硅整流器件的电泳法玻璃钝化工艺制造技术

本发明专利技术涉及一种硅整流器件的玻璃钝化工艺，特别涉及一种硅整流器件的电泳法玻璃钝化工艺，首先用混酸将经光刻后的扩散硅片腐蚀出ＰＮ结沟槽，然后将丙酮、玻璃粉、硝酸按比例混合，配制成电泳液。使用电泳装置，利用电泳法将玻璃粉均匀的沉积在硅ＰＮ结台面沟槽中，最后在温度８２０℃的纯氧气条件下，将电泳处理后硅片进行玻璃烧成。该工艺能有效地控制硅ＰＮ结沟槽玻璃钝化层厚度，使制成的器件的反向电性能稳定。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种硅整流器件的玻璃钝化工艺，特别涉及一种硅整流器件的电泳法玻璃钝化工艺。
技术介绍
当前，硅整流器件的芯片多采用玻璃钝化，而方法有几种，较为普遍的是刀刮法、光阻玻璃法等，其中刀刮法工艺相对简单，但由于是人工涂敷玻璃粉，玻璃钝化膜薄厚均匀性较难控制；而光阻玻璃法在进行钝化时引用光刻胶，受光刻胶材料纯度的影响，其产品稳定性不易控制，器件反向漏电流不稳定，可靠性差。
技术实现思路
鉴于以上技术上存在的不足，本专利技术提供一种硅整流器件的电泳法玻璃钝化工艺，其技术方案是该方法包括以下工艺步骤(1).将扩散后硅片在高温1120℃下分别通干氧、湿氧、干氧，进行氧化；(2).再将氧化后硅片进行涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜等光刻过程，做好光刻图形；(3).将硝酸、氢氟酸、乙酸按以下的比例配制成混酸腐蚀液硝酸30～65％氢氟酸15～30％乙酸10～45％然后将光刻后的硅片进行腐蚀，刻蚀出PN结沟槽；(4).配制电泳液将丙酮、玻璃粉、硝酸按照以下的比例配制成电泳液丙酮80～97％玻璃粉2～19％硝酸0.005～1％(5).将装有电泳液的石英方杯放置在电泳装置中，启动超声波进行超声15min，即可进行电泳；(6).将电泳后的硅片在温度为820℃的氧气氛围下进行玻璃烧成。本专利技术的特点是该工艺能有效地控制硅PN结沟槽玻璃钝化层厚度，使制成器件的反向电性能稳定。具体实施例方式下面根据具体实例描述本专利技术实施过程将扩散后硅片放在温度为1120℃的氧化炉中，在干氧、湿氧、干氧的气氛下生长保护膜，时间分别为干氧20min、湿氧60min、干氧20min，氧化膜厚度为8000埃——9000埃，将生长氧化膜的硅片进行光刻。将硝酸、氢氟酸、乙酸按以下的比例硝酸2500mL氢氟酸1000mL乙酸1500mL依次倒入腐蚀槽。将光刻后硅片放入混酸液中腐蚀出PN结台面，并超声清洗干净。将丙酮、玻璃粉(SiO2、PbO)、硝酸按照以下的比例配制成电泳液丙酮5100g玻璃粉840g硝酸60mg依次倒入石英杯中，配制成电泳液，超声15min。将腐蚀出沟槽的硅片装到电泳架上，将电泳架安到电泳装置上，并设定电泳时间为5min，进行电泳，使玻璃粉沉积到硅片沟槽中。电泳结束后，取出硅片，放到石英舟中。烧成炉的温度调到820℃，接通氧气，将放有电泳后硅片的石英舟放到烧成炉中，使玻璃粉熔融，时间为20min。本文档来自技高网...

【技术保护点】
本专利技术涉及一种硅整流器件的玻璃钝化工艺，该方法包括以下工艺步骤：（１）．将扩散后硅片在高温１１２０℃下分别通干氧、湿氧、干氧，生成氧化膜；（２）．再将氧化后硅片进行涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜等光刻过程，做好光刻图形；　 　（３）．将硝酸、氢氟酸、乙酸按以下比例配制成混酸腐蚀液：硝酸：３０～６５％氢氟酸：１５～３０％乙酸：１０～４５％然后将光刻后的硅片进行腐蚀，刻蚀出ＰＮ结沟槽，并去胶清洗；（４）．配制电泳 液：将丙酮、玻璃粉、硝酸按照以下比例配制成电泳液：丙酮：８０～９７％玻璃粉：２～１９％硝酸：０．００５～１％（５）．将装有电泳液的石英方杯放置在电泳装置中，启动超声波进行超声１５ｍｉｎ，即可进行电 泳；（６）．将电泳后的硅片在温度为８２０℃的氧气氛围下进行玻璃烧成。

【技术特征摘要】
1.本发明涉及一种硅整流器件的玻璃钝化工艺，该方法包括以下工艺步骤(1).将扩散后硅片在高温1120℃下分别通干氧、湿氧、干氧，生成氧化膜；(2).再将氧化后硅片进行涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜等光刻过程，做好光刻图形；(3).将硝酸、氢氟酸、乙酸按以下比例配制成混酸腐蚀液硝酸 30～65％氢氟酸15～30％乙酸 10～45％然...

【专利技术属性】
技术研发人员：王道强，孙志昌，初亚东，杜春倩，周皓，王晓捧，
申请(专利权)人：天津中环半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：12[中国|天津]