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通过如下步骤制造薄膜晶体管（ＴＦＴ）（１０）：提供衬底（２０），沉积并图案化金属栅极（３０），将图案化的金属栅极阳极化以在金属栅极上形成栅极绝缘层（４０），在至少部分栅极绝缘层上沉积并图案化包括多阳离子氧化物的通道层（７０），以及沉积并图案...
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