制造显示基底的方法技术

本发明专利技术公开了一种制造显示基底的方法，在该方法中，在形成有薄膜晶体管（ＴＦＴ）的基底上形成光致抗蚀剂层图案，在光致抗蚀剂层图案上形成透明导电层。然后，在部分去除光致抗蚀剂层图案的同时，通过剥离方法将透明导电层图案化，从而形成透明导电层图案。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。更具体地讲，本专利技术涉及一种工 艺步骤数减少的。
技术介绍
通常，显示图像的显示设备包括基底。在基底中限定在其上显示图像的 多个像素区。薄膜晶体管(TFT)和像素电极设置在每个像素区中。通过在基底 上形成导电层，然后将该导电层图案化来形成TFT和像素电极。在基底上的TFT的上部和像素电极的下部形成多层绝缘层。将多层绝缘 层的部分图案化。因此，当制造用于显示设备的基底时，对导电层和绝缘层 执行多步图案化工艺。当将导电层和绝缘层图案化时，执行包括曝光和显影 工艺的光刻工艺。通常，对要被图案化的每层单独执行光刻工艺。随着要被 图案化的层的数量增多，整个工艺的长度和整个工艺的成本增加。
技术实现思路
本专利技术提供了 一种能够减少制造工艺长度和制造工艺成本的制造显示基 底的方法。本专利技术的另外的特征将在随后的描述中进行阐明，部分通过描述将是清 楚的，或者可通过实践本专利技术而了解。本专利技术公开了 一种如下所提供的。在划分为第一区 域、第二区域和第三区域的基底上形成栅电极，在所述栅电极上形成半导体 层图案，从而在平面图中所述半导体层图案与所述栅电极部分地叠置。在所 述半导体层图案上形成相互分隔开的源电极和漏电极，在所述源电极和所述漏电极上形成第一光致抗蚀剂层，以覆盖所述基底的整个表面。在所述第一 光致抗蚀剂层上设置第二光致抗蚀剂层，并将所述第 一光致抗蚀剂层和所述 第二光致抗蚀剂层图案化，从而形成第一光致抗蚀剂层图案，使得在所述第 一区域中剩余第 一光致抗蚀剂层和第二光致抗蚀剂层，在所述第二区域中剩 余第一光致抗蚀剂层，并在所述第三区域中暴露所述漏电极。在所述第一光 致抗蚀剂层图案上形成透明导电层，以覆盖所述基底的整个表面。在去除与 所述第 一 区域对应的第二光致抗蚀剂层的同时去除所述第 一 区域的透明导电 层，从而形成透明导电层图案。本专利技术还公开了 一种，所述方法包括在划分为第一 区域、第二区域和第三区域的基底上形成栅电极。在所述栅电极上形成半导 体层图案，从而在平面图中所述半导体层图案与所述栅电极部分地叠置。在 所述半导体层图案上形成相互分隔开的源电极和漏电极。在所述源电极和所 述漏电极上形成光致抗蚀剂层，以覆盖所述基底的整个表面，并将所述光致 抗蚀剂层图案化，从而形成在所述第 一 区域中具有第 一厚度且在所述第二区 域中具有第二厚度的光致抗蚀剂层图案，并且在所述第三区域中暴露所述漏 电极，其中，所述第二厚度小于所述第一厚度。在所述光致抗蚀剂层图案上 形成透明导电层，以覆盖所述基底的整个表面。在所述第一区域中去除所述 光致抗蚀剂层图案的厚度与所述第 一厚度与所述第二厚度之差对应的部分的 同时，去除所述第一区域的透明导电层，从而形成透明导电层图案。要理解的是，前面的大概描述和以下的详细描述均是示例性的和说明性 的，并意图提供对所保护的本专利技术的进一步的解释。附图说明附图示出了本专利技术的实施例，并与描述一起用来解释本专利技术的原理，包 括的附图用来提供对本专利技术的进一步的理解，并且附图包括在该说明书中并 构成该说明书的一部分。图1A、图2A、图3A、图4A、图5A、图6A和图7A是示出了根据本 专利技术示例性实施例的的平面图。图1B、图2B、图3B、图4B、图5B、图6B和图7B分别是沿着图1A、 图2A、图3A、图4A、图5A、图6A和图7A中的I-I'线截取的剖视图。图8A、图9A、图IOA、图IIA、图12A和图13A是示出了根据本专利技术另一示例性实施例的的平面图。图8B、图9B、图IOB、图IIB、图12B和图13B分别是沿着图8A、图 9A、图IOA、图IIA、图12A和图13A中的II-n'线截取的剖视图。图14A、图15A、图16A和图17A是示出了才艮据本专利技术另一示例性实施 例的的平面图。图14B、图15B、图16B和图17B分别是沿着图14A、图15A、图16A和图17A中的in-m'线截取的剖视图。显示器(LCD)的剖视图。具体实施方式在下文中，参照附图来更充分地说明本专利技术，在附图中示出了本专利技术的 实施例。然而，本专利技术可以以许多不同的形式来实施，而不应该被解释为局 限于在这里阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开是彻底的，并 将本专利技术的范围充分地传达给本领域的技术人员。在附图中，为了清晰起见， 夸大了层和区域的尺寸和相对尺寸。在附图中，相同的标号表示相同的元件。应该理解，当元件或层被称作在另一元件或层上，，或者连接到，，另 一元件或层时，该元件或层可直接在另 一元件或层上或者直接连接到另 一元 件或层，或者可存在中间元件或中间层。相反，当元件或层被称作直接在 另一元件或层上或者直接连接到另一元件或层时，不存在中间元件 或中间层。图1A、图2A、图3A、图4A、图5A、图6A和图7A是示出了根据本 专利技术示例性实施例的的平面图。图1B、图2B、图3B、 图4B、图5B、图6B和图7B分别是沿着图1A、图2A、图3A、图4A、图 5A、图6A和图7A中的I-I'线截取的剖视图。由于在显示基底中限定多个像 素区并且所述多个像素区具有相同的结构，所以以下描述将集中在一个像素 区。参照图1A和图1B，在基底100上形成栅极导电层。基底100是可包含 玻璃或塑料的透明绝缘基底。可通过溅射方法来沉积金属而形成栅极导电层。 该金属可包括铝系金属(例如，铝(A1)和铝合金)、银系金属(例如，银(Ag)和银 合金)、铜系金属(例如，铜(Cu)和铜合金)、钼系金属(例如，钼(Mo)和钼合金)、铬(Cr)、钽(Ta)和/或钛(Ti)。栅极导电层可以是包括物理特性不同的多层金属 层的多层结构。将栅极导电层图案化，以形成栅极线110和栅电极111。可通过在栅极 导电层上形成蚀刻掩模，然后按照该蚀刻掩模蚀刻栅极导电层来执行图案化 步骤。为了形成用于栅极导电层的蚀刻掩模，用光致抗蚀剂层涂覆栅极导电 层，以执行曝光和显影。在曝光期间使用第一光掩模。参照图2A和图2B，在栅电极111上形成栅极绝缘层120和半导体层。 可通过等离子体化学气相沉积方法利用氮化硅形成栅极绝缘层120，用来覆 盖基底100的整个表面。可通过等离子体化学气相沉积方法利用非晶硅形成 半导体层，用来覆盖基底100的整个表面。将半导体层图案化，以形成初步(preliminary)半导体层图案130a。以双层 的形式制备初步半导体层图案130a，所述双层包括初步有源层图案131a和初 步有源层图案131a上的初步欧姆接触层图案132a。初步欧姆4妻触层图案132a 包含杂质离子。可通过在半导体层上形成蚀刻掩模，然后按照该蚀刻掩模蚀 刻半导体层来执行图案化步骤。为了形成用于半导体层的蚀刻掩模，在用光致抗蚀剂层涂覆半导体层之后，执行曝光和显影。在曝光期间可使用第二光掩模。参照图3A和图3B,在初步半导体层图案130a上形成数据导电层。数 据导电层可以是包含金属的多层结构或单层结构，所述金属例如是关于栅极 导电层所讨论的那些金属。将数据导电层图案化，以形成数据线140、源电极141和漏电极142。可 通过在数据导电层上形成蚀刻掩模，然后按照该蚀刻掩模蚀刻数据导电层来 执行图案化步骤。为了形成用于数据导电层的蚀刻掩模，在用光致抗蚀剂层 涂覆数据导电层之后，执行曝光和本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造显示基底的方法，所述方法包括的步骤为：　　　　在划分为第一区域、第二区域和第三区域的基底上形成栅电极；　　　　在所述栅电极上形成半导体层图案，从而在平面图中所述半导体层图案与所述栅电极部分地叠置；　　　　在所述半导体层图案上形成相互分隔开的源电极和漏电极；　　　　在所述源电极和所述漏电极上形成第一光致抗蚀剂层，以覆盖所述基底的整个表面；　　　　在所述第一光致抗蚀剂层上形成第二光致抗蚀剂层；　　　　将所述第一光致抗蚀剂层和所述第二光致抗蚀剂层图案化，从而形成第一光致抗蚀剂层图案，使得在所述第一区域中剩余第一光致抗蚀剂层和第二光致抗蚀剂层，在所述第二区域中剩余第一光致抗蚀剂层，并在所述第三区域中去除第一光致抗蚀剂层和第二光致抗蚀剂层；　　　　形成透明导电层，以覆盖所述基底的整个表面；　　　　在去除与所述第一区域对应的第二光致抗蚀剂层的同时去除所述第一区域的透明导电层，从而形成透明导电层图案。

【技术特征摘要】
KR 2006-8-24 10-2006-00806991、一种制造显示基底的方法，所述方法包括的步骤为在划分为第一区域、第二区域和第三区域的基底上形成栅电极；在所述栅电极上形成半导体层图案，从而在平面图中所述半导体层图案与所述栅电极部分地叠置；在所述半导体层图案上形成相互分隔开的源电极和漏电极；在所述源电极和所述漏电极上形成第一光致抗蚀剂层，以覆盖所述基底的整个表面；在所述第一光致抗蚀剂层上形成第二光致抗蚀剂层；将所述第一光致抗蚀剂层和所述第二光致抗蚀剂层图案化，从而形成第一光致抗蚀剂层图案，使得在所述第一区域中剩余第一光致抗蚀剂层和第二光致抗蚀剂层，在所述第二区域中剩余第一光致抗蚀剂层，并在所述第三区域中去除第一光致抗蚀剂层和第二光致抗蚀剂层；形成透明导电层，以覆盖所述基底的整个表面；在去除与所述第一区域对应的第二光致抗蚀剂层的同时去除所述第一区域的透明导电层，从而形成透明导电层图案。2、 如权利要求l所述的方法，其中，所述第一区域对应于限定在所述基 底中的像素区之间的边界，所述第二区域对应于所述像素区。3、 如权利要求1所述的方法，还包括在将所述第一光致抗蚀剂层和所述 第二光致抗蚀剂层图案化之后，对所述第一光致抗蚀剂层图案进行热处理。4、 如权利要求l所述的方法，其中，物理地或化学地去除剩余在所述第 一区域中的第二光致抗蚀剂层。5、 如权利要求l所述的方法，其中，通过物理构件去除在所述第一区域 中剩余的第二光致抗蚀剂层，所述物理构件以与所述第二光致抗蚀剂层的侧 表面对应的高度移动。6、 如权利要求5所述的方法，其中，所述物理构件包括用于清洁所述基 底的刷子。7、 如权利要求1所述的方法，在剩余在所述第一区域中的第二光致抗蚀 剂层的下部形成底切。8、 如权利要求7所述的方法，所述透明导电层包括在形成有所述底切的区域中的间隙。9、 如权利要求1所述的方法，其中，所述第一光致抗蚀剂层包括有机层。10、 如权利要求9所述的方法，其中，所述第一光致抗蚀剂层具有大约4pm至大约5)Lim的厚度，所述第二光致抗蚀剂层具有大约0.5nm至大约1.5iim的厚度。11、 如权利要求IO所述的方法，还包括在所述源电极和所述漏电极与所 述第 一光致抗蚀剂层之间形成无机保护层。12、 如权利要求11所述的方法，还包括利用所述第一光致抗蚀剂层图案 作为蚀刻掩模来蚀刻所述无机保护层，从而在所述第三区域中暴露所述漏电 极。13、 如权利要求l所述的方法，其中，将所述第一光致抗蚀剂层和所述 第二光致抗蚀剂层图...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐珍淑，金圣万，李奉俊，安炳宰，李种赫，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[]