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具有L形浮置栅电极的非易失性存储器件及其制造方法技术
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下载具有L形浮置栅电极的非易失性存储器件及其制造方法的技术资料
文档序号:3183228
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一种闪速EEPROM阵列,包括:其中具有第一浮置栅电极的第一行EEPROM单元,和在其中具有第二浮置栅电极的第二行EEPROM单元。该第一浮置栅电极包括至少一个水平部分和至少一个垂直部分,其共同限定朝向第一方向的第一浮置栅电极的第一L形部分...
该专利属于三星电子株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过三星电子株式会社授权不得商用。
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