基底与其布局的方法技术

本发明专利技术提供一基底布局方法，其包括定义一第一电镀线在一非传导层上，该第一电镀线耦合至一第一连接垫；以及定义一第二电镀线在该非传导层上，该第二电镀线耦合至一第二连接垫；其中当沿着该第一连接垫和该第二连接垫的一方向远离时，定义该第一电镀线和该第二电镀线之间一距离会逐渐增加。在另一实施例中，本发明专利技术方法包括定义一电镀线在一非传导层上，该电镀线耦合至一第一连接垫；以及定义该非传导层下至少一传导层的一部分传导层用一非传导物质取代，其中被该非传导物质取代的该部分传导层直接位于该电镀线之下。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种基底与其布局方法，特别是涉及一种具有电镀线的基底 与其布局方法。
技术介绍
在传统集成电路封装工艺中，其核心元件，例如棵晶(die，或称管芯)， 是固定在一基底(substrate)上，该基底包括多个非传导层(non-conducting layer)和多个传导层(conducting layer),其中，该基底的层数是依据设计者 所需的封装工艺所决定的。该非传导层(如介电层)是用来当成多个传导层之 间的绝缘层。然而，当半导体电路的控制频率操作越来越快且体积越来越小 的情况下，该封装内传输线之间的距离也越来越小，如此就会提高了传输线 之间的耦合寄生电容，进而影响了该半导体电路的运作速率。 一般上，金属 的传输线是形成在一传统封装基底的表面上，例如， 一球状门阵列封装基底 上。通常来说，连接垫(pad)上暴露的表面必需布上一金属层，例如一镍/金 (Nickel/Gold， Ni/Au)或镍/银(Nickel/Silver， Ni/Ag)层。因此，为了将一镍/ 金金属层涂布上该连接垫，现有技术会建立多条电镀线在该基底的表面上以 提供电流来将镍/金电镀上该连接垫。然而，电镀线可能会造成电镀线和在电 镀线之下的传输线之间形成巨大的寄生电容，因此，现有的做法是在电镀线 完成其功能后再用蚀刻的方法将电镀线蚀刻以解决上述寄生电容的问题，然 而，蚀刻的方法将会提高整个元件的制作成本。另一方面，若在一高速运作 的差动信号模块中，电镀线的密度会增加而使得寄生电容的问题更加严重， 因此，必需要有一个更便宜且更好的的方法以解决上述的问题。
技术实现思路
因此本专利技术的主要目的在于提供一种基底和其布局方法。 本专利技术的一实施例揭露一基底布局方法。该方法包括定义一第一电镀 线(plating line)在一非传导层(conducting layer)上，该第一电镀线耦合至一第一连接垫(pad);以及定义一第二电镀线在该非传导层上，该第二电镀线耦合 至一第二连接垫(pad);其中当沿着该第一连接垫和该第二连接垫的一方向远 离时，定义该第一电镀线和该第二电镀线之间 一距离会逐渐增加。本专利技术的一实施例揭露一基底布局方法。该方法包括定义一电镀线在 一非传导层上，该电镀线耦合至一第一连接垫；以及定义该非传导层下至少 一传导层的一部份传导层用一非传导物质取代，其中被该非传导物质取代的 该部份传导层直接位于该电镀线之下。本专利技术的一实施例揭露一种基底，其包括一电镀线与至少一传导层。该 电镀线定义在一非传导层上，以及该电镀线耦合至一第一连接垫。该传导层 位于该非传导层之下，以及该传导层具有一部份传导层用一非传导物质取 代，且该部份传导层直接位于该电镀线之下。本专利技术的一实施例揭露一种基底，其包含一电镀线以及至少一传导层。 该电镀线定义在一非传导层上，以及该电镀线耦合至一第一连接垫。该传导 层位于该非传导层之下，以及该传导层具有一部份传导层用一非传导物质取 代，且被该非传导物质取代的该部份传导层直接位于该电镀线之下。本专利技术的一实施例揭露一基底布局方法。该方法包括提供一传导层； 挖空一部份的传导层；利用一非传导物质取代该被挖空的部份；提供一非传 导层于该传导层及该非传导物质之上；以及定义一电镀线在该非传导层上， 且该电镀线位于该非传导物质上方。本专利技术的一实施例揭露一基底布局方法。该方法包括提供一非传导层； 定义一第一电镀线耦合至一第一连接垫；以及定义一第二电镀线耦合至一第 二连接垫；其中，该第一电镀线与该第二电镀线定义于该非传导层之上，且 当沿着该第一连接垫和该第二连接垫的一方向远离时，定义该第一电镀线和 该第二电镀线之间 一距离会逐渐增加。附图说明图1为本专利技术基底的一实施例的剖面图。 图2为图1所示的基底的立体图。 图3为本专利技术基底的另一实施例的俯视图。 图4为本专利技术第一种布局方法的流程图。 图5为本专利技术第二种布局方法的流程图。图6为本专利技术第三种布局方法的流程图。筒单符号说明<table>table see original document page 6</column></row><table>具体实施例方式请同时参考图1和图2，图1所示为本专利技术基底100(substrate)的一实施 例的剖面图，而图2所示为图1所示的基底100的立体图。在此一实施例中， 基底100为一珎4册阵列(ball grid array)基底，然而本专利技术并不以此基底类型 为限。基底100包括多层金属层(传导层102)以及多层介质层(非传导层104、 106),而基底100还包括一棵晶(die)110固定于非传导层106的一表面上、 一第一金属线108、 一第二金属线112、 一第一连接垫(pad)114、 一第二连接 垫116、 一第一电镀线(plating line)118以及一第二电镀线120。第一金属线 108形成于非传导层106上以耦合来自于棵晶IIO的差动输出信号中一第一 信号，而第二金属线112形成于非传导层106上以耦合来自于棵晶110的差 动输出信号中一第二信号。第一电镀线118形成于非传导层106上以耦合至 第一金属线108，以及提供一电流以电镀一传导物质来形成第一连接垫114， 此外，第二电镀线120形成于非传导层106上以耦合至第二金属线112,以 及提供一电流以电镀一传导物质来形成第二连接垫116。请注意，本专利技术并 不以图l和图2中所示的线和层的数目为限，另一方面，在图l和图2中所 示的形状和位置仅为方便说明本专利技术的精神所在，亦不用来作为本专利技术的限 制。基底100具有多个导通孔(via)122、 124分别交错的置于第一连接垫114和第二连接垫116之间以分别传送信号至一第一封装输出端点126和一第二 封装输出端点128，换句话说，导通孔122是形成于非传导层104内，以及 导通孔124是形成于传导层102内。依据本专利技术的实施例，笫一连接垫114和笫二连接垫116相距一第一距 离Ll。请参考图2可以得知，当沿着第一连接垫114和第二连接垫116的一 方向Dl远离时，第一电镀线118和第二电镀线120之间的距离L2会逐渐增 加。此外，依据本专利技术的实施例，非传导层106下的传导层102中一部份传 导层130由一非传导物质所取代，而此被该非传导物质取代的该部份传导层 130直接位于第一电镀线118和第二电镀线120之下，且此取代的动作不会 影响基底100正常的信号传输功能。另一方面，距离L2越大，则第一电镀线118和第二电镀线120的输入 阻抗亦越高，因此，当第一电镀线118和第二电镀线120的输入阻抗越高时， 则可以将第一电镀线118和第二电镀线120的输入阻抗视为一开路(open circuit),如此就会形同于先前技术中将二电镀线蚀刻(etching back process) 所得到的效杲，由此可得知，基底100的制造成本会比先前技术低。在实际 的操作中，逐渐增加的距离L2最后将改善从第一封装输出端点126和第二 封装输出端点128看入的插入损失(insertionloss)。依据现有电容值的计算方 程式，寄生电容C可以如下所示C=-eA/d (1)在方程式(l)中，e为两层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基底布局方法，包括：定义第一电镀线在非传导层上，该第一电镀线耦合至第一连接垫；以及定义第二电镀线在该非传导层上，该第二电镀线耦合至第二连接垫；其中当沿着该第一连接垫和该第二连接垫的方向远离时，定义该第一电镀线和该 第二电镀线之间距离会逐渐增加。

【技术特征摘要】
1.一种基底布局方法，包括定义第一电镀线在非传导层上，该第一电镀线耦合至第一连接垫；以及定义第二电镀线在该非传导层上，该第二电镀线耦合至第二连接垫；其中当沿着该第一连接垫和该第二连接垫的方向远离时，定义该第一电镀线和该第二电镀线之间距离会逐渐增加。2. 如权利要求1所述的方法，还包括将该非传导层下至少一传导层的一 部份传导层用非传导物质取代，其中被该非传导物质取代的该部份传导层直 接位于该第一电镀线、该第二电镀线或该第一、第二电镀线两者之下。3. 如权利要求2所述的方法，其中被该非传导物质取代的该部份传导层 直接位于该第一、第二电镀线之下，以及该部份传导层的面积不小于该第一 电镀线和该第二电镀线的总面积。4. 一种基底布局方法，包括定义电镀线在非传导层上，该电镀线耦合至第一连接垫；以及 定义该非传导层下至少一传导层的一部份传导层用非传导物质取代，其 中被该非传导物质取代的该部份传导层直接位于该电镀线之下。5. 如权利要求4所述的方法，其中被该非传导物质取代的该部份传导层 的面积不小于该电镀线的总面积。6. —种基底，包括第一电镀线，该第一电镀线定义在非传导层上，以及该第一电镀线耦合 至第一连接垫；以及第二电镀线，该第二电镀线定义在该非传导层上，以及该第二电镀线耦 合至第二连接垫；其中当沿着该第 一连接垫和该第二连接垫的方向远离时，该第 一 电镀线 和该第二电镀线之间的距离逐渐增加。7. 如权利要求6所述的基底，其中该非...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁维安，吴忠儒，薛英杰，
申请(专利权)人：矽统科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]