具有半导体特性多阳离子氧化物通道的薄膜晶体管及制造方法技术

通过如下步骤制造薄膜晶体管（ＴＦＴ）（１０）：提供衬底（２０），沉积并图案化金属栅极（３０），将图案化的金属栅极阳极化以在金属栅极上形成栅极绝缘层（４０），在至少部分栅极绝缘层上沉积并图案化包括多阳离子氧化物的通道层（７０），以及沉积并图案化相互分离且均与通道层接触的导电源极（５０）和导电漏极（６０）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术一般地涉及薄膜晶体管及其制造方法。
技术介绍
与使用昂贵衬底(例如硅、电子级玻璃)的工艺相比，在低成本衬底材料(例如塑料)上形成电路将会大幅度降低成本。为了取得这样的低成本优势，需要用适于低成本衬底材料的工艺制造出高性能电子装置(例如晶体管)。一个获益于此高性能装置的应用的典型实施方案是显示器底板。通常，备选的廉价衬底材料(例如有机物和廉价玻璃)对温度也特别敏感。因此，高性能电子装置制造工艺中，一定不能使衬底材料受到高温。通常，理想的是处理温度不能超过大约100℃～大约300℃范围。廉价衬底材料通常可以在较低温度下使用。例如，可以在很低的温度下用各种有机半导体和绝缘体构造晶体管，在此温度下适宜使用低温廉价衬底材料。而且，有机半导体通常表现出很好的机械柔性，这在其与柔性衬底材料结合时很重要。然而，由于材料固有的局限性，有机半导体的迁移率通常很低(例如大约1cm2/V·S，或者甚至更低)，这就降低了其用于像显示器这样高性能、大面积装置的适用性。同样，低迁移率也限制了非晶硅的适用性。尽管有机薄膜晶体管(TFT’s)，在有些情况下，适合像素转换元件(如双稳态显示技术)，但通常它本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造薄膜晶体管（ＴＦＴ）的方法，包括以下步骤：ａ）提供衬底，ｂ）沉积并图案化适于阳极化的金属栅极，ｃ）将图案化的金属栅极阳极化，从而在金属栅极上形成栅极绝缘层，ｄ）在至少部分栅极绝缘层上沉积并图案化包括多 阳离子氧化物的通道层，以及ｅ）沉积并图案化导电源极和导电漏极，二者相互分离且设置成均与通道层接触。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2004-10-7 10/961,5071.一种制造薄膜晶体管(TFT)的方法，包括以下步骤a)提供衬底，b)沉积并图案化适于阳极化的金属栅极，c)将图案化的金属栅极阳极化，从而在金属栅极上形成栅极绝缘层，d)在至少部分栅极绝缘层上沉积并图案化包括多阳离子氧化物的通道层，以及e)沉积并图案化导电源极和导电漏极，二者相互分离且设置成均与通道层接触。2.一种薄膜晶体管，用权利要求1中的方法制造。3.权利要求1所述的方法，其中所提供的衬底含有聚酰亚胺。4.权利要求1所述的方法，其中多阳离子氧化物包括元素周期表中第11，12，13，14和15族中的两种或多种阳离子的混合氧化物。5.权利要求1所述的方法，其中多阳离子氧化物包括锌-铟氧化物。6.权利要求1所述的方法，其中，沉积并图案化适于阳极化的金属栅极的步骤b)包括沉积选自铝，钽，钛，钨及其合金的金属。7.权利要求1所述的方法，其中，沉积并图案化适于阳极化的金属栅极的步骤b)包括沉积铝。8.权利要求1所述的方法，其中，沉积并图案化导电源极和导电漏极的步骤e)包括沉积并图案化铟-锡氧化物(ITO)。9.一种制造薄膜晶体管(TFT)的方法，包括以下步骤a)提供柔性衬底，b)在柔性衬底上沉积适于阳极化的金属膜，并图案化金属栅极，c)将经图案化的金属栅极阳极化，从而在其上形成栅极绝缘层，d)任选的退火，e)沉积并图案化包括锌-铟氧化物的通道层，f)任选的退火，g)沉积并图案化包括铟-锡氧化物(ITO)的导电源极和导电漏极，和h)沉积并图案化分别与金属栅极、导电源极和导电漏极电耦合的导电接触垫。10.在衬底上形成的薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括a)设置在衬底上的金属栅极，b)通过将金属栅极阳极化形成的、覆盖金属栅极的栅极绝缘层，c)设置在至少部分栅极绝缘层上的包括多阳离子...

【专利技术属性】
技术研发人员：R霍夫曼，P马迪洛维奇，H姜，
申请(专利权)人：惠普开发有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]