【技术实现步骤摘要】
本申请涉及集成电路及其制造方法，更具体，涉及非失性存储器件及形成非易失性存储器件的方法。
技术介绍
非易失性存储器件的一个分类包括电可擦写可编程只读存储器(EEPROM)，其可以在包括嵌入应用和大规模存储应用的许多应用中使用。在典型的嵌入应用中，EEPROM器件可以用于提供例如个人计算机和移动电话中的代码存储，其中需要快速的随机访问读取时间。典型的大规模存储应用包括需要高容量和低成本的存储卡应用。EEPROM器件的一个分类包括NAND型闪存，其可以提供对于其他形式的非易失性存储器件的低成本和高容量的替换。典型的NAND型闪存包括其中的多个NAND型行(string)，其并排设置在半导体衬底中。NAND型行的每个EEPROM单元包括浮置栅电极和控制栅电极，其电连接到各个字线。这些EEPROM单元可以是支持单或多级编程状态的单元。仅支持单个编程状态的EEPROM单元称为单级单元(SLC)。具体，SLC可支持擦除状态，其可以被处理为逻辑1存储值，以及编程状态，其可以被处理为逻辑0存储值。当擦除时，SLC可具有负的阈值电压(Vth)(例如，-3V＜Vth＜-1V)，以...
【技术保护点】
一种非易失性存储单元，包括：其中具有有源区的半导体衬底，其包括第一导电类型的源区和漏区以及在源区和漏区之间延伸的沟道区；沟道区上的隧道氧化物层；浮置栅电极，在所述隧道氧化物层上，所述浮置栅电极具有由多个部分限定的不对 称横断截面，所述多个部分包括横向横跨沟道区的整个宽度延伸的水平部分以及至少一个从水平部分的侧面向上延伸的垂直部分；控制栅电极，在所述浮置栅电极上；以及栅间介质层，在所述浮置栅电极和所述控制栅电极之间延伸。
【技术特征摘要】
KR 2005-9-2 10-2005-0081894;KR 2005-10-24 10-2005-1.一种非易失性存储单元，包括其中具有有源区的半导体衬底，其包括第一导电类型的源区和漏区以及在源区和漏区之间延伸的沟道区；沟道区上的隧道氧化物层；浮置栅电极，在所述隧道氧化物层上，所述浮置栅电极具有由多个部分限定的不对称横断截面，所述多个部分包括横向横跨沟道区的整个宽度延伸的水平部分以及至少一个从水平部分的侧面向上延伸的垂直部分；控制栅电极，在所述浮置栅电极上；以及栅间介质层，在所述浮置栅电极和所述控制栅电极之间延伸。2.如权利要求1的非易失性存储单元，其中所述浮置栅电极具有L形截面。3.如权利要求1的非易失性存储单元，其中水平部分和至少一个垂直部分共同地限定具有L形截面的部分所述浮置栅电极。4.一种非易失性存储阵列，包括半导体衬底；第一行非易失性存储单元，其中包括具有第一不对称横断截面的浮置栅电极；以及第二行非易失性存储单元，紧邻所述第一行非易失性存储单元延伸，所述第二行非易失性存储单元其中包括具有第二不对称横断截面的浮置栅电极，当相对于所述半导体衬底的法线旋转180°时，该第二不对称横断截面示为等同于第一不对称横断截面。5.如权利要求4的非易失性存储阵列，其中分别在所述第一和第二行非易失性存储单元中的第一和第二浮置栅电极位于与非易失性存储阵列相同的列中；以及其中彼此相对的第一和第二浮置栅电极的相对表面之间的重叠面积小于第一浮置栅电极的横断截面面积的大约75％。6.一种闪速EEPROM阵列，包括第一行EEPROM单元，其中具有第一浮置栅电极，该第一浮置栅电极包括至少一个水平部分和至少一个垂直部分，其共同限定朝向第一方向的第一浮置栅电极的第一L形部分；以及第二行EEPROM单元，其紧邻所述第一行EEPROM单元延伸，所述第二行EEPROM单元在其中具有第二浮置栅电极，该第二浮置栅...
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