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本发明公开了一种利用铜大马士革工艺制造双层金属-绝缘层-金属电容的方法，使用双层MIM电容结构及铜大马士革制造工艺，能够完全兼容CMOS逻辑电路及电感的铜大马士革工艺并增大MIM的电容密度。本发明一种铜大马士革工艺金属-绝缘层-金属电容，有...
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