具应力再分布层的集成电路系统技术方案

一种制造集成电路系统的方法，包含：提供具有晶体管与金属化层的基板；形成与所述基板的所述金属化层直接接触的金属垫；形成与所述金属垫直接接触以及覆盖所述基板的钝化层；在所述钝化层上方，形成与所述金属垫直接接触的路由追踪，并且所述路由追踪实质大于所述金属垫，以及所述路由追踪并未通过后续层而电性绝缘；以及形成凸块，以所述路由追踪连接至所述金属垫。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于集成电路系统，特别是关于在集成电路系统中使用应力再分布层的系统。
技术介绍
可携式电子装置例如移动电话、笔记本电脑与PDA的快速成长市场是现代生活不可或缺。许多便携设备表示下一世代集成电路系统最大的潜在市场之一。这些装置具有显着影响制造集成的独特属性，它们通常必须很小、很轻并且多功能，以及它必须是以相对低成本而大量制造。随着半导体产业的延伸，电子产业已经见证前所未见的商业竞争压力，以及客户期待增加与市场上有意义的产品分化机会降低。在发展下一世代产品蓝图中，集成电路、材料工程与发展是下一世代电子插入策略的核心。未来的电子系统会更具智能、具有更高的密度、使用较低功率、操作速度更快，并且以低于今日的成本而可包含混合的技术装置与组合结构。目前供应者奋斗于提供高速计算器装置，预计在不久的将来超过太赫兹(THz)。目前的技术、材料、设备与结构提供对于这些新装置基本组合的挑战，而尚未适当针对冷却与信赖度而考虑。下一阶段互连组合的技术能力框架仍未知，尚未有已辨识的明确成本效应技术。 在下一世代装置的表现需求之外，产业现正需要成本为主要产品区分以符合利润目标。因此，蓝图是使电子装置成为精准、超威小形成因子，这需要自动化以达成可接受的良率。这些挑战不仅需要制造自动化，也需要数据流与信息的自动化至产品管理者与客户。已经有许多方法针对微处理器与具有连续世代半导体的可携式电子装置的进阶需求。许多产业准则识别目前半导体能力与可获得支持电子技术之间的缺口。目前技术的限制与议题包含增加计时速度、EMI辐射、热负载、第二层组装信赖度压力与成本。当这些封装系统随着变化的环境需求发展至合并更多组件时，压缩技术范围的压力成为更具挑战。更重要的是，随着持续增加的复杂性，在制造过程中，错误的潜在风险增加。根据持续增加的商业竞争压力，随着增加的客户期待与市场上有意义的产品分化机会降低，关键在于找到这些问题的解答。此外，降低成本、降低生产时间、改善效率与效能以及符合竞争压力的需求更增加找到这些问题的答案的急迫性。因此，需要更小的足迹与更强大封装与制造方法。长期寻求这些问题的解答，但是先前发展并未教导或是建议任何解答，并且这些问题的解答难倒熟知此技艺的人士。
技术实现思路
本专利技术提供制造集成电路系统的方法，包含提供具有晶体管与金属化层的基板；形成金属垫与所述基板的所述金属化层直接接触；形成钝化层与所述金属垫直接接触并且覆盖所述基板；在所述钝化层上形成路由追踪与所述金属垫直接接触，并且所述路由追踪实质大于所述金属垫以及所述路由追踪并未通过后续层而电性绝缘；以及形成凸块以所述路由追踪连接至所述金属垫。本专利技术提供集成电路系统，包含具有晶体管与金属化层的基板；与所述基板的所述金属化层直接接触的金属垫；与所述金属电直接接触且覆盖所述基板的钝化层；在所述钝化层上与所述金属垫直接接触的路由追踪，并且所述路由追踪是实质大于所述金属垫，以及所述路由追踪并未通过后续层而电性绝缘；以及以路由追踪而直接连接至所述金属垫的凸块。除了上述之外，本专利技术的一些实施力具有其他步骤与组件。熟知此技艺的人士参考附随图式与后续详细说明后，可知所述步骤与组件是明显的。附图说明图1是本专利技术实施例中集成电路系统的俯视图。图2是图1集成电路系统沿着线2-2的横切面图示。图3A是图2的集成电路系统的制造晶圆提供相。图;3B是图3A集成电路系统的放大区域。图3C是图;3B的集成电路系统在制造的深次收集器植入势垒蚀刻相的图示。图3D是图;3B的集成电路系统在制造的深次收集器植入相之后的图示。图3E是图;3B的集成电路系统在制造的高温退火相之后的图示。图3F是图;3B的集成电路系统在制造的植入势垒成长相之后的图示。图3G是图;3B的集成电路系统在制造的植入势垒成长相之后的图示。图;3H是图;3B的集成电路系统在制造的植入相之后的图示。图31是图;3B的集成电路系统在制造的栅极介电蚀刻相之后的图示。图3J是图;3B的集成电路系统在制造的栅极沉积相之后的图示。图;3K是图;3Β的集成电路系统在制造的源极与汲极蚀刻形成相之后的图示。图3L是图;3Β的集成电路系统在制造的源极与汲极沉积相之后的图示。图3Μ是图;3Β的集成电路系统在制造的聚合物处理相之后的图示。图3Ν是图;3Β的集成电路系统在制造的路由层蚀刻相之后的图示。图30是图;3Β的集成电路系统在制造的金属沉积相之后的图示。图3Ρ是图;3Β的集成电路系统在制造的回流相之后的图示。图4是本专利技术另一实施例中集成电路封装系统的横切面图示。图5是本专利技术另一实施例中集成电路封装系统的横切面图示。图6是本专利技术另一实施例中图1的集成电路系统制造方法的流程图。主要组件符号说明集成电路系统100遮蔽层102金属垫104路由追踪106凸块108 柱脚部202 肩部204下凸块金属化部206 半球形表面208 基板210 晶体管组件212 金属化层214 侧壁216 晶圆302 势垒304 光阻306 通孔308深次收集器槽310 势垒321 势垒312 部分314 晶体管槽316 延伸318 栅介电320 栅沟渠322 栅极32栅极金属层326 插头328 残余层330 栅极324 金化层追踪332 金属化层绝缘体334 钝化层3；35 通孔336 钝化层338 集成电路系统400 基板402 晶体管组件404 金属化层406 金属垫408 钝化层410 路由追踪412 坚固层414柱脚部418焊料部420凸块416球形表面422集成电路系统500基板502晶体管组件504金属化层506金属垫508钝化层510路由追踪512坚固层514柱脚部518焊料球516凸块51具体实施例方式以下的实施例详细说明使得熟知此技艺之人士能制造并使用本专利技术。可理解其他的实施例是基于本专利技术的揭露内容，以及可在不脱离本专利技术范围而进行系统、工艺或机械改变。在以下的说明中，许多特定的细节是用以提供完全了解本专利技术。然而，可明白本专利技术的实施可不需要这些特定细节。为了避免混淆本专利技术，一些已知的电路、系统架构与工艺步骤不再详细揭露。本专利技术实施例的图示是半图示而不是照比例，特别是一些尺寸是用以清楚呈现而在图式中夸大显示。同样地，虽然作为说明的图式显示相同位向，但在图式中的描述大部分是多变的。通常，本专利技术可在任何位向中操作。除此之外，当揭露多个实施例，且具有一些共同特征时，为了清楚与简单说明、描述与理解，彼此相同与相似的特征是以相同的组件符号表示。实施例标注为第一、第二等实施例是作为描述方便，并非具有任何其他意义或是限制本专利技术。为了说明目的，本案所使用的“水平”一词是定义为与平面或是基板表面平行的平面，无关于它的位向。“垂直”一词是指垂直于如上所定义的水平的方向。“上方”、“下方”、 “底部”、“顶部”、“侧”(“侧壁”)、“更高”、“更低”、“更上”、“上方”与“之下”用词定义是相对于水平平面，如图所示。“上”一词是指组件之间直接接触。本案中“处理” 一词包含在形成所述结构中所需要的材料或是光阻沉积、图案化、 曝光、显影、蚀刻、清洗与/或材料或光阻的移除。参阅图1，显示本专利技术实施例中集成电路系统100的俯视图。所显示的集成电路系统100具有遮蔽层102环绕金属垫104。遮蔽层102可为热固本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种用于制造集成电路系统的方法，包括：提供具有晶体管与金属化层的基板；形成与所述基板的所述金属化层直接接触的金属垫；形成与所述金属垫直接接触以及覆盖所述基板的钝化层；在所述钝化层上方，形成与所述金属垫直接接触的路由追踪，并且所述路由追踪实质大于所述金属垫，以及所述路由追踪并未通过后续层而电性绝缘；以及形成凸块，以所述路由追踪连接至所述金属垫。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：R·D·彭德斯，欧阳坚，M·乔希，
申请(专利权)人：星科金朋有限公司，星科金朋上海有限公司，
类型：发明
国别省市：SG