1导电类型杂质的阱区的半导体衬底；以及形成在上述阱区、且在栅电极之下具有沟道区的增强型MOS晶体管及多个耗尽型MOS晶体管；上述耗尽型MOS晶体管的至少一个晶体管，在上述沟道区具有为了调整阈值电压而注入第2导电类型杂质的注入区域、和在上述注入区域之下形成的第1导电类型的口袋注入区域，上述注入区域的第2导电类型杂质的浓度比上述第1导电类型杂质的浓度高；并且上述第2导电类型杂质被注入得比上述口袋注入区域还浅。8.根据权利要求7所...

【专利技术属性】
技术研发人员：濑户千夏，内田干也，三室研，金崎惠美，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[]