半导体光检测元件制造技术

一种半导体光检测元件(SP)，包括：硅基板(21)，其由第1导电类型的半导体构成，具有彼此相对的第1主面(21a)及第2主面(21b)，并且在第1主面(21a)侧形成有第2导电类型的半导体层(23)；以及电荷传输电极(25)，其设置于第1主面(21a)上，且传输所产生的电荷。在硅基板(21)上，在第2主面(21b)侧形成有具有比硅基板(21)更高的杂质浓度的第1导电类型的累积层(31)，并且在第2主面(21b)上的至少与半导体区域(23)相对的区域形成有不规则的凹凸(10)。硅基板(21)的第2主面(21b)的形成有不规则的凹凸(10)的区域光学性地露出。

【技术实现步骤摘要】
半导体光检测元件 本申请是申请日为2010年2月9日、申请号为201080008816. 9、专利技术名称为半导 体光检测元件的专利申请的分案申请。
本专利技术涉及一种半导体光检测元件。
技术介绍
作为在近红外的频带中具有高光谱灵敏度特性的光电二极管，已知有使用化合物 半导体的光电二极管（例如参照专利文献1)。在专利文献1所记载的光电二极管中包括： 第1受光层，其由InGaAsN、InGaAsNSb、及InGaAsNP中的任一者构成；以及第2受光层，其 具有波长比第1受光层的吸收端更长的吸收端，且由量子阱的构造构成。 先行技术文献 专利文献 专利文献1 :日本特开2008-153311号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的问题 然而，如上所述的使用化合物半导体的光电二极管仍然很昂贵，制造步骤也复杂。 因此，谋求廉价、易于制造且在近红外的频带中具有充分的光谱灵敏度的硅光电二极管的 实用化。对于硅光电二极管而言，一般其光谱灵敏度特性在长波长侧的极限为ll〇〇nm左 右，但lOOOnm以上的波长带中的光谱灵敏度特性不充分。 本专利本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体光检测元件，其特征在于，包括：硅基板，其由第1导电类型的半导体构成，具有彼此相对的第1主面及第2主面，并且在所述第1主面侧形成有第2导电类型的半导体区域；以及传输电极部，设置于所述硅基板的所述第1主面上，且传输所产生的电荷；在所述硅基板上，在所述第2主面侧形成有具有比所述硅基板更高的杂质浓度的第1导电类型的累积层，并且在所述第2主面上的至少与第2导电类型的所述半导体区域相对的区域形成有不规则的凹凸，所述硅基板的所述第2主面上的形成有不规则的所述凹凸的区域光学性地露出，所述半导体光检测元件是表面入射型，所述第1主面被作为光入射面，从所述第1主面入射的光在所述硅基板内行进，所述第1主面与...

【技术特征摘要】
2009.02.24 JP 2009-041078;2009.06.05 JP 2009-136401. 一种半导体光检测元件，其特征在于， 包括： 硅基板，其由第1导电类型的半导体构成，具有彼此相对的第1主面及第2主面，并且 在所述第1主面侧形成有第2导电类型的半导体区域；以及 传输电极部，设置于所述硅基板的所述第1主面上，且传输所产生的电荷； 在所述硅基板上，在所述第2主面侧形成有具有比所述硅基板更高的杂质浓度的第1 导电类型的累积层，并且在所述第2主面上的至少与第2导电类型的所述半导体区域相对 的区域形成有不规则的凹凸， 所述硅基板的所述第2主面上的形成有不规则的所述凹凸的区域光学性地露出， 所述半导体光检测元件是表面入射型，所述第1主面被作为光入射面，从所述第1主面 入射的光在所述硅基板内行进，所述第1主面与在至少与第2导电类型的所述半导体区域 相对的所述区域形成有不规则的所述凹凸的所述第2主面相对。2. 如权利要求1所述的半导体光检测元件，其特征在于， 在与第2导电类型的所述半导体区域相对的所述区域中的一部分的区域中，形成有不 规则的所述凹凸。3. 如权利要求1或2所述的半导体光检测元件，其特征在于， 保留所述硅基板中的对应于第2导电类型的所述半导体区域的部分的周边部分而从 所述第2主面侧起使该部分变薄。4. 如权利要求1?3中任一项所述的半导体光检测元件，其特征在于， 第1导电类型的所述累积层的厚度大于不规则...

【专利技术属性】
技术研发人员：山村和久，坂本明，永野辉昌，宫崎康人，米田康人，铃木久则，村松雅治，
申请(专利权)人：浜松光子学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP