一种阵列基板及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种阵列基板制备方法、阵列基板、显示装置，用于解决现有技术存在的阵列基板制备中掩膜板多制备成本高的问题。本发明专利技术提供的阵列基板制备方法、阵列基板、显示装置，由于将刻蚀阻挡层采用钝化层的掩膜板或源、漏电极的掩膜板制备，减少了阵列基板制备的掩膜板，降低了制备成本。

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及其制备方法、显示装置
本专利技术涉及显示
，具体地，涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置。
技术介绍
利用非晶硅(a-Si)薄膜晶体管(TFT)制作薄膜晶体管显示器的缺点是其电子迁移率非常低(<1cm2/V.S)，同时a-Si在可见光范围不透明，光敏性强，因此其应用范围受到了限制。随着新技术的出现，如有机发光二极管(OLED)显示技术，透明液晶显示技术，驱动电路集成玻璃技术(GateDriveronArray，GOA)等逐渐进入人们的视野，需要薄膜半导体材料具有更高的电子迁移率，更佳的非晶态均一性，并能够减少阈值电压(Vth)漂移等。金属氧化物半导体薄膜晶体管(OxideTFT)的金属氧化物半导体薄膜具有沉积温度低，电子迁移率高，易于刻蚀，在可见光范围内透过率高，且电子迁移率不那么取决于膜的颗粒尺寸，即具有Vth均一性高等优点。图1为现有的金属氧化物薄膜晶体管阵列基板的结构示意图，其中。所述阵列基板包括：基板1；形成在基板1上的形成第一氧化铟锡层(图1为剖视图，剖不到该位置)；形成在第一氧化铟锡层的栅电极2；形成在栅电极2的栅绝缘层3；形成在栅绝缘层3上的金属氧化物有源层4；形成在有源层4上的刻蚀阻挡层5(EtchStopLayer，ESL)、源、漏电极6；源、漏电极6之上形成的钝化层7；形成在钝化层7上的第二氧化铟锡层(图1为剖视图，剖不到该位置)。上述OxideTFT阵列基板的制造工艺如下：通过7次构图工艺在基板1依次形成上述各层，其中，构图工艺包括光刻胶涂布、掩模、曝光、显影、刻蚀、光刻胶剥离等部分或全部工艺，使用的掩膜板依次为第一氧化铟锡层掩膜板，栅电极掩膜板，有源层掩膜板，刻蚀阻挡层掩膜板，源、漏电极掩膜板，钝化层掩膜板，第二氧化铟锡层掩膜板。上述阵列基板的制造过程包括了7次构图工艺，每次构图工艺都用到一块不同的掩膜版，导致该阵列基板的制造成本较高。
技术实现思路
解决上述问题所采用的技术方案是一种节省掩膜板的阵列基板的制备方法，其技术方案如下：一种阵列基板的制备方法，包括以下步骤：在衬底上通过构图工艺形成包括有源层的图形；在形成有源层的所述衬底上沉积刻蚀阻挡层；在所述刻蚀阻挡层上沉积金属层；通过构图工艺在所述金属层上形成包括源电极的第一部分、漏电极的第一部分的图形，且所述源电极上形成有第一开口；所述漏电极上形成有第二开口；以及在所述刻蚀阻挡层上形成刻蚀阻挡图案，所述刻蚀阻挡图案具有分别与所述源电极上的第一开口、所述漏电极上的第二开口相对应的开口。优选的是，所述通过构图工艺在所述金属层上形成包括源电极的第一部分、漏电极的第一部分的图形，且所述源电极上形成有第一开口；所述漏电极上形成有第二开口；以及在所述刻蚀阻挡层上形成刻蚀阻挡图案，所述刻蚀阻挡图案具有分别与所述源电极上的第一开口、所述漏电极上的第二开口相对应的开口包括以下步骤：在所述金属层上形成光刻胶、采用源、漏电极掩膜板曝光、显影、并对所述金属层进行刻蚀，形成包括源电极的第一部分、漏电极的第一部分的图形，以及位于所述源电极上的第一开口的图形，位于所述漏电极上的第二开口的图形；接着，沉积钝化层，通过一次构图工艺形成包括钝化层和刻蚀阻挡层的图形。优选的是，所述通过一次构图工艺形成包括钝化层和刻蚀阻挡层的图形包括以下步骤：在所述钝化层上形成光刻胶、采用钝化层掩膜板曝光、显影、并对钝化层和刻蚀阻挡层进行刻蚀，在所述刻蚀阻挡图案形成分别与所述源电极上的第一开口、所述漏电极上的第二开口相对应的开口。优选的是，所述金属层的刻蚀采用湿法刻蚀。优选的是，所述钝化层和刻蚀阻挡层的刻蚀采用干法刻蚀。优选的是，通过构图工艺在所述金属层上形成包括源电极的第一部分、漏电极的第一部分的图形，且所述源电极上形成有第一开口；所述漏电极上形成有第二开口；以及在所述刻蚀阻挡层上形成刻蚀阻挡图案，所述刻蚀阻挡图案具有分别与所述源电极上的第一开口、所述漏电极上的第二开口相对应的开口包括以下步骤：通过一次构图工艺在所述金属层上形成包括源电极的第一部分、漏电极的第一部分的图形，以及位于所述源电极上的第一开口的图形，位于所述漏电极上的第二开口的图形；以及在刻蚀阻挡层上形成分别与所述源电极上的第一开口、所述漏电极上的第二开口相对应的开口的图形。优选的是，所述通过一次构图工艺在所述金属层上形成包括源电极的第一部分、漏电极的第一部分的图形，以及位于所述源电极上的第一开口的图形，位于所述漏电极上的第二开口的图形；以及在刻蚀阻挡层上形成分别与所述源电极上的第一开口、所述漏电极上的第二开口相对应的开口的图形包括以下步骤：在所述金属层上形成光刻胶、采用源、漏电极掩膜板曝光、显影、并对所述金属层进行刻蚀，形成包括源电极的第一部分、漏电极的第一部分的图形，以及位于所述源电极上的第一开口的图形，位于所述漏电极上的第二开口的图形；接着，对所述刻蚀阻挡层进行刻蚀，在所述刻蚀阻挡层形成分别与所述源电极上的第一开口、所述漏电极上的第二开口相对应的开口。优选的是，所述金属层的刻蚀采用湿法刻蚀；所述刻蚀阻挡层的刻蚀采用干法刻蚀。优选的是，完成所述第一开口和所述第二开口的图形的制作之后还包括：通过构图工艺形成包括导电层的图形，所述导电层通过所述过所述第一开口和所述第二开口以及在所述刻蚀阻挡层上的与所述第一开口、第二开口相对应的开口将所述源电极的第一部分、漏电极的第一部分与所述有源层连接。优选的是，所述的导电层包括公共电极或像素电极。优选的是，完成所述第一开口和所述第二开口的图形的制作之后还包括：通过构图工艺形成钝化层的步骤，其中，与所述第一开口和所述第二开口相对应部分的钝化层被刻蚀。优选的是，完成所述第一开口和所述第二开口的图形的制作之后还包括：通过构图工艺形成钝化层的步骤，其中，与源、漏电极图形相对应部分的钝化层被刻蚀。优选的是，完成所述钝化层步骤之后还包括：将通过构图工艺形成包括导电层的图形，所述导电层通过所述过所述第一开口和所述第二开口以及在所述刻蚀阻挡层上的与所述第一开口、第二开口相对应的开口将所述源电极的第一部分、漏电极的第一部分与所述有源层连接。优选的是，所述的导电层包括公共电极或像素电极。优选的是，在形成有源层的图形之前还包括：通过构图工艺形成栅电极层和栅极绝缘层的步骤。本专利技术的另一目的是提供一种阵列基板，所述阵列基板是采用上述阵列基板的制备方法制备的。优选的是，所述阵列基板，包括有源层，位于所述有源层上的刻蚀阻挡层，位于所述刻蚀阻挡层上的源、漏极的第一部分；位于所述源、漏电极的第一部分上的导电层，所述导电层通过位于所述源电极上的第一开口和位于所述刻蚀阻挡层的与所述第一开口对应的开口、以及位于所述漏电极上的第二开口和位于所述刻蚀阻挡层的与所述第二开口对应的开口将所述源、漏电极的第一部分与所述有源层连接；所述导电层包括作为源、漏电极的第二部分和公共电极或像素电极的部分。优选的是，所述源、漏电极包括所述源、漏电极的第一部分以及源、漏电极的第二部分。优选的是，所述阵列基板、所述有源层的设置于栅极绝缘层上；所述栅极绝缘层设置于栅极上。本专利技术的另一目的是提供一种显示装置，所述显示装置包括上述的阵列基板。本专利技术提供的阵列基板及其制备方法、显示装置，由于源电极上形成有第一开口，漏电极上本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在衬底上通过构图工艺形成包括有源层的图形；在形成有源层的所述衬底上沉积刻蚀阻挡层；在所述刻蚀阻挡层上沉积金属层；通过构图工艺在所述金属层上形成包括源电极的第一部分、漏电极的第一部分的图形，且所述源电极上形成有第一开口；所述漏电极上形成有第二开口；以及在所述刻蚀阻挡层上形成刻蚀阻挡图案，所述刻蚀阻挡图案具有分别与所述源电极上的第一开口、所述漏电极上的第二开口相对应的开口。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在衬底上通过构图工艺形成包括有源层的图形；在形成有源层的所述衬底上沉积刻蚀阻挡层；在所述刻蚀阻挡层上沉积金属层；通过构图工艺在所述金属层上形成包括源电极的第一部分、漏电极的第一部分的图形，且所述源电极上形成有第一开口；所述漏电极上形成有第二开口；以及在所述刻蚀阻挡层上形成刻蚀阻挡图案，所述刻蚀阻挡图案具有分别与所述源电极上的第一开口、所述漏电极上的第二开口相对应的开口。2.权利要求1所述阵列基板的制备方法，其特征在于，所述通过构图工艺在所述金属层上形成包括源电极的第一部分、漏电极的第一部分的图形，且所述源电极上形成有第一开口；所述漏电极上形成有第二开口；以及在所述刻蚀阻挡层上形成刻蚀阻挡图案，所述刻蚀阻挡图案具有分别与所述源电极上的第一开口、所述漏电极上的第二开口相对应的开口包括以下步骤：在所述金属层上形成光刻胶、采用源、漏电极掩膜板曝光、显影、并对所述金属层进行刻蚀，形成包括源电极的第一部分、漏电极的第一部分的图形，以及位于所述源电极上的第一开口的图形，位于所述漏电极上的第二开口的图形；接着，沉积钝化层，通过一次构图工艺形成包括钝化层和刻蚀阻挡层的图形。3.如权利要求2所述阵列基板的制备方法，其特征在于，所述通过一次构图工艺形成包括钝化层和刻蚀阻挡层的图形包括以下步骤：在所述钝化层上形成光刻胶、采用钝化层掩膜板曝光、显影、并对钝化层和刻蚀阻挡层进行刻蚀，在所述刻蚀阻挡图案形成分别与所述源电极上的第一开口、所述漏电极上的第二开口相对应的开口。4.如权利要求2所述阵列基板的制备方法，其特征在于，所述金属层的刻蚀采用湿法刻蚀。5.如权利要求3所述阵列基板的制备方法，其特征在于，所述钝化层和刻蚀阻挡层的刻蚀采用干法刻蚀。6.如权利要求1所述阵列基板的制备方法，其特征在于，通过构图工艺在所述金属层上形成包括源电极的第一部分、漏电极的第一部分的图形，且所述源电极上形成有第一开口；所述漏电极上形成有第二开口；以及在所述刻蚀阻挡层上形成刻蚀阻挡图案，所述刻蚀阻挡图案具有分别与所述源电极上的第一开口、所述漏电极上的第二开口相对应的开口包括以下步骤：通过一次构图工艺在所述金属层上形成包括源电极的第一部分、漏电极的第一部分的图形，以及位于所述源电极上的第一开口的图形，位于所述漏电极上的第二开口的图形；以及在刻蚀阻挡层上形成分别与所述源电极上的第一开口、所述漏电极上的第二开口相对应的开口的图形。7.如权利要求6所述阵列基板的制备方法，其特征在于，所述通过一次构图工艺在所述金属层上形成包括源电极的第一部分、漏电极的第一部分的图形，以及位于所述源电极上的第一开口的图形，位于所述漏电极上的第二开口的图形；以及在刻蚀阻挡层上形成分别与所述源电极上的第一开口、所述漏电极上的第二开口相对应的开口的图形包括以下步骤：在所述金属层上形成光刻胶、采用源、漏电极掩膜板曝光、显影、并对所述金属层进行刻蚀，形成包括源电极的第一部分...

【专利技术属性】
技术研发人员：王武，邱海军，尚飞，王国磊，
申请(专利权)人：重庆京东方光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：重庆;85