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本发明提供了一种双大马士革工艺制造方法及集成电路制造方法。根据本发明的一种双大马士革工艺制造方法包括：通孔形成步骤，用于利用光刻版来形成通孔；通孔填充步骤，用于利用负性光刻胶填充所述通孔形成步骤所形成的通孔；通孔区曝光和显影步骤，用于在所述...
该专利属于上海集成电路研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路研发中心有限公司授权不得商用。

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