一种N型IBC太阳能电池片的制备方法技术

一种N型IBC太阳能电池片的制备方法，包括如下步骤：(1)在制绒并背抛光的N型硅片背面上整面印刷铝浆，烘干并烧结；(2)将硅片放入碱液中进行腐蚀处理；(3)清洗；氧化；(4)开窗，然后采用碱液进行腐蚀处理，去除开窗区的发射结；(5)采用步骤(4)中的网版在开窗区印刷磷浆并掺杂；(6)受光面沉积氮化硅薄膜；(7)在P+区与N+区印刷电极并烧结。本发明专利技术避免了传统工艺中P+与N+区需反复制备掩模及多次腐蚀等复杂工艺；本发明专利技术的方法采用传统的丝网印刷技术，可以利用现有条件和设备，因而成本较低，适于实现大规模化生产。

【技术实现步骤摘要】
-种N型IBC太阳能电池片的制备方法
本专利技术涉及太阳能应用
，尤其涉及一种N型IBC太阳能电池片的制备方 法。
技术介绍
常规的化石燃料日益消耗殆尽，在现有的可持续能源中，太阳能无疑是一种最清 洁、最普遍和最有潜力的替代能源。太阳能电池，也称光伏电池，是一种将太阳的光能直接 转化为电能的半导体器件。由于它是绿色环保产品，不会引起环境污染，而且是可再生资 源，所以在当今能源短缺的情形下，太阳能电池是一种有广阔发展前途的新型能源。 N型硅片由于具有少子寿命高无衰减等优势成为现在研发的热点，基于N型硅片 制备的IBC太阳电池技术是目前光伏科学家看好的一项具有产业化潜力的一项技术。针对 N型IBC太阳能电池，目前已有Sunpower公司实现小规模的量产，其电池片的制备方法主要 包括如下步骤：1.在制绒并背抛光的N型硅片进行氧化，得到氧化硅层；2.丝网印刷含氟 腐蚀性浆料在氧化硅层上开出N+区域；3.在N+开窗区进行磷扩散；4.清洗去PSG并氧化； 5.丝网印刷含氟腐蚀性浆料在氧化硅层上开出P+区域；6.在P+开窗区进行硼扩散；7.清 洗去BSG层；8.受光面沉积氮化硅薄膜；9.在P+区与N+区印刷电极并烧结。然而，上述方 法需要，制备工艺复杂，设备要求苛刻，成本高昂，使得传统的印刷技术很难应用于该领域。 以上的不足也是其目前无法实现大规模化生产的主要障碍。 因此，开发一种工艺简单、成本较低的N型IBC太阳能电池片的制备方法，使其可 以利用现有条件和设备，在基本不增加成本的基础之上进一步提升其转化效率，具有积极 的现实意义。
技术实现思路
本专利技术目的是提供一种N型IBC太阳能电池片的制备方法。 为达到上述目的，本专利技术采用的技术方案是：一种N型IBC太阳能电池片的制备方 法，包括如下步骤： (1) 在制绒并背抛光的N型硅片背面上整面印刷铝浆，烘干并烧结； (2) 将硅片放入碱液中进行腐蚀处理，形成P+区，使其结深的平均值为1. Γ1. 6微米， 其方块电阻为55?65 Ω / □; (3) 清洗；氧化，在硅片背面形成氧化硅层； (4) 在上述氧化硅层上丝网印刷含氟腐蚀性浆料进行开窗，然后采用碱液进行腐蚀处 理，去除开窗区的发射结； (5) 采用步骤⑷中的网版在开窗区印刷磷浆并掺杂，形成N+区； (6) 受光面沉积氮化硅薄膜； (7) 在P+区与N+区印刷电极并烧结。 上文中，所述步骤（1)中的制绒、背抛光（即背面抛光）都是现有技术。 上述技术方案中，所述步骤（1)中P+区的发射极的方块电阻为15?25 Ω/ □。优 选的，所述步骤（1)中Ρ+区的发射极的方块电阻为20 Ω / 口。 上述技术方案中，所述步骤（2)中的碱液为质量分数为:Γ20%的氢氧化钠溶液。优 选的，所述步骤（2)中的碱液为质量分数为15%的氢氧化钠溶液。 上述技术方案中，所述步骤（2)中，腐蚀处理后的结深的平均值为1. 5微米，其方 块电阻为60 Ω / □。 上述技术方案中，所述步骤（3)中氧化硅层的厚度在4~6nm。优选的，其厚度为5 nm〇 上述技术方案中，所述步骤（4)中的碱液为质量分数为:Γ20%的氢氧化钠溶液。优 选质量分数为15%的氢氧化钠溶液。 由于上述技术方案运用，本专利技术具有下列优点： 1、 本专利技术设计了一种N型IBC太阳能电池片的制备方法，其制备工艺简单，避免了传统 工艺中P+与N+区需反复制备掩模及多次腐蚀等复杂工艺；此外，本专利技术的方法采用传统的 丝网印刷技术，可以利用现有条件和设备，因而成本较低，适于实现大规模化生产； 2、 本专利技术采用丝网印刷技术，且在印刷腐蚀性浆料进行开窗及印刷磷浆掺杂时采用相 同的网版，因此避免了多次套印中存在的对准误差问题，减少了短路和漏电的风险；同时还 实现了 P+发射区的面积最大化，降低了串阻，进一步提升了转化效率，具有积极的现实意 义； 3、 本专利技术的氧化硅层不仅充当局部去背结的掩膜层，同时还起到背钝化和背绝缘的作 用，简化了制备工艺，因此实用性较强，适于推广应用。 【具体实施方式】 下面结合实施例对本专利技术作进一步描述。 实施例一 一种N型IBC太阳能电池片的制备方法，包括如下步骤： 1. 在制绒并背抛光的N型硅片背面上整面印刷铝浆料，烘干并烧结，其发射极方块电 阻为20 Ω / □; 2. 将烧结后的硅片，放入质量分数为15%的氢氧化钠溶液中处理后其结深平均为1. 5 微米，其方块电阻为60 Ω / □; 3. 清洗并氧化，其氧化硅厚度为5 nm ; 4. 丝网印刷含氟腐蚀性浆料在氧化硅层上开窗，并采用质量分数为15%的氢氧化钠溶 液来去除开窗区的发射结； 5. 采用同一块网版在开窗处印刷磷浆并掺杂； 6. 受光面沉积氮化硅薄膜； 7. 在P+区与N+区印刷电极并烧结。 对比例一 1. 在制绒并背抛光的N型硅片进行氧化，其氧化硅的厚度在5 nm ; 2. 丝网印刷含氟腐蚀性浆料，在氧化硅层上开出N+区域； 3. 在N+开窗区进行磷扩散；本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种N型IBC太阳能电池片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1) 在制绒并背抛光的N型硅片背面上整面印刷铝浆，烘干并烧结；(2) 将硅片放入碱液中进行腐蚀处理，形成P+区，使其结深的平均值为1.4~1.6微米，其方块电阻为55~65 Ω/□；(3) 清洗；氧化，在硅片背面形成氧化硅层；(4) 在上述氧化硅层上丝网印刷含氟腐蚀性浆料进行开窗，然后采用碱液进行腐蚀处理，去除开窗区的发射结；(5) 采用步骤(4)中的网版在开窗区印刷磷浆并掺杂，形成N+区；(6) 受光面沉积氮化硅薄膜；(7) 在P+区与N+区印刷电极并烧结。

【技术特征摘要】
1. 一种N型IBC太阳能电池片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： (1) 在制绒并背抛光的N型硅片背面上整面印刷铝浆，烘干并烧结； (2) 将硅片放入碱液中进行腐蚀处理，形成P+区，使其结深的平均值为1. Γ1. 6微米， 其方块电阻为55?65 Ω / □; (3) 清洗；氧化，在硅片背面形成氧化硅层； (4) 在上述氧化硅层上丝网印刷含氟腐蚀性浆料进行开窗，然后采用碱液进行腐蚀处 理，去除开窗区的发射结； (5) 采用步骤⑷中的网版在开窗区印刷磷浆并掺杂，形成N+区； (6) 受光面沉积氮化硅薄膜； (7) 在P+区与N+区印刷电极并烧结。...

【专利技术属性】
技术研发人员：张为国，龙维绪，王栩生，章灵军，
申请(专利权)人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32