一种冲击波触发电路制造技术

本实用新型专利技术涉及一种冲击波触发电路，包括触发变压器、电源变压器、桥式整流器、可控硅、光电耦合器、电阻、电容、可控硅和二极管等，光电耦合器隔离触发信号和后级高压部分，触发脉冲信号通过光电耦合器控制可控硅导通，产生触发高压。与已有技术相比，本实用新型专利技术的有益效果在于：采用可控硅控制触发变压器，产生触发高压，触发脉冲稳定可靠，不漏发，不连发，电路简洁，触发稳定，用于体外冲击波碎石机。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种触发电路，尤其涉及一种冲击波触发电路。
技术介绍
现有冲击波触发电路一般采用电视机行输出高压包，输出电流小，容易漏触发；或者采用汽车点火器，产品体积较大，价格较高，使用受到限制，但也没有更好的解决方案。
技术实现思路
有鉴于此，本技术的目的是提供一种冲击波触发电路，以解决现有技术中的不足。为了达到上述目的，本技术的目的是通过下述技术方案实现的：一种冲击波触发电路，其中，包括触发变压器、电源变压器、桥式整流器、可控硅、光电耦合器、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第九电阻、熔断器、稳压二极管、第一二极管、第二二极管、第一发光二极管、第二发光二极管、第一电容、第二电容、第三电容和第四电容；所述电源变压器通过所述熔断器连接外部电压并将外部电压变压为低压部分和高压部分，所述桥式整流器和所述第一电容设于所述低压部分，所述第一二极管设于所述高压部分；所述第一发光二极管和所述第二电阻串接后再与所述第二电容并接，所述第一电阻设于所述第二电阻和所述第二电容之间，所述第一发光二极管、所述第二电阻、所述第二电容和所述第一电阻设于所述光电耦合器和外部触发信号之间；所述光电耦合器通过所述第五电阻接入所述低压部分，所述第五电阻、所述第四电容分别通过所述稳压二极管接地，所述光电耦合器通过所述第二二极管和所述第四电阻连接所述可控硅；所述第二发光二极管与所述第三电阻串联后分别与所述第六电阻、所述第七电阻并联后设于所述可控硅与所述高压部分之间，所述第三电容和所述第八电阻并联后设于所述高压部分与所述触发变压器之间。上述冲击波触发电路，其中，所述第一电容为电解电容。上述冲击波触发电路，其中，所述低压部分为12V，所述高压部分为420V。与已有技术相比，本技术的有益效果在于：采用可控硅控制触发变压器，产生触发高压，触发脉冲稳定可靠，不漏发，不连发，电路简洁，触发稳定，用于体外冲击波碎石机。附图说明构成本技术的一部分的附图用来提供对本技术的进一步理解，本技术的示意性实施例及其说明用于解释本技术，并不构成对本技术的不当限定。在附图中：图1示出了本技术冲击波触发电路的电路结构示意图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。需要说明的是，在不冲突的情况下，本技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。参考图1所示，本技术冲击波触发电路包括触发变压器B22、电源变压器B11、桥式整流器Z1、可控硅SCR1、光电耦合器Q1、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第八电阻R8、第九电阻R9、熔断器F10、稳压二极管DZ1、第一二极管D1、第二二极管D2、第一发光二极管Ld1、第二发光二极管Ld2、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3和第四电容C4。电源变压器B11通过熔断器F10连接外部电压220V并将外部电压变压为低压部分和高压部分，桥式整流器Z1和第一电容C1设于低压部分，第一二极管D1设于高压部分。第一发光二极管Ld1和第二电阻R2串接后再与第二电容C2并接，第一电阻R1设于第二电阻R2和第二电容C2之间，第一发光二极管Ld1、第二电阻R2、第二电容C2和第一电阻R1设于光电耦合器Q1和外部触发信号之间。光电耦合器Q1通过第五电阻R5接入低压部分，第五电阻R5、第四电容C4分别通
过稳压二极管DZ1接地，光电耦合器Q1通过第二二极管D2和第四电阻R4连接可控硅SCR1。第二发光二极管Ld2与第三电阻R3串联后分别与第六电阻R6、第七电阻R7并联后设于可控硅SCR1与高压部分之间，第三电容C3和第八电阻R8并联后设于高压部分与触发变压器B22之间，其中第三电阻R3的阻值为200K/2W。在本技术的优选实施例中，第一电容C1为电解电容，低压部分为12V，高压部分为420V，触发变压器B22输出触发高压，光电耦合器Q1隔离触发信号和后级高压部分，触发脉冲信号通过光电耦合器Q1控制可控硅SCR1导通，产生触发高压。整个电路安装在一块PCB板上。从上述实施例可以看出，本技术的优势在于：采用可控硅控制触发变压器，产生触发高压，触发脉冲稳定可靠，不漏发，不连发，电路简洁，触发稳定，用于体外冲击波碎石机。以上对本技术的具体实施例进行了详细描述，但本技术并不限制于以上描述的具体实施例，其只是作为范例。对于本领域技术人员而言，任何等同修改和替代也都在本技术的范畴之中。因此，在不脱离本技术的精神和范围下所作出的均等变换和修改，都应涵盖在本技术的范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种冲击波触发电路，其特征在于，包括触发变压器(B22)、电源变压器(B11)、桥式整流器(Z1)、可控硅(SCR1)、光电耦合器(Q1)、第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第四电阻(R4)、第五电阻(R5)、第六电阻(R6)、第七电阻(R7)、第八电阻(R8)、第九电阻(R9)、熔断器(F10)、稳压二极管(DZ1)、第一二极管(D1)、第二二极管(D2)、第一发光二极管(Ld1)、第二发光二极管(Ld2)、第一电容(C1)、第二电容(C2)、第三电容(C3)和第四电容(C4)；所述电源变压器(B11)通过所述熔断器(F10)连接外部电压并将外部电压变压为低压部分和高压部分，所述桥式整流器(Z1)和所述第一电容(C1)设于所述低压部分，所述第一二极管(D1)设于所述高压部分；所述第一发光二极管(Ld1)和所述第二电阻(R2)串接后再与所述第二电容(C2)并接，所述第一电阻(R1)设于所述第二电阻(R2)和所述第二电容(C2)之间，所述第一发光二极管(Ld1)、所述第二电阻(R2)、所述第二电容(C2)和所述第一电阻(R1)设于所述光电耦合器(Q1)和外部触发信号之间；所述光电耦合器(Q1)通过所述第五电阻(R5)接入所述低压部分，所述第五电阻(R5)、所述第四电容(C4)分别通过所述稳压二极管(DZ1)接地，所述光电耦合器(Q1)通过所述第二二极管(D2)和所述第四电阻(R4)连接所述可控硅(SCR1)；所述第二发光二极管(Ld2)与所述第三电阻(R3)串联后分别与所述第六电阻(R6)、所述第七电阻(R7)并联后设于所述可控硅(SCR1)与所述高压部分之间，所述第三电容(C3)和所述第八电阻(R8)并联后设于所述高压部分与所述触发变压器(B22)之间。...

【技术特征摘要】
1.一种冲击波触发电路，其特征在于，包括触发变压器(B22)、电源变压器(B11)、桥式整流器(Z1)、可控硅(SCR1)、光电耦合器(Q1)、第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第四电阻(R4)、第五电阻(R5)、第六电阻(R6)、第七电阻(R7)、第八电阻(R8)、第九电阻(R9)、熔断器(F10)、稳压二极管(DZ1)、第一二极管(D1)、第二二极管(D2)、第一发光二极管(Ld1)、第二发光二极管(Ld2)、第一电容(C1)、第二电容(C2)、第三电容(C3)和第四电容(C4)；所述电源变压器(B11)通过所述熔断器(F10)连接外部电压并将外部电压变压为低压部分和高压部分，所述桥式整流器(Z1)和所述第一电容(C1)设于所述低压部分，所述第一二极管(D1)设于所述高压部分；所述第一发光二极管(Ld1)和所述第二电阻(R2)串接后再与所述第二电容(C2)并接，所述第一电阻(R1)设于所述第二电阻(R2...

【专利技术属性】
技术研发人员：孔庆园，
申请(专利权)人：上海卡姆南洋医疗器械股份有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31