【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种铜大马士革制造工艺，尤其涉及。
技术介绍
随着微电子产业的飞速发展要求半导体器件的特征尺寸的减小，目前，半导体后段铜制程取代铝制程成为主流工艺。在混合信号和射频电路中，开发能够完全兼容CMOS逻辑电路及电感的铜大马士革工艺的金属-绝缘层-金属电容结构及制造流程成为必要。这不仅改善了工艺的复杂性；而且使用低电阻铜作为电极板可改善金属-绝缘层-金属电容性能。专利US63^234，在双大马士革结构中制作单层大马士革金属-绝缘层-金属电容。专利US6670237，在单大马士革通孔结构中制作单层大马士革金属-绝缘层-金属电容。而且随着半导体尺寸的减小，必须减小金属-绝缘层-金属电容面积。这就要求必须增加金属-绝缘层-金属电容的电容密度。增加金属-绝缘层-金属电容的层数是增大电容密度的一种方式。而目前的多层金属-绝缘层-金属电容工艺无法完全兼容于互补的金属氧化物半导体逻辑电路及电感的铜大马士革工艺。使用铜大马士革工艺制作双层金属-绝缘层-金属电容不仅增大了电容密度，改善了电容性能，而且能完全兼容于互补金属氧化物半导体逻辑电路及电感的铜大马士革工艺。专利技术...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李磊，胡友存，陈玉文，姬峰，张亮，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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