【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路制造工艺
，特别涉及一种改进的双大马士革工艺制 造方法、以及一种采用了所述双大马士革工艺制造方法的集成电路制造方法。
技术介绍
伴随集成电路制造工艺的不断进步，半导体器件的体积正变得越来越小，使得金 属之间的电阻和寄生电容也越来越大。对于微处理器，芯片速度的限制主要由镀层中的电 阻和寄生电容产生，其结果电阻-电容时间延迟、讯号间的相互干扰及其能量损耗等问题 日益突出。为了解决电阻-电容时间延迟的问题，在电阻方面，在过去的30多年中，半导体工 业界都是以铝作为连接器件的材料，但随着芯片的缩小，工业界需要更细，更薄的连接，而 且铝的高电阻特性也越来越难以符合需求。在最近十多年中，半导体产业已经实现用铜作为微芯片的互连材料，因为铜电阻 值比铝更小，传输信号速度比铝更快、而且也更加稳定。先进工艺中，使用低电阻的铜金属 导线金属互联工艺已经取代原先的铝工艺。由于铜难以刻蚀，双大马士革方法成为人们一 致同意的用于铜金属化的方法。简单来讲，通过在层间介质刻蚀通孔和沟槽，既为每一金属 层产生通孔又产生引线，然后淀积铜进入刻蚀好的图形，应用化学机械平坦...
【技术保护点】
１．一种双大马士革工艺制造方法，其特征在于包括：通孔形成步骤，用于利用光刻版来形成通孔；通孔填充步骤，用于利用负性光刻胶填充所述通孔形成步骤所形成的通孔；通孔区光刻步骤，用于在所述通孔填充步骤之后利用所述通孔形成步骤所使用的光刻版对填充后的通孔区进行光刻；通孔区显影步骤，用于在所述通孔区刻蚀步骤之后利用显影剂对通孔区进行显影；以及沟槽形成步骤，用于在所述通孔填充步骤之后形成沟槽。
【技术特征摘要】
1.一种双大马士革工艺制造方法，其特征在于包括 通孔形成步骤，用于利用光刻版来形成通孔；通孔填充步骤，用于利用负性光刻胶填充所述通孔形成步骤所形成的通孔； 通孔区光刻步骤，用于在所述通孔填充步骤之后利用所述通孔形成步骤所使用的光刻 版对填充后的通孔区进行光刻；通孔区显影步骤，用于在所述通孔区刻蚀步骤之后利用显影剂对通孔区进行显影；以及沟槽形成步骤，用于在所述通孔填充步骤之后形成沟槽。2.根据权利要求1所述的双大马士革工艺制造方法，其特征在于，其中在所述通孔填 充步骤中，通过旋涂工艺，利用负性光刻胶填充所述通孔形成步骤所形成的通孔。3.根据权利要求1或2所述的双大马士革工艺制造方法，其特征在于，所述双大马士革 工艺制造方法还包括在所述沟槽刻蚀步骤之后执行的光刻胶清洗步骤，用于清洗残留的 光刻胶。4.根据权利要求1或2...
【专利技术属性】
技术研发人员：袁伟，
申请(专利权)人：上海集成电路研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：31
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。