显示面板及其方法技术

一种形成显示面板的方法，其特征在于，所述方法包含：　　　　提供基板；　　　　形成晶体管元件于所述基板上，其中所述晶体管元件自所述基板依序包含栅极层、栅极介电层、半导体层、源极／漏极电极、绝缘层以及透明电极；　　　　形成凹凸状结构于所述基板上，且与所述晶体管元件相邻，其中所述凹凸状结构是在所述晶体管元件的所述源极／漏极电极形成前，通过选自形成所述栅极层、所述栅极介电层、以及所述半导体层的工艺所形成；以及　　　　形成电容元件于所述凹凸状结构，其中所述电容元件与所述凹凸状结构共形，且所述电容元件是通过形成所述源极／漏极电极、所述绝缘层以及所述透明电极的工艺所形成。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术关于一种，特别是关于一种整合既有工艺以增加单位面积储存电容的薄膜晶体管-液晶显示元件(TFT-LCD)结构及其形成方法。技术背景就相同萤幕尺寸而言，液晶显示器使用非常少的电力，体积相对较小， 且影像品质非常好，因此已逐渐取代体积庞大的阴极射线管显示器。而薄膜 晶体管液晶显示器为液晶显示器的主流之一，其包含薄膜晶体管阵列设置于 其上的基板，且与具有彩色滤光阵列的另一基板相对设置，并形成液晶层于 两基板之间。参考图9A及图9B，显示已知显示面板的单一像素的上视及截面示意 图，其中液晶显示器的各像素中包含薄膜晶体管元件91、电容元件92及显示 区93。晶体管元件91的源极/漏极通过适当的接触结构(未绘示)分别连结于数 据线94及电容元件92。如图9B所示，已知电容元件92为平面式电容，为 了增加储存电容量，必须增加电容元件92两电极板(92A及92B)之间的重叠 面积。因此，相对地使得电容元件92所需耗用的基板面积增大，进而降低开 口率，使显示品质劣化。此问题随着解析度的提升(单位面积的像素数目增加)，单位像素的面积縮小，而越趋严重。因此，迫切需要提出一种提升单位储存电容并本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成显示面板的方法，其特征在于，所述方法包含：提供基板；形成晶体管元件于所述基板上，其中所述晶体管元件自所述基板依序包含栅极层、栅极介电层、半导体层、源极／漏极电极、绝缘层以及透明电极；形成凹凸状结构于所述基板上，且与所述晶体管元件相邻，其中所述凹凸状结构是在所述晶体管元件的所述源极／漏极电极形成前，通过选自形成所述栅极层、所述栅极介电层、以及所述半导体层的工艺所形成；以及形成电容元件于所述凹凸状结构，其中所述电容元件与所述凹凸状结构共形，且所述电容元件是通过形成所述源极／漏极电极、所述绝缘层以及所述透明电极的工艺所形成。

【技术特征摘要】
1.一种形成显示面板的方法，其特征在于，所述方法包含提供基板；形成晶体管元件于所述基板上，其中所述晶体管元件自所述基板依序包含栅极层、栅极介电层、半导体层、源极/漏极电极、绝缘层以及透明电极；形成凹凸状结构于所述基板上，且与所述晶体管元件相邻，其中所述凹凸状结构是在所述晶体管元件的所述源极/漏极电极形成前，通过选自形成所述栅极层、所述栅极介电层、以及所述半导体层的工艺所形成；以及形成电容元件于所述凹凸状结构，其中所述电容元件与所述凹凸状结构共形，且所述电容元件是通过形成所述源极/漏极电极、所述绝缘层以及所述透明电极的工艺所形成。2. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述凹凸状结构是通过形成所 述栅极层的工艺所形成。3. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述凹凸状结构是通过形成所述栅极介电层的工艺所形成。4. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述凹凸状结构是通过形成所 述半导体层的工艺所形成。5. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述凹凸状结构是通过形成所 述栅极层及所述栅极介电层的工艺所形成。6. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述凹凸状结构是通过形成所 述栅极层及所述半导体层的工艺所形成。7. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述凹凸状结构是通过形成所 述栅极介电层及所述半导体层的工艺所形成。8. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述凹凸状结构是通过形成所 述栅极层、所述栅极介电层、以及所述半导体层的工艺所形成。9. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述凹凸状结构的步骤包 含形成厚度约0.1 y m至2 U m的凹凸状结构。10. —种显示面板，其特征在于，所述显示面板包含 第一基板，包含晶体管元件于基板上，其中所述晶体管元件自所述基板依...

【专利技术属性】
技术研发人员：林祥麟，方国龙，林敬桓，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71