新型可控硅触发装置制造方法及图纸

一种新型可控硅触发装置。传统的可控硅触发电路的输入端用固定降压和限流，控制器电源电压变化是其触发电流也变化。一种新型可控硅触发装置，其组成为：可控硅触发信号端，可控硅触发信号端（10）连接电阻R1（9）和三极管Q1（8），电阻R1分别连接三极管Q1和二极管D1（6），三极管Q1连接电阻R2（7），二极管D1连接二极管D2（5），二极管D2连接分别连接电阻R2、电容C1（4）和过零触发光耦U2（3），电容C1接地，过零触发光耦U2通过导线连接过零触发光耦U1（2），过零触发光耦U1连接电源，过零触发光耦U2和过零触发光耦U1连接可控硅触发电路（1）。本实用新型专利技术申请应用于新型可控硅触发装置。

Novel thyristor triggering device

A new thyristor trigger device. The traditional thyristor trigger circuit uses fixed voltage drop and current limiting, and the change of the voltage of the controller is that the trigger current is changed. A new type of thyristor triggering device, which comprises: a thyristor trigger signal, SCR trigger signal terminal (10) R1 (9) is connected with the resistor and transistor Q1 (8), resistance R1 are respectively connected with a transistor Q1 and diode D1 (6), triode Q1 is connected with the resistance of R2 (7). The diode D1 is D2 diode (5), the diode D2 is respectively connected with a resistor R2 and a capacitor C1 (4) U2 coupling and zero crossing triggering light (3), the capacitor C1 is connected, zero crossing triggering light coupling U2 connected with the zero crossing triggering light coupling U1 (2), zero crossing triggering light coupling U1 connection power, zero trigger optocoupler U2 and zero crossing triggering light coupling U1 connected SCR trigger circuit (1). The utility model is applied to a new type of thyristor triggering device.

【技术实现步骤摘要】
新型可控硅触发装置
：本技术涉及一种电控领域，尤其涉及一种新型可控硅触发装置。
技术介绍
：目前常用的可控硅触发电路的输入端由于用固定降压和限流，当控制器电源电压发生变化是其触发电流也发生变化，若电压变低，有可能可控硅触发失败，若电压变高，则限流发热，控制器由于触发电路耗电增大导致电源电流增大，变压器发热，严重时导致控制器烧坏。
技术实现思路
：本技术的目的是提供一种新型可控硅触发装置。上述的目的通过以下的技术方案实现：一种新型可控硅触发装置，其组成包括：可控硅触发信号端，所述的可控硅触发信号端分别连接电阻R1和三极管Q1，所述的电阻R1分别连接三极管Q1和二极管D1，所述的三极管Q1连接电阻R2，所述的二极管D1连接二极管D2，所述的二极管D2连接分别连接电阻R2、电容C1和过零触发光耦U2，所述的电容C1接地，所述的过零触发光耦U2通过导线连接过零触发光耦U1，所述的过零触发光耦U1连接+12V电源，所述的过零触发光耦U2和所述的过零触发光耦U1连接可控硅触发电路。所述的新型可控硅触发装置，可控硅触发信号端经过电阻R1降压后,供给三极管Q1的b级使其导通，并通过二极管D1和二极管D2形成基本稳定的1.4V电压值，控制信号的主电流经三极管Q1的ce级和电阻R2输入到过零触发光耦U2中，当电流经过电阻R2产生的电压降超过0.7V时，三极管Q1的Vbe达不到保持导通的0.7V，于是三极管Q1关断；电阻R2选择合适阻值，使得流经过零触发光耦U1和过零触发光耦U2的电流能够保证其正常工作即可。本技术的有益效果：1.本技术的可控硅触发装置，为了解决电源电压变化引起的这种故障原因，在可控硅触发电路上增设了恒流电路，保证在外部电源电压变化幅度大的情况下触发电流基本稳定。本技术的可控硅触发装置，采用独有的恒流技术，保证了触发装置的电流稳定，有效的避免了因电流变化引起故障。本技术的可控硅触发装置，采用全新的过零检测技术，保证了触发装置过零点更准确，抗干扰能力更强。附图说明：附图1是本技术的结构示意图。图中：1—可控硅触发电路；2—过零触发光耦U1；3—过零触发光耦U2；4—电容C1；5—二极管D2；6—二极管D1；7—电阻R2；8—三极管Q1；9—电阻R1；10—可控硅触发信号端。具体实施方式：实施例1：一种新型可控硅触发装置，其组成包括：可控硅触发信号端，所述的可控硅触发信号端10分别连接电阻R1（序号为：9）和三极管Q1（序号为：8），所述的电阻R1分别连接三极管Q1和二极管D1（序号为：6），所述的三极管Q1连接电阻R2（序号为：7），所述的二极管D1连接二极管D2（序号为：5），所述的二极管D2连接分别连接电阻R2、电容C1（序号为：4）和过零触发光耦U2（序号为：3），所述的电容C1接地，所述的过零触发光耦U2通过导线连接过零触发光耦U1（序号为：2），所述的过零触发光耦U1连接+12V电源，所述的过零触发光耦U2和所述的过零触发光耦U1连接可控硅触发电路（序号为：1）。实施例2：根据实施例1所述的新型可控硅触发装置，可控硅触发信号端经过电阻R1降压后,供给三极管Q1的b级使其导通，并通过二极管D1和二极管D2形成基本稳定的1.4V电压值，控制信号的主电流经三极管Q1的ce级和电阻R2输入到过零触发光耦U2中，当电流经过电阻R2产生的电压降超过0.7V时，三极管Q1的Vbe达不到保持导通的0.7V，于是三极管Q1关断；电阻R2选择合适阻值，使得流经过零触发光耦U1和过零触发光耦U2的电流能够保证其正常工作即可。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种新型可控硅触发装置，其组成包括：可控硅触发信号端，其特征是：所述的可控硅触发信号端分别连接电阻R1和三极管Q1，所述的电阻R1分别连接三极管Q1和二极管D1，所述的三极管Q1连接电阻R2，所述的二极管D1连接二极管D2，所述的二极管D2连接分别连接电阻R2、电容C1和过零触发光耦U2，所述的电容C1接地，所述的过零触发光耦U2通过导线连接过零触发光耦U1，所述的过零触发光耦U1连接+12V电源，所述的过零触发光耦U2和所述的过零触发光耦U1连接可控硅触发电路。

【技术特征摘要】
1.一种新型可控硅触发装置，其组成包括：可控硅触发信号端，其特征是：所述的可控硅触发信号端分别连接电阻R1和三极管Q1，所述的电阻R1分别连接三极管Q1和二极管D1，所述的三极管Q1连接电阻R2，所述的二极管D1连接二极管D2，所述的二极管D2连接分别连接电阻R2、电容C1和过零触发光耦U2，所述的电容C1接地，所述的过零触发光耦U2通过导线连接过零触发光耦U1，所述的过零触发光耦U1连接+12V电源，所述的过零触发光耦U2和所述的过零触发光耦U1连接可控...

【专利技术属性】
技术研发人员：贲艳涛，
申请(专利权)人：贲艳涛，
类型：新型
国别省市：黑龙江,23