【技术实现步骤摘要】
本专利技术一般涉及半导体制造领域中的一种双大马士革工艺制作方法，更确切的说，本专利技术涉及。
技术介绍
目前，半导体制造领域中超厚顶层金属的制造，业界常用方法是用单大马士革工艺分别做顶层通孔和超厚顶层金属，如图la-e所示，顶层通孔方法即在一硅片1上淀积介电阻挡层101和介电层102，旋涂光刻胶103并光刻形成通孔图案104，干法刻蚀通孔图案 104形成通孔105并灰化去除光刻胶103 ；淀积金属阻挡层106和铜籽晶层107，电镀铜以填满通孔105，利用化学机械研磨(Chemical Mechanical Polishing，简称CMP)以去除多余金属；如图lf-j所示，超厚顶层金属方法即在通孔105上依次淀积第二介电阻挡层108和第二介电层109，旋涂光刻胶110于第二介电层109上，光刻形成沟槽图案111 ；干法刻蚀沟槽图案111以形成沟槽112，并灰化去除光刻胶110，淀积金属阻挡层113和铜籽晶层114， 电镀铜以填满沟槽112，最后利用CMP工艺去除多余金属；上述方法虽然能解决通孔高深宽比的问题，但相应会增加制造工艺步骤，延长生产周期。如果采用传统先通...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：胡友存，李磊，姬峰，张亮，陈玉文，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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