【技术实现步骤摘要】
-种基于应力分布的电子收集器实现方法
本专利技术涉及半导体
,特别是关于一种基于应力分布的电子收集器实现方 法。
技术介绍
目前,通过变换光学原理实现对场的操控成为电磁波、声波、热场、电场、磁场等领 域的热口。 通过PN结结构实现电子和空穴的分离是过去几十年来非常重要的专利技术。作为电 子学、光电子学、光伏器件,PN结在现代信息科技和能源技术中扮演着极其重要的角色。通 常来说,PN结是通过两种不同性质的半导体材料(即P型半导体和N型半导体)的接触来 产生内建电场,从而对电子和空穴实现两个相反方向的作用力,最终实现电子和空穴的分 离。然而,PN结并非能够在所有的半导体材料中实现,另外,通过PN结实现电子空穴的分 离也有一些缺点,比如在有限的空间内积累载流子导致整流效应的延迟,即整流的高频截 止效应。
技术实现思路
针对上述问题,本专利技术的目的是提供一种能够避免高频截止效应的基于应力分布 的电子收集器实现方法。 为实现上述目的,本专利技术采取W下技术方案;一种基于应力分布的电子收集器实 现方法,其特征在于包括W下内容:1)根据半导体材料光生载流子寿命及扩散距离,确定 电子收集区域,具体过程为;1. 1)采用半导体材料制作一基底,根据半导体材料光生载流 子寿命及扩散距离,在基底上设置一环形电子收集区域,并将环形电子收集区域间隔分割 成若干扇形区域;1. 2)将所有扇形区域分别定义为A扇形区域和B扇形区域相间分布,环 形电子收集区域W外的区域定义为C区域;2)根据收集效果,采用光学变换原理设定H个 电子迁移 ...
【技术保护点】
一种基于应力分布的电子收集器实现方法,其特征在于包括以下内容:1)根据半导体材料光生载流子寿命及扩散距离,确定电子收集区域,具体过程为:1.1)采用半导体材料制作一基底,根据半导体材料光生载流子寿命及扩散距离,在基底上设置一环形电子收集区域,并将环形电子收集区域间隔分割成若干扇形区域;1.2)将所有扇形区域分别定义为A扇形区域和B扇形区域相间分布,环形电子收集区域以外的区域定义为C区域;2)根据收集效果,采用光学变换原理设定三个电子迁移率值,其中,三个电子迁移率值分别为环形电子收集区域周围的电子迁移率μ0,环形电子收集区域的径向电子迁移率μr以及环形电子收集区域的环向电子迁移率μθ;3)根据设定的环形电子收集区域的径向电子迁移率ur和环向电子迁移率uθ分别得到A扇形区域和B扇形区域所对应的电子迁移率分布;4)根据计算得到的A扇形区域和B扇形区域的电子迁移率分布,通过半导体的迁移率大小和应力大小的关系,计算得到环形电子收集区域的A扇形区域和B扇形区域的应力分布;5)根据环形电子收集区域周围的电子迁移率μ0,通过半导体的迁移率大小和应力大小的关系,计算得到C区域的应力分布;6)根据求解得到 ...
【技术特征摘要】
1. 一种基于应力分布的电子收集器实现方法,其特征在于包括以下内容: 1) 根据半导体材料光生载流子寿命及扩散距离,确定电子收集区域,具体过程为: 1. 1)采用半导体材料制作一基底,根据半导体材料光生载流子寿命及扩散距离,在基 底上设置一环形电子收集区域,并将环形电子收集区域间隔分割成若干扇形区域; 1. 2)将所有扇形区域分别定义为A扇形区域和B扇形区域相间分布,环形电子收集区 域以外的区域定义为C区域; 2) 根据收集效果,采用光学变换原理设定三个电子迁移率值,其中,三个电子迁移率值 分别为环形电子收集区域周围的电子迁移率μ环形电子收集区域的径向电子迁移率 以及环形电子收集区域的环向电子迁移率μe ; 3) 根据设定的环形电子收集区域的径向电子迁移率和环向电子迁移率ue分别得到 A扇形区域和B扇形区域所对应的电子迁移率分布; 4) 根据计算得到的A扇形区域和B扇形区域的电子迁移率分布,通过半导体的迁移率 大小和应力大小的关系,计算得到环形电子收集区域的A扇形区域和B扇形区域的应力分 布; 5) 根据环形电子收集区域周围的电子迁移率Utl,通过半...
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