本实用新型专利技术专利公开的是用于检测高压可控硅触发导通延时时间的测试装置，采用此装置，可以检测出高压可控硅在门极施加触发信号的时候可控硅的导通延时时间，从而了解可控硅的导通特性，以及触发脉冲的给定是否能够使可控硅在正常的时间内导通。本装置是由可控硅门极触发信号导通电路、可控硅门极触发信号接收电路、可控硅导通信号发送电路、可控硅导通信号接收电路组成，可控硅门极触发信号导通电路和可控硅导通信号发送电路分别通过光纤将信号传给门极触发信号接收电路和可控硅导通信号接收电路，然后通过示波器，就可以观察到门极触发信号以及导通信号的波形。本装置结构简单，性能可靠，可以广泛用于高压可控硅应用企业和试验检测单位。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及的是一种测试装置，尤其涉及一种用于检测高压可控硅触发导通延时时间的测试装置。
技术介绍
可控硅是一种电流控制型的双极型半导体器件它要求门极驱动单元类似于一个电流源，能向可控硅的门极提供一个特别陡直的尖峰电流脉冲，以保证在任何时刻均能可靠触发可控硅。可控硅的门极触发脉冲特性对可控硅的额定值和特性参数有非常强烈的影响，在正常使用中常采用强触发方式，触发脉冲电流幅值IG大于或等于10IGT，脉冲上升时间lys，为了保证器件可靠工作，IG必须远大于IGT。但在实际应用中，许多用户触发脉冲电流幅值和脉冲上升时间远未能满足上述要求。尤其在电机软启动领域许多整机厂给出的触发脉冲非常临界，某些情况下竟无法让可控硅元件开通，在中频电源领域，逆变器件的触发脉冲一般陡度较差，使可控硅处在导通与非导通的临界状态，或虽已导通，但导通延迟时间很长。本专利公开的是用于检测高压可控硅触发导通延时时间的测试装置，采用此装置，可以检测出高压可控硅在门极施加触发信号的时候可控硅的导通延时时间，从而了解可控硅的导通特性，以及触发脉冲的给定是否能够使可控硅在正常的时间内导通。
技术实现思路
本技术专利公开一种检测高压可控硅触发导通延时时间的测试装置，用于比较可控硅触发脉冲与可控硅导通脉冲时电压波形的延时，然后通过示波器直观的进行显示。本技术的目的是这样实现的检测高压可控硅触发导通延时时间的测试装置是由可控硅门极触发信号导通电路、可控硅门极触发信号接收电路、可控硅导通信号发送电路、 可控硅导通信号接收电路组成，其特征是可控硅门极触发信号导通电路与可控硅门极触发信号接收电路电信号连接，可控硅导通信号发送电路与可控硅导通信号接收电路电信号连接。本装置采用LM393比较电路，当可控硅触发脉冲发送时比较电路开始工作，通过光纤发出脉冲信号，可控硅导通时比较电路也工作，通过光纤发出脉冲信号。再通过接收光纤将可控硅触发信号、导通信号进行对比，通过示波器可以看出两信号的延迟时间。附图说明图1为本技术的结构原理框图图2为可控硅门极触发信号导通电路的原理图图3为可控硅门极触发信号接收电路的原理图图4为可控硅导通信号发送电路的原理图图5为可控硅导通信号接收电路的原理图具体实施方式以下结合附图1-5具体对本技术做进一步的说明如图1所示为本技术的结构原理框图，本装置是由可控硅门极触发信号导通电路、可控硅门极触发信号接收电路、可控硅导通信号发送电路、可控硅导通信号接收电路组成，可控硅门极触发信号导通电路用光纤与可控硅门极触发信号接收电路连接，可控硅导通信号发送电路用光纤与可控硅导通信号接收电路连接。可控硅门极触发信号导通电路和可控硅导通信号发送电路分别通过光纤将信号传给门极触发信号接收电路和可控硅导通信号接收电路，然后通过示波器，就可以观察到门极触发信号以及导通信号的波形。如图2所示为可控硅门极触发信号导通电路的原理图，DIN接可控硅的门极，当有触发信号传送给可控硅时，光纤TX3会发出高脉冲，表明有触发信号来触发可控硅。如图3所示为可控硅门极触发信号接收电路的原理图，用来接收可控硅门极触发导通电路发送来的触发信号，并用示波器查看波形，可控硅门极触发导通电路发送的光信号被RXl接收后，经三极管Q4放大，用示波器探头检测REl端，即可得到触发脉冲波形。如图4所示为可控硅导通信号发送电路的原理图，RIN接可控硅阳极，当阳极电压大于零时，U3B发出高电平信号，导通光纤发送器TX4，当可控硅导通时，阳极电压变为零， U3B发出低电平信号，TX4不发送信号。如图5所示为可控硅导通信号接收电路，用来接收可控硅导通电路发送来的导通信号，并用示波器查看波形，可控硅导通电路发送的光信号被RX2接收后，经三极管Q5放大，用示波器探头检测RE2端，即可得到触发脉冲波形。本装置采用LM393比较电路，当可控硅门极触发脉冲信号发送时比较电路开始工作，通过光纤发出脉冲信号，可控硅导通时比较电路也工作，通过光纤发出脉冲信号。再通过接收光纤将可控硅触发信号、导通信号进行对比，通过示波器可以看出两信号的延迟时间。当可控硅门极未加触发信号时，在示波器上显示的触发信号和导通信号都是低电平；当可控硅门极施加触发信号时，示波器上显示的两信号都会变为高电平，但触发信号要比导通信号超前2-30微秒。通过比较，就可以看出可控硅的导通延迟时间以及触发系统的可靠性。本检测高压可控硅触发导通延时时间的测试装置，其结构简单，性能可靠，可以广泛用于高压可控硅应用企业和试验检测单位。权利要求1.检测高压可控硅触发导通延时时间的测试装置，是由可控硅门极触发信号导通电路、可控硅门极触发信号接收电路、可控硅导通信号发送电路、可控硅导通信号接收电路组成，其特征是可控硅门极触发信号导通电路与可控硅门极触发信号接收电路电信号连接， 可控硅导通信号发送电路与可控硅导通信号接收电路电信号连接。专利摘要本技术专利公开的是用于检测高压可控硅触发导通延时时间的测试装置，采用此装置，可以检测出高压可控硅在门极施加触发信号的时候可控硅的导通延时时间，从而了解可控硅的导通特性，以及触发脉冲的给定是否能够使可控硅在正常的时间内导通。本装置是由可控硅门极触发信号导通电路、可控硅门极触发信号接收电路、可控硅导通信号发送电路、可控硅导通信号接收电路组成，可控硅门极触发信号导通电路和可控硅导通信号发送电路分别通过光纤将信号传给门极触发信号接收电路和可控硅导通信号接收电路，然后通过示波器，就可以观察到门极触发信号以及导通信号的波形。本装置结构简单，性能可靠，可以广泛用于高压可控硅应用企业和试验检测单位。文档编号G01R31/26GK202171639SQ20112029047公开日2012年3月21日 申请日期2011年8月11日 优先权日2011年8月11日专利技术者何晓平, 刘志强, 刘洋, 李超 申请人:哈尔滨九洲电气股份有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李超，刘志强，何晓平，刘洋，
申请(专利权)人：哈尔滨九洲电气股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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