晶圆净化装置、刻蚀机台及大马士革刻蚀方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供了晶圆净化装置、刻蚀机台及大马士革刻蚀方法，晶圆净化装置内设置用于装载晶圆的内腔和用于气体流通的外腔，通过机械泵的吸引力使内腔中的刻蚀后的晶圆上的刻蚀残留气体向排气通道平行流动，并经过排气通道沿外腔排出，从而可以避免刻蚀残留气体在内腔中向上流动，减小未刻蚀晶圆表面的刻蚀残留气体浓度，避免与未刻蚀晶圆表面反应形成污染物；并且通过在内腔侧壁设置具有一定间隔距离的晶圆卡块，使得存放于其上的晶圆也能够以一定间距隔开，进一步减小了刻蚀残留气体在晶圆表面的浓度，避免刻蚀后的晶圆对未刻蚀的晶圆表面造成交叉污染和缺陷，提高了铜互连的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种晶圆净化装置、金属硬质掩膜大马士革一体化刻蚀机台及其大马士革刻蚀方法。
技术介绍
随着集成电路技术的进步，追求高速度、高器件密度、低功耗以及低成本的芯片成为超大规模集成电路制造的趋势。集成规模加大了芯片中的导线密度，从而使导线宽度和间距不断减小，互联中的电阻和电容所产生的寄生效应越来越明显。当器件的尺寸小到一定技术节点后，就需要克服阻容迟滞带来的信号传播延迟、线间干扰以及功率耗散等。然而在后段铜互联工艺中，低介电常数(10--)材料和金属硬掩模(161:211188^)工艺的加入，成为集成电路工艺发展的又一必然选择。金属硬掩模一体化刻蚀技术采取主刻蚀和去胶在同一腔体内进行刻蚀沟槽和通孔，大大节约了工艺时间和成本，它除了带来最大的利益之外，对工艺的要求更加苛刻。 目前，后段铜互连使用的金属硬质掩模大马士革一体化刻蚀技术工艺上还存在缺陷，尤其在干法刻蚀过程中，刻蚀过的晶圆和未刻蚀的晶圆受刻蚀过程中散发出来的气体影响，在一个？0即里晶圆之间出现交叉污染现象，靠近？0即上方位置的未蚀刻的晶圆表面的光阻与刻蚀后挥发出来的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶圆净化装置，其特征在于，其包括：内腔，用于装载晶圆；多层晶圆卡块，在竖直方向上以一定的间隔分布于所述内腔的内侧壁上，其用于支撑多个晶圆在竖直方向上以一定的间隔排布；外腔，连接于所述内腔外侧；排气通道，在竖直方向上排布于所述内腔的一侧的侧壁上，且穿过所述内腔的侧壁到所述外腔，使所述内腔与所述外腔连通；机械泵，连接于所述外腔，用于使所述内腔中刻蚀残留气体平行流动并流经所述排气通道、沿所述外腔而排出。

【技术特征摘要】
1.一种晶圆净化装置，其特征在于，其包括: 内腔，用于装载晶圆； 多层晶圆卡块，在竖直方向上以一定的间隔分布于所述内腔的内侧壁上，其用于支撑多个晶圆在竖直方向上以一定的间隔排布； 外腔，连接于所述内腔外侧； 排气通道，在竖直方向上排布于所述内腔的一侧的侧壁上，且穿过所述内腔的侧壁到所述外腔，使所述内腔与所述外腔连通； 机械泵，连接于所述外腔，用于使所述内腔中刻蚀残留气体平行流动并流经所述排气通道、沿所述外腔而排出。2.根据权利要求1所述的晶圆净化装置，其特征在于，所述外腔与所述内腔具有共用的侧壁，所述排气通道为排气孔；所述排气孔穿透所述共用的侧壁。3.根据权利要求1所述的晶圆净化装置，其特征在于，所述机械泵通过一管道连接于所述外腔的底部。4.根据权利要求1所述的晶圆净化装置，其特征在于，所述内腔中的刻蚀残留气体沿水平方向平行流动。5.一种金属硬质掩膜大马士革一体化刻蚀机台，包括:用于对晶圆进行大马士革刻蚀工艺的多个工艺腔，连接于多个所述工艺腔之间的传送腔，传送装置，其通过所述传送腔将所述晶圆在多个所述工艺腔之间进行搬运，以及用于存储晶圆的存储腔，其连接于所述传送腔的一端；其特征在于，还包括权利要求1所述的晶圆净化装置，所述晶圆净化装置位于所述存储腔的...

【专利技术属性】
技术研发人员：李全宝，刘斌，江旻，曾林华，任昱，吕煜坤，朱骏，张旭升，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31